LM5100A ， LM5100B ， LM5100C ， LM5101A ， LM5101B ， LM5101C
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SNOSAW2P - 2006年9月 - 修订2013年3月
LM5100A/B/C
LM5101A / B / C 3A ， 2A和1A高电压高侧和低侧栅极驱动器
检查样品：
LM5100A ， LM5100B ， LM5100C ， LM5101A ， LM5101B ， LM5101C
1
特点
同时驱动高侧和低侧N-
沟道MOSFET
独立高和低驱动逻辑输入
自举电源电压高达118V DC
快速传播时间（ 25 ns典型）
驱动1000pF的负载与8 ns上升和下降
时
出色的传输延时匹配（ 3纳秒
典型）
电源轨欠压锁定
低功耗
引脚兼容于HIP2100 / HIP2101
描述
该LM5100A / B / C和LM5101A / B / C高压
栅极驱动器设计用于驱动两个高边
和低侧N沟道MOSFET的
同步降压或半桥结构。该
浮动高边驱动器能够与经营
电源电压高达100V 。在“A”版本提供
栅极驱动，而“B”和“C”版本的完整3A
分别为2A和1A 。的输出是
与CMOS输入阈值独立控制
(LM5100A/B/C)
or
TTL
输入
门槛
（ LM5101A / B / C ） 。集成的高电压二极管
提供高侧栅极驱动器自举充电
电容。一个强大的电平转换器工作在高
速度，同时消耗低功耗和提供
从控制逻辑向清洁级跃迁
高侧栅极驱动器。欠压锁定为
设置在两个低侧和高侧
电源轨。这些器件可在
标准的SOIC - 8引脚，所以使用PowerPad - 8引脚和
WSON - 10引脚封装。该LM5100C和
LM5101C也可以采用MSOP - PowerPAD的- 8
封装。该LM5101A也可以在WSON - 8
引脚封装。
2
典型应用
目前美联储推挽转换器
半桥和全桥电源转换器
同步降压转换器
两个开关正激电源转换器
推进有源钳位转换器
包
SOIC-8
SO PowerPAD的- 8
WSON -8 （直径4 mm ×4mm）所
WSON -10 （直径4 mm ×4mm）所
MSOP-PowerPad-8
简化的框图
HB
UVLO
水平
移
HI
HO
司机
HS
VDD
UVLO
LI
LO
司机
VSS
1
2
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
所有商标均为其各自所有者的财产。
版权所有 2006年至2013年，德州仪器
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
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表1.输入/输出选项
产品型号
LM5100A
LM5101A
LM5100B
LM5101B
LM5100C
LM5101C
输入阈值
CMOS
TTL
CMOS
TTL
CMOS
TTL
峰值输出电流
3A
3A
2A
2A
1A
1A
连接图
VDD
HB
HO
HS
1
2
8
7
LO
VSS
LI
HO
3
VDD
1
8
LO
SOIC-8
3
4
6
5
HI
HB
2
7
VSS
WSON-8
6
LI
HS
4
5
HI
VDD
1
8
LO
VDD
HB
1
2
3
4
5
10
9
LO
VSS
LI
HI
NC
HB
2
SO
PowerPad-8
7
VSS
HO
HS
NC
WSON-10
8
7
6
HO
3
6
LI
HS
4
5
HI
裸露焊盘
连接到VSS
VDD
HB
HO
HS
MSOP-
PowerPad-8
LO
VSS
LI
HI
引脚说明
(1)
针＃
SOIC-8
1
SO
动力
Pad-8
1
WSON-
8
(1)
1
WSON-
10
(1)
1
MSOP-
使用PowerPad
-8
(1)
1
名字
描述
应用信息
VDD
正栅极
驱动电源
高侧栅极
自举驱动
轨
高侧栅极
驱动器输出
本地使用低ESR / ESL去耦到VSS
电容尽可能靠近IC放置。
连接的自举的正端
