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LM5118 ， LM5118 -Q1

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SNVS566G - 2008年4月 - 修订2013年2月

宽电压范围降压 - 升压型控制器

检查样品：

LM5118 ， LM5118 -Q1

特点

LM5118 -Q1是一个汽车级产品

这是AEC - Q100 1级合格（ -40 ° C至

125°C的工作结温）

超宽的输入电压范围为3V至75V

模拟的峰值电流模式控制

降压之间平滑过渡

1步进模式

开关频率可编程至500kHz

振荡器同步功能

内部高压偏置稳压器

集成高侧和低侧栅极驱动器

可编程软启动时间

极低的关断电流

使能输入宽带误差放大器

1.5 ％反馈参考精度

热关断

描述

该LM5118宽电压范围降压 - 升压

开关稳压器控制器的所有功能的

必要的功能

实施

高

性能，成本效率降压 - 升压型稳压器

用最少的外部元件。该降压 -

升压拓扑结构保持输出电压调节

当输入电压可以是小于或大于

比输出电压使得它特别适用于

用于汽车应用。该LM5118用作

降压调节器，而输入电压足够

大于稳压输出电压，

逐渐转换到降压 - 升压模式作为

输入电压接近输出。这种双模式

办法规定保持在一个很宽的范围内

在最佳转换效率的输入电压

在降压模式，并在模式无干扰的输出

转场。这种易于使用的控制器包括

驱动高边降压MOSFET和低

侧升压MOSFET 。监管层控制方法

基于电流模式控制的使用

仿真电流斜坡。仿电流模式

控制减小了脉冲宽度的噪声灵敏度

调制电路，允许的非常可靠的控制

在高输入电压所需的小占空比

应用程序。其他保护功能包括

电流限制，热停机和一个使能输入。

该器件提供增强型电源

HTSSOP -20封装设计的裸露的芯片连接

垫，以帮助散热。

包

HTSSOP - 20 （裸露焊盘）

请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用

德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。

所有商标均为其各自所有者的财产。

PRODUCTION数据信息为出版日期。

产品符合占德州条款规范

仪器标准保修。生产加工过程中不

不一定包括所有参数进行测试。

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典型应用电路

VIN

VCC

LM5118

VOUT

坡道

CSG

VOUT

GND

COMP

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包

HTSSOP - 20 （裸露焊盘）

接线图

VIN

UVLO

坡道

AGND

COMP

VOUT

VCCX

VCC

保护地

CSG

SYNC

图1. PWP0020A包装（顶视图）

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引脚说明

针

名字

VIN

UVLO

描述

输入电源电压。

如果UVLO引脚电压低于1.23V ，稳压器将处于待机模式（ VCC稳压器运行时，开关稳压器

禁用）。当UVLO引脚超过1.23V ，稳压器进入正常工作模式。外部电压

分压器可用于设定欠压关断阈值。固定5 μA电流源出UVLO引脚。

如果电流限制条件存在256个连续开关周期，一个内部开关拉UVLO引脚与地

然后释放。

内部振荡器的频率设置与该引脚和AGND引脚之间的一个电阻。推荐

频率范围是50kHz到500kHz 。

如果EN引脚低于0.5V时，稳压器处于低功耗状态，从VIN绘图低于10 μA 。 EN必须

高于3V正常操作凸起。

斜坡控制信号。连接在这个引脚和AGND引脚之间的外部电容设置使用的坡道坡度

用于模拟电流模式控制。

模拟地。

软启动。外部电容和内部10 μA电流源设置误差放大器参考的上升时间。该

SS引脚保持低电平时， VCC低于VCC欠压阈值（ < 3.7V ），当UVLO引脚为低电平（ <

1.23V ），当EN为低电平（ < 0.5V ）或热关断时处于活动状态。

从稳压输出反馈信号。连接到内部误差放大器的反相输入端。

输出内部误差放大器。环路补偿网络应连接在COMP和之间

FB引脚。

输出电压监视器，用于模拟电流模式控制。该引脚直接连接到稳定的输出。

SYNC输入的开关稳压器同步至一个外部时钟。

电流检测输入。连接至电流检测电阻的二极管侧。

电流检测接地输入。连接至电流检测电阻的接地侧。

电源地。

升压MOSFET栅极驱动输出。连接到外部升压MOSFET的栅极。

输出偏置稳压器。本地去耦使用低ESR / ESL电容尽量靠近的到PGND

控制器越好。

可选的输入，用于从外部供给的偏置电源。如果在VCCX管脚上的电压大于3.9V时，内部

VCC稳压器被禁用，并且VCC引脚内部连接到VCCX引脚供电。如果VCCX不使用，连接

到AGND 。

在引导操作使用的高侧栅极驱动器供电。自举电容提供电流充电的高

边MOSFET栅极。该电容应尽可能靠近控制器可能连接HB之间

和HS 。

降压MOSFET栅极驱动输出。通过一条短而低电感连接到高边降压MOSFET的栅极

路径。

降压MOSFET源极引脚。连接到高边降压MOSFET的源端和自举电容。

焊接到接地平面之下的集成电路中的散热，以帮助。

坡道

AGND

COMP

VOUT

SYNC

CSG

保护地

VCC

VCCX

这些器件具有有限的内置ESD保护。引线应短接在一起或设备放置在导电泡棉

储存或搬运过程中，以防止对静电损坏MOS大门。

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(1)

绝对最大额定值

VIN ， EN ， VOUT到GND

VCC ， LO ， VCCX ， UVLO到GND

HB到HS

何为HS

HS到GND

南玻， CS到GND

(2)

-0.3V至76V

-0.3 15V

-0.3 HB + 0.3V

-4V至76V

-0.3V至+ 0.3V

-0.3至7V

2千伏

-55 ° C至+ 150°C

+150°C

RAMP ， SS ， COMP ， FB ， SYNC ， RT与GND

ESD额定值

HBM

(3)

存储温度范围

结温

(1)

(2)

(3)

绝对最大额定值超出这可能会损坏设备的限制。

这些引脚不得超过VIN上升。

人体模型是一个100pF的电容通过一个1.5 kΩ电阻向每个引脚放电。

(1)

工作额定值

VIN

(2)

3V至75V

4.75V至14V

-40°C至+ 125°C

VCC ， VCCX

结温

(1)

(2)

工作额定值表明该设备的目的是功能性的，但并不能保证具体的性能限制条件。

为规范和测试条件见

电气特性。

5V VIN需要最初启动控制器。

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