LRS1331
数据表
特点
闪存和SRAM
堆叠芯片芯片级封装
72球8毫米× 11毫米CSP封装胶
电源： 2.7 V至3.6 V
工作温度：-25 ° C至+ 85°C
闪存
- 访问时间（最大） ： 90纳秒
- 工作电流（最大值）
（目前的F- V
CC
引脚和F -V
CCW
针） ：
- 阅读： 25毫安（T
周期
= 200纳秒）
- 字写： 57毫安
- 块擦除： 42毫安
- 待机电流（目前为F- V
CC
针） ： 15 μA
（ MAX F- RP
≤
GND ± 0.2 V ）
优化的阵列架构堵
- 两个4K字引导块
- 六4K字的参数块
堆叠晶片
16M闪存和SRAM 4M
- 三十一32K字的主要模块
- 底部启动位置
- 扩展循环能力
- 100000块擦除周期
增强的自动暂停选项
- 字写暂停阅读
- 块擦除挂起到字写
- 块擦除挂起阅读
SRAM
- 访问时间（最大） ： 85纳秒
- 工作电流： 45毫安（ MAX 。 ）
- 待机电流： 15 μA （ MAX 。 ）
- 数据保持电流： 2 μA （MAX 。 ）
描述
该LRS1331是组合存储组织成
1048576 × 16位的闪速存储器和262144 × 16位
静态RAM在一个封装中。
引脚配置
72球FBGA
指数
顶视图
1
A
B
C
D
E
F
G
H
NC
NC
2
NC
3
NC
A
16
4
A
11
A
8
5
A
15
A
10
T
1
T
2
6
A
14
A
9
7
A
13
8
A
12
9
F- GND
10
NC
DQ
7
DQ
5
11
NC
12
NC
DQ
15
S- WE
DQ
14
DQ
6
DQ
4
F- WE F- RY /
BY
S-A
17
DQ
13
T
4
GND F- RP
F- WP
DQ
12
S-CE
2
S-V
CC
F- V
CC
T
3
DQ
9
DQ
10
DQ
2
DQ
8
DQ
0
DQ
3
DQ
1
F- V
PP
F- á
19
DQ
11
NC
S- LB S- UB
S- OE
F- á
18
NC
NC
F- á
17
A
5
A
7
A
4
A
6
A
0
A
3
A
2
A
1
S-CE
1
NC
NC
NC
F- CE F- GND F- OE
注意：
所有的F - GND和S- GND引脚连接在电路板上。
两个NC引脚在拐角处相连。
LRS1331-1
图1. LRS1331引脚配置
数据表
1
LRS1331
表2.真值表
1
FL灰
读
输出禁用
写
SRAM
待机
待机
待机
读
待机
产量
关闭
写
读
RESET
产量
关闭
写
待机
RESET
待机
待机
F- CE
L
L
L
H
H
H
H
X
X
X
X
H
X
F- RP
H
H
H
H
H
H
H
L
L
L
L
H
L
F- OE
L
H
H
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
F- WE
H
H
L
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
L
L
L
L
L
L
L
L
H
H
H
H
H
H
H
H
见注4
S-CE
1
S-CE
2
S- OE
X
X
X
L
H
X
L
L
H
X
L
X
X
堆叠芯片（ 16M闪存& 4M SRAM ）
S- WE
X
X
X
H
H
X
L
H
H
X
L
X
X
S- LB
S- UB
DQ
0
-
DQ
7
DQ
8
-
DQ
15
笔记
2, 3
3
2, 3, 5, 6
D
OUT
见注4
高-Z
D
IN
见注7
X
H
X
H
高-Z
高-Z
见注7
X
H
X
H
高-Z
高-Z
见注7
见注4
高-Z
高-Z
3
3
见注4
注意事项：
1. L = V
IL
，H = V
IH
， X = H或L.参见直流特性。
2.请参考“闪存命令定义”部分有效
地址输入和D
IN
在写操作。
3. F- WP设定为V
IL
或V
IH
.
4. SRAM备份数据。请参阅表2a 。
表2a 。
模式
引脚
S-CE
1
H
待机
（ SRAM）的
X
X
S-CE
2
X
L
X
S- LB
X
X
H
S- UB
X
X
H
5.命令将涉及块擦除或字写的可靠
执行时， V
CCWH
（ 2.7 V至3.6 V）和F -V
CC
= 2.7 V至
3.6 V.块擦除或字写为F -V
CCW
＆ LT ; V
CCWH
（分）
产生虚假的结果，不应该尝试。
6.不要持有F- OE LOW和F -WE LOW在同一时间。
7. S- LB ， S- UB控制模式。看表2b 。
表2b 。
模式
（ SRAM）的
引脚
S- LB
L
读/写
L
H
S- UB
L
H
L
DQ
0
- DQ
7
D
OUT
/D
IN
D
OUT
/D
IN
高-Z
DQ
8
- DQ
15
D
OUT
/D
IN
高-Z
D
OUT
/D
IN
4
数据表
堆叠芯片（ 16M闪存& 4M SRAM ）
表3.命令定义为闪存
1
命令
读阵列/复位
读取识别码
读状态寄存器
清除状态寄存器
块擦除
整片擦除
字写
块擦除和Word
写暂停
块擦除和
写简历
设置块锁定位
清除块锁定位
设置永久锁定位
总线周期
需要
1
≥
2
2
1
2
2
2
1
1
2
2
2
第一总线周期
手术
2
写
写
写
写
写
写
写
写
写
写
写
写
地址
3
XA
XA
XA
XA
BA
XA
WA
XA
XA
BA
XA
XA
数据
3
FFH
90H
70H
50H
20H
30H
40H或10H
B0H
D0H
60H
60H
60H
写
写
写
BA
XA
XA
01H
D0H
F1H
写
写
写
BA
XA
WA
D0H
D0H
WD
读
读
IA
XA
ID
SRD
第二个总线周期
手术
2
地址
3
LRS1331
数据
3
笔记
4
5
5
5
5
6
6, 7
注意事项：
1.命令于其它同表中所示的是由夏普未来装置预留
实现，并且不应被使用。
2.总线的操作如表2规定。
3. XA =设备中的任何有效的地址;
IA =标识代码的地址;
块内的BA =地址被删除;
WA =地址的内存位置写入;
从状态寄存器中读取SRD =数据;
WD =要写入的数据在位置WA 。数据被锁存的
F- WE或F - CE （取云高头）的上升沿;
ID =数据从识别码读取。
4.请参见表4标识符代码。
5.见表5写保护的替代品。
6.如果永久锁定位被置位，设置块锁定位和清除块锁定位命令无法做到的。
7.明确块锁定位操作同时将清除所有的块锁定位。
表4.标识符代码
代码
生产代码
器件代码
锁座
CON组fi guration
永久船闸
CON组fi guration
块被解锁
块被锁定
设备解锁
设备被锁定
地址（A
0
- A
19
)
00000H
00001H
BA + 2
BA + 2
00003H
00003H
数据（ DQ
0
- DQ
7
)
1
B0H
E9H
DQ
0
= 0
DQ
0
= 1
DQ
0
= 0
DQ
0
= 1
2
2
笔记
注意事项：
1. DQ
8
- DQ
15
输出00H字模式。 DQ
1
- DQ
7
为将来使用保留。
2. BA选择特定的块锁的配置代码读取。见图3
该设备标识符代码的存储器映射。
数据表
5