电容11B和负极端子到的HS 。该
自举电容应尽量靠近
集成电路越好。
连接到高侧MOSFET，具有一个栅极
总之，低电感的路径。
2
2
2
2
2
HB
3
3
3
3
3
HO
(1)
注意：对于WSON - 8 ， WSON - 10和MSOP -将PowerPAD - 8封装，因此建议在该底部的裸露焊盘
包被焊接到接地平面上的印刷电路板，并且该接地平面应该从下面的集成电路，以帮助伸出
散热。对于WSON - 10封装，引脚5和6没有任何联系。
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引脚说明
(1)
（续）
针＃
SOIC-8
SO
动力
Pad-8
4
WSON-
8
(1)
WSON-
10
(1)
MSOP-
使用PowerPad
-8
(1)
4
名字
描述
应用信息
4
4
4
HS
高边
MOSFET
来源
连接
高侧驱动器
控制输入
连接至自举电容的负端
和高侧MOSFET的源极。
该LM5100A / B / C输入具有CMOS型
阈值。该LM5101A / B / C输入有TTL型
阈值。未使用的输入应连接到地
并没有打开。
该LM5100A / B / C输入具有CMOS型
阈值。该LM5101A / B / C输入有TTL型
阈值。未使用的输入应连接到地
并没有打开。
所有的信号都参考这个理由。
连接到低侧MOSFET与一个栅
总之，低电感的路径。
焊接到接地平面之下的集成电路中的热量，以帮助
耗散。
5
5
5
7
5
HI
6
7
8
6
7
8
EP
6
7
8
EP
8
9
10
EP
6
7
8
EP
LI
VSS
LO
低侧驱动器
控制输入
返回地
低侧栅极
驱动器输出
EP （ WSON和SO
使用PowerPad和MSOP-
使用PowerPad封装）
这些器件具有有限的内置ESD保护。引线应短接在一起或设备放置在导电泡棉
储存或搬运过程中，以防止对静电损坏MOS大门。
绝对最大额定值
VDD到VSS
HB到HS
李或HI输入
LO输出
HO输出
HS到VSS
HB到VSS
结温
存储温度范围
ESD额定值HBM
(1)
(2)
(3)
(4)
(3)
(1) (2)
0.3V
至+ 18V
0.3V
至+ 18V
0.3V
到V
DD
+0.3V
0.3V
到V
DD
+0.3V
V
HS
0.3V
到V
HB
+0.3V
5V
到+ 100V
118V
+150°C
55°C
至+ 150°C
2千伏
(4)
最大极限值是指超出这可能会损坏部件的限制。额定工作值是在一定条件下
被指定的设备的哪些操作。工作额定值并不意味着性能的限制。由于性能的限制和相关测试
环境，请参阅电气特性
电气特性
表。
如果是用于军事/航空专用设备，请向德州仪器销售办事处/经销商咨询具体可用性和
特定连接的阳离子。
在应用程序的协节点由外部低位的N -MOSFET的体二极管钳位，因此在HS节点将通常不
超过-1V 。然而，在一些应用中，电路板的电阻和电感，可能会导致在HS节点超过该规定的电压
短暂。如果出现负瞬变，房协电压不得大于VDD - 15V负。例如，如果VDD = 10V时，
在HS负瞬变不得超过-5V 。
人体模型（ HBM ）是一个100 pF电容通过1.5kΩ电阻向每个引脚放电。 2千伏除了2脚的所有引脚，
引脚3和4，它的额定电压为1000V的HBM 。机器模型（ MM ）的评级是： 100V （ MM）为选项B和C ; 50V （ MM ）为
选项A.
推荐工作条件
VDD
HS
HB
HS摆率
结温
+ 9V至+ 14V
1V
以100V
V
HS
+ 8V至V
HS
+14V
< 50 V / ns的
40°C
至+ 125°C
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电气特性
在标准型限为T
J
= 25 ℃时;粗体字体的极限值适用于结点温度（T
J
）范围为-40°C
至+ 125°C 。最小和最大极限值通过测试，设计或统计相关规定。典型值
最可能的参数指标在T
J
= 25 ℃，仅供参考。除非另有规定，V
DD
=
V
HB
= 12V, V
SS
= V
HS
= 0V ，在LO和HO空载
(1)
.
