LM3812 / LM3813精密电流计IC，提供超低损耗感应元件和PWM
产量
1999年6月
LM3812/LM3813
精密电流计IC，提供超低损耗检测
元素和PWM输出
概述
该LM3812 / LM3813电流测量仪提供了易于使用的
高精度电流测量几乎零插入
损失（一般0.004Ω ） 。该LM3812是用于高侧
传感和LM3813用于低侧感测。
甲Σ-Δ模拟到数字转换器被结合到
精确地测量电流，以提供电流平均值
衰老的功能。目前是平均超过50毫秒的时间近郊
ODS ，以提供免疫电流尖峰。这些IC
有一个脉冲宽度调制（PWM）输出，表明
电流的大小和方向。关断引脚可以
可用于在启动过程中，以抑制假触发，或者进入
低静态电流模式。
该LM3812及LM3813的出厂设置在两个不同的电流
租金选项。在检测范围为-1A至+ 1A或-7A至+ 7A 。
采样间隔为这些部件为50ms 。如果快SAM-
耦是期望的，请参照数据表的一部分
数字LM3814和LM3815 。
关键的特定连接的阳离子
n
超低插入损耗（通常为0.004Ω ）
n
2V至5.25V电源电压范围
n
±
2 ％的精确度，在室温（包括准确性
内部感测元件） （ LM3812-1.0的，
LM3813-1.0)
