LM613双运算放大器，双路比较器和可调参考
1998年6月
LM613
双路运算放大器，双路比较器和
可调参考
概述
该LM613组成的双运算放大器，双比较器和
可编程电压基准的16引脚封装。该
运算放大器由亲出执行大多数单电源运算放大器
随着低电源人们提供更高的速度和带宽
电流。该设备是专门设计来降低成本
而在传感器电路板空间要求，试验，测量
精神疾病，以及数据采集系统。
结合稳定的参考电压与宽输出摆幅
运算放大器使LM613非常适用于单电源transduc-
器，信号调节和驱动桥，其中大
共模信号是共同的。电压基准
由一个可靠的带隙设计维持低镝
动力学输出阻抗（ 1Ω典型值） ，优异的初始容
ANCE （0.6％） ，并能够从1.2V编程以
通过两个外部电阻器6.3V 。电压参考是非常
驱动较大的容性负载，即使一样，都是稳定的COM
monly遇到在CMOS中的数据采集系统。
正如美国国家超级块中的一员
家庭中， LM613
是节省空间的单片替代的多芯片解决方案
化，提供了高集成水平，而不会牺牲
性能。
特点
运算放大器
n
低工作电流（运算放大器） ： 300 μA
n
宽电源电压范围： 4V至36V
n
宽共模范围： V
到（Ⅴ
+
1.8V)
n
宽差分输入电压：
±
36V
n
可在塑料包装评为军事温度。
经营范围
n
n
n
n
参考
可调输出电压： 1.2V至6.3V
可紧张的初始容差：
±
0.6%
宽工作电流范围： 17 μA至20 mA
宽容负载电容的
应用
n
n
n
n
传感器桥式驱动器
工艺和质量流量控制系统
电源电压监视
用于A / D的缓冲电压基准
连接图
E封装引脚
DS009226-1
顶视图
DS009226-48
超级块
是美国国家半导体公司的商标。
1999美国国家半导体公司
DS009226
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电气特性
（续）
这些规范适用于V
= GND = 0V ，V
+
= 5V, V
CM
= V
OUT
= 2.5V ，我
R
= 100 μA ，反馈引脚短接至GND ，
除非另有规定。在标准字体限为T
J
= 25 ;在限额
黑体字
申请过
操作
温度范围。
LM613AM
典型
符号
参数
条件
（注7 ）
LM613AI
范围
（注8）
参考电压
1.2515
(
±
0.6%)
平均温度。漂移
迟滞
（注11 ）
（注12 ）
10
3.2
80
1.2689
(
±
2%)
150
PPM /°C的
（最大）
μV/°C
V（最大值）
LM613M
LM613I
LM613C
范围
（注8）
单位
V
R
变化
与当前
V
R（ 100 μA ）
V
R（ 17 μA ）
0.05
0.1
1
1.1
5
5.5
0.56
13
7
10
1.2
1.3
1
1.5
35
40
1
1.1
5
5.5
0.56
13
7
10
1.2
1.3
1
1.5
50
55
毫伏（最大）
毫伏（最大）
毫伏（最大）
毫伏（最大）
（最大）
（最大）
毫伏（最大）
毫伏（最大）
毫伏（最大）
毫伏（最大）
毫伏（最大）
毫伏（最大）
nA的（最大）
nA的（最大）
V
RMS
V
R（ 10毫安）
V
R（ 100 μA ）
（注13 ）
R
阻力
V
R
变化
高V
RO
V
R
更改与
V
阳极
变化
V
R(10
→
0.1毫安）
/9.9毫安
V
R(100
→
17 A)
/83 A
V
R（ VRO
= VR）
1.5
2.0
0.2
0.6
2.5
2.8
0.1
0.1
0.01
0.01
22
29
30
V
R（ VRO
= 6.3V)
阳极之间（ 5.06V
反馈）
V
R（ V + = 5V ）
V
R（ V + = 36V ）
(V
+
= 32V的LM613C ）
V
R（ V +
= 5V)
V
R（ V +
= 3V)
I
FB
e
n
反馈偏置
当前
V
R
噪音
V
阳极
≤
V
FB
≤
5.06V
10赫兹至10千赫兹，
V
RO
= V
R
注1 ：
绝对最大额定值指示超出这可能会损坏部件的限制。操作DE-当电气规格不适用
副超出其额定工作条件。
注2 ：
输入电压高于V
+
是允许的。只要一输入端子的电压保持内部的共模电压范围时，比较器将提供正确的输出。
注3 ：
更准确的说，这是过电流，用过量导致发热，限制电压上的所有引脚。当任何引脚被拉低一个二极管压降低于
V
，寄生NPN晶体管导通。由于目前通过该引脚仍低于最大额定值，也不会发生闩锁现象为长。操作是未定义
和不可预测的，当任何寄生二极管或晶体管导通。
注4 ：
多个比较器的同时进行短路，而使用高电源电压，可能会迫使结温度以上的最大值，并且因此不应该
是连续的。
注5 ：
结温可以使用T为计算
J
= T
A
+ P
D
θ
JA
。给出的热阻为最坏情况下的插座包在静止空气中。对于包
从一个比较器或参考输出晶体管，标称焊接到铜包覆板与散热
θ
JA
为N个包为90℃/ W，与135C / W的
WM包。
注6 ：
人体模型， 100pF的放电通过1.5 kΩ电阻。
注7 ：
在标准字体的典型值是对于T
J
= 25 ;价值观
粗体字体
适用于整个工作温度范围内。这些值表示
最可能的参数指标。
注8 ：
所有参数都保证在室温（标准型面），或在操作温度极限
（粗体字脸） 。
注9 ：
压摆率是衡量一个电压跟随器配置的运算放大器。为上升的压摆率，输入电压从5V驱动到25V ，而输出
过渡电压进行采样，在10V和
@
20V 。对于下降沿的转换速率，输入电压从25V驱动到5V ，输出电压过渡处取样20V
和10V 。
注10 ：
V
R
是阴极到反馈电压，标称1.244V 。
注11 ：
平均基准漂移是从在25℃时的参考电压的测量，并在极端温度下进行计算。漂移，以ppm /℃ ，是
10
6
V
R
/(V
R[25C]
T
J
），其中
V
R
是最低的值中减去从最高，V
R[25C]
是在25℃时的值，并
T
J
是这样的温度范围内。此参数
通过设计和样品测试保证。
注12 ：
迟滞是V的变化
R
引起的T中的变化
J
之后，参考已经被“ dehysterized ” 。要dehysterize参考;这是尽量减少
滞后的典型值，它的结温应在循环以下方式，向25℃在不断上升： 25℃ ， 85℃ ， -40℃， 70℃ 0℃， 25℃。
注13 ：
低接触电阻，需要进行精确测量。
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