符号
电源电流
I
DD
I
DDO
I
HB
I
HBO
I
HBS
I
HBSO
V
IL
V
IL
V
IHYS
V
IHYS
R
I
V
DDR
V
DDH
V
HBR
V
HBH
V
DL
V
DH
R
D
V
OL
VDD静态电流， LM5100A / B / C
VDD静态电流， LM5101A / B / C
VDD工作电流
HB总静态电流
HB总工作电流
HB到VSS电流，静态
HB到VSS电流，工作
输入电压阈值LM5100A / B / C
输入电压阈值LM5101A / B / C
输入电压迟滞LM5100A / B / C
输入电压迟滞LM5101A / B / C
输入下拉电阻
VDD上升阈值
VDD阈值迟滞
HB上升阈值
HB阈值迟滞
低电流正向电压
大电流正向电压
I
VDD -HB
= 100 A
I
VDD -HB
= 100毫安
5.7
100
6.0
李= HI = 0V
李= HI = 0V
F = 500千赫
李= HI = 0V
F = 500千赫
HS = HB = 100V
F = 500千赫
上升沿
上升沿
4.5
1.3
0.1
0.25
2.0
0.06
1.6
0.1
0.4
5.4
1.8
500
50
200
6.9
0.5
6.6
0.4
0.52
0.8
1.0
0.12
0.16
0.28
I
HO
= I
LO
= 100毫安
V
OH
= VDD- LO或
V
OH
= HB - HO
HO ， LO = 0V
0.24
0.28
0.60
3
2
1
HO ， LO = 12V
3
2
1
A
A
0.85
1
1.65
0.25
0.4
0.65
0.45
0.60
1.10
V
V
7.1
400
7.4
6.3
2.3
0.2
0.4
3
0.2
3
10
mA
mA
mA
mA
A
mA
V
V
mV
mV
k
V
V
V
V
V
V
参数
条件
民
典型值
最大
单位
输入引脚
欠压保护
自举二极管
动态电阻LM5100A / B / C ， LM5101A / B / C I
VDD -HB
= 100毫安
低电平输出电压LM5100A / LM5101A
低电平输出电压LM5100B / LM5101B
低电平输出电压LM5100C / LM5101C
I
HO
= I
LO
= 100毫安
LO &何栅极驱动器
V
OH
高电平输出电压LM5100A / LM5101A
高电平输出电压LM5100B / LM5101B
高电平输出电压LM5100C / LM5101C
I
OHL
山顶上拉电流LM5100A / LM5101A
山顶上拉电流LM5100B / LM5101B
山顶上拉电流LM5100C / LM5101C
I
OLL
峰值下拉电流LM5100A / LM5101A
峰值下拉电流LM5100B / LM5101B
峰值下拉电流LM5100C / LM5101C
(1)
最小和最大限制是100 ％的产品在25 ℃的测试。限制在工作温度范围内，通过关联指定
利用统计质量控制（ SQC）方法。这些极限值可用来计算平均出厂质量水平（ AOQL ） 。
4
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电气特性（续）
在标准型限为T
J
= 25 ℃时;粗体字体的极限值适用于结点温度（T
J
）范围为-40°C
至+ 125°C 。最小和最大极限值通过测试，设计或统计相关规定。典型值
最可能的参数指标在T
J
= 25 ℃，仅供参考。除非另有规定，V
DD
=
V
HB
= 12V, V
SS
= V
HS
= 0V ，在LO和HO空载
(1)
.
符号
热阻
SOIC-8
WSON-8
θ
JA （2）
结到环境
(3)
(3)
参数
条件
民
典型值
170
40
40
40
最大
单位
WSON-10
° C / W
SO PowerPAD的- 8
MSOP-PowerPad-8
(2)
(3)
(3)
80
该
θ
JA
是不是一个给定的恒定的包和依赖于所述印刷电路板的设计和操作环境。
4层基板与铜成品厚度为1.5 / 1/1 / 1.5盎司最大模具尺寸使用。铜迹线在PCB顶部5倍车身长度。 50 ×50毫米
接地和电源层嵌在PCB上。请参阅应用笔记AN- 1187 。
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