n
在关断模式下低静态电流（典型
2.5 A)
n
50毫秒采样间隔
特点
n
无需外部感测元件
n
PWM输出指示当前的大小和
方向
n
PWM输出可与微处理器进行接口
n
精确
Σ
电流检测技术
n
低温感
n
内部过滤拒绝虚假游
n
内部上电复位（ POR ）
应用
n
n
n
n
电池的充电/放电仪
运动控制诊断
供电负荷监控和管理
自恢复保险丝智能
连接图
DS100122-1
DS100122-3
顶视图
LM3812
对于高端检测
顶视图
LM3813
低边检测
1999美国国家半导体公司
DS100122
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订购信息
订单号
#
LM3812M-1.0
LM3812MX-1.0
LM3812M-7.0
LM3812MX-7.0
LM3813M-1.0
LM3813MX-1.0
LM3813M-7.0
LM3813MX-7.0
#
SENSE
范围
采样
间隔
*
50毫秒
50毫秒
50毫秒
50毫秒
50毫秒
50毫秒
50毫秒
50毫秒
传感
法
高边
高边
高边
高边
低端
低端
低端
低端
NS
包
数
M08A
M08A
M08A
M08A
M08A
M08A
M08A
M08A
包
TYPE
SO-8
SO-8
SO-8
SO-8
SO-8
SO-8
SO-8
SO-8
提供如下：
95单位Rails中
2.5K单位在磁带和卷轴
95单位Rails中
2.5K单位在磁带和卷轴
95单位Rails中
2.5K单位在磁带和卷轴
95单位Rails中
2.5K单位在磁带和卷轴
±
1A
±
1A
±
7A
±
7A
±
1A
±
1A
±
7A
±
7A
后缀M表示该部分是在表面贴装封装。后缀X表示该部分是在2.5K单位提供
磁带和卷轴。
*
电流进行采样，在一个固定的时间间隔。此间隔期间的平均电流由PWM输出的占空比指示
在接下来的时间间隔。
包代码M08A是内部的国家半导体及显示的8引脚表面贴装封装， SO- 8 。
引脚说明（高边， LM3812 ）
针
1
2
3
4
5
6
7
8
感
FLTR +
FLTR-
SD
PWM
GND
GND
名字
SENSE + ，V
DD
内部电流检测偏低。
滤波器的输入 - 提供抗锯齿的Δ-Σ调制器。
滤波器的输入。
关断引脚。连接到V
DD
通过上拉电阻才能正常操作。
当低时，IC进入低电流模式（通常为3 μA） 。
PWM输出指示当前的大小和方向。
地
地
功能
内部电流检测偏高，还供应电压。
引脚说明（低端， LM3813 ）
针
1
2
3
4
5
6
7
8
感
FLTR +
FLTR-
SD
PWM
GND
V
DD
名字
SENSE + ， GND
内部电流检测偏低。
滤波器的输入 - 提供抗锯齿的Δ-Σ调制器。
滤波器的输入。
关断引脚。连接到V
DD
通过上拉电阻才能正常操作。
当低时，IC进入低电流模式（通常为3 μA） 。
PWM输出指示当前的大小和方向。
地
V
DD
（供应）
功能
内部电流检测偏高，也接地。
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2
绝对最大额定值
（注1 ）
如果是用于军事/航空航天特定网络版设备是必需的，
请向美国国家半导体销售办事处/
经销商咨询具体可用性和规格。
绝对最大电源电压
功耗
ESD易感性（注3 ）
感电流（峰值，为200毫秒）（注4）
灌电流PWM引脚
电压引脚5
5.5V
（注2 ）
1.5千伏
10A
1mA
5.25V
最高结温
储存温度
焊接温度（焊接， 10秒）
150C
-65 ° C至+ 150°C
260C
工作额定值
（注1 ）
输入电压
感应电流（连续） （注4 ）
结温范围
2.0V至5.25V
7A
-40 ° C至+ 125°C
电气特性
LM3812-1.0 ， LM3813-1.0
V
DD
= 5.0V为下列规格。电源旁路电容为1 μF和滤波电容为0.1 μF 。
符号
I
加
参数
平均电流精度
（注7 ）
条件
在0.9A电流
典型值
（注5 ）
0.9
0.882 /
0.864
0.918 /
0.936
e
n
有效的输出噪声（ RMS）
2
极限
（注6 ）
单位
A
A（最小值）
A（最大值）
mA
LM3812-7.0 ， LM3813-7.0
V
DD
= 5.0V为下列规格。电源旁路电容为1 μF和滤波电容为0.1 μF 。
符号
I
加
参数
平均电流精度
（注7 ）
有效的输出噪声（ RMS）
条件
在2.5A电流（注8 ）
典型值
（注5 ）
2.5
2.400 /
2.350
2.600 /
2.650
e
n
20
极限
（注6 ）
单位
A
A（最小值）
A（最大值）
mA
通用设备参数
除非另有规定ED ，V
DD
= 5.0V为下列规格。电源旁路电容为1 μF和滤波电容
0.1 F.
符号
I
Q1
I
Q2
D
水库
t
S
参数
静态电流
静态电流
PWM分辨率
采样时间
条件
正常模式， SD =高
关断模式， SD =低
典型值
（注5 ）
100
160
2.5
10
0.1
52
40
80
f
P
PWM波形的频率
20
12.5
25
V
TH
V
TL
门槛高的水平SD
门槛低级别的SD
1.2
1.8
1.3
0.7
极限
（注6 ）
单位
A
μA（最大值）
A
μA（最大值）
%
ms
毫秒（分钟）
毫秒（最大值）
Hz
赫兹（分钟）
HZ （MAX）
V
V（分钟）
V
V（最大值）
3
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通用设备参数
（续）
除非另有规定ED ，V
DD
= 5.0V为下列规格。电源旁路电容为1 μF和滤波电容
0.1 F.
符号
V
OH
V
OL
P
I
参数
逻辑高电平的PWM
逻辑低电平的PWM
插入损耗
条件
负载电流为1毫安， 2V
≤
V
DD
≤
5.25V
灌电流为1毫安， 2V
≤
V
DD
≤
5.25V
I
SENSE
= 1A （注9 ）
典型值
（注5 ）
V
DD
0.05
V
DD
0.2
0.04
0.2
0.004
极限
（注6 ）
单位
V
V（分钟）
V
V（最大值）
注1 ：
最大极限值是指超出这可能会损坏设备的限制。工作额定值表明该设备得到更好地条件
往往是功能性的，但不保证特定的性能极限。关于规范保证和测试环境，请参阅电气特性。该瓜尔
规格及担仅适用于列出的测试条件。一些性能特性可能会降低，当设备没有下所列出的测试操作
条件。
注2 ：
在高温下，设备必须基于封装的热电阻降额。在表面贴装封装的器件必须在被降级
θ
JA
= 150℃/ W（典型值） ，结点到环境。
注3 ：
人体模型是一个100pF的电容通过一个1.5 kΩ电阻向每个引脚放电。
注4 ：
指定的绝对最大峰值和持续的电流没有经过测试。这些规范是依赖于
θ
JA
，这是因为在S08中150°C / W的
封装。
注5 ：
典型值是在25℃，代表最可能的参数指标。规格标准型面为T
J
= 25℃，那些
粗体
TYPE
申请过
整个工作温度范围。
注6 ：
极限是100 ％的产品在25℃的测试。限制在工作温度范围内，通过使用统计质量控制保证
（ SQC ）方法。这些限制是用来计算美国国家半导体的平均出厂质量水平（ AOQL ） 。
注7 ：
有在精确度随时间的变化引起的热效应。请参阅“ PWM输出和电流精度”一节以获取更多信息。
注8 ：
PWM的精度LM3812-7.0和LM3813-7.0取决于铜区的下引脚1和2的量，以及布局。请参阅“ PWM
输出电流精度“一节以获取更多信息。
注9 ：
内部引线框架电阻器的容差是内部校正。此电阻器的温度系数为2600 PPM / C 。
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4
典型性能特性
测量电流与实际电流
（ LM3812-1.0和LM3813-1.0 ）
电源旁路电容为0.1 μF和滤波电容为0.1 μF 。
测量电流与实际电流
（ LM3812-7.0和LM3813-7.0 ）
DS100122-15
DS100122-24
PWM频率与电源电压
PWM频率与温度
DS100122-13
DS100122-16
工作电流与电源电压
关断电流与电源电压
DS100122-18
DS100122-19
5
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