LM136-2.5 / LM236-2.5 / LM336-2.5V参考二极管
1998年5月
LM136-2.5/LM236-2.5/LM336-2.5V
参考二极管
概述
该LM136-2.5 / LM236-2.5和LM336-2.5集成税务局局长
cuits是精密2.5V并联稳压二极管。这些
单片IC参考电压作为一个
低温度系数2.5V齐纳用0.2Ω动态
阻抗。在LM136-2.5第三终端允许REF-
erence电压和温度系数进行修整
很容易。
该LM136-2.5系列是作为一种精密的2.5V低电压有用
数字电压表，电源或运算的参考年龄
功放电路。在2.5V使它方便地得到稳定的
从5V逻辑电源的参考。另外，由于
LM136-2.5操作为并联稳压器，它可以用作
无论是正或负的参考电压。
该LM136-2.5的额定工作在-55℃ + 125℃
而LM236-2.5的额定过-25℃至+ 85°C温
温度范围内。
该LM336-2.5的额定工作超过0°C至+ 70°C
温度范围。请参阅可用的连接图
能包。
特点
n
n
n
n
n
n
n
n
低温COEF网络cient
400 μA宽工作电流10 mA的
0.2Ω的动态阻抗
±
1 ％的初始容差可用
保证温度稳定性
轻松修剪的最低温度漂移
快速开启
三铅晶体管封装
连接图
TO-92
塑料包装
TO-46
金属罐包装
DS005715-8
底部视图
订单号LM236Z - 2.5 ，
LM236AZ - 2.5 ， LM336Z - 2.5或LM336BZ -2.5
见NS包装数Z03A
DS005715-20
底部视图
订单编号LM136H - 2.5 ，
LM136H - 2.5 / 883 ， LM236H -2.5 ，
LM136AH - 2.5 ， LM136AH - 2.5 / 883
或LM236AH -2.5
见NS包装数H03H
1999美国国家半导体公司
DS005715
www.national.com
连接图
（续）
SO封装
DS005715-12
顶视图
订单号LM236M - 2.5 ，
LM236AM - 2.5 ， LM336M -2.5
或LM336BM -2.5
见NS包装数M08A
典型应用
2.5V参考
以最小的2.5V参考
温度COEF网络cient
宽输入范围参考
DS005715-9
DS005715-11
DS005715-10
调整到2.490V
*
任何硅信号二极管
www.national.com
2
绝对最大额定值
（注1 ）
如果是用于军事/航空航天特定网络版设备是必需的，
请向美国国家半导体销售办事处/
经销商咨询具体可用性和规格。
反向电流
正向电流
储存温度
15毫安
10毫安
-60℃到+ 150°C
工作温度范围（注2 ）
LM136
-55 ° C至+ 150°C
LM236
-25 ° C至+ 85°C
LM336
0 ° C至+ 70°C
焊接信息
TO- 92封装（ 10秒）
260C
TO-46封装（ 10秒）
300C
SO封装
气相（ 60秒）
215C
红外（15秒）。
220C
见AN- 450“表面贴装方法及其影响
对产品可靠性“ （附录D ）的其它方法
焊接表面贴装器件。
电气特性
（注3）
LM136A-2.5/LM236A-2.5
参数
反向击穿电压
条件
T
A
= 25 ° C，I
R
= 1毫安
LM136 ， LM236 ， LM336
反向击穿变化
与当前
反向动态阻抗
温度稳定性
（注4 ）
LM136A ， LM236A ， LM336B
T
A
= 25C,
400 μA≤I
R
≤10
mA
T
A
= 25 ° C，I
R
= 1毫安， F = 100赫兹
V
R
调整到2.490V
I
R
= 1毫安，
图2
0C≤T
A
≤70C
(LM336)
25C≤T
A
≤+85C
（ LM236H ， LM236Z ）
25C
≤
T
A
≤
+ 85℃（ LM236M ）
55C≤T
A
≤+125C
(LM136)
反向击穿变化
与当前
反向动态阻抗
长期稳定性
I
R
= 1毫安
T
A
= 25C
±
0.1C ，我
R
= 1毫安，
T = 1000小时
0.4
20
1
0.4
20
1.4
PPM
400 μA≤I
R
≤10
mA
7.5
12
3
18
18
10
3
12
mV
mV
mV
3.5
9
1.8
6
mV
mV
2.440
2.465
2.490
2.490
2.6
0.2
2.540
2.515
6
0.6
2.390
2.440
2.490
2.490
2.6
0.2
2.590
2.540
10
1
V
V
mV
LM136-2.5/LM236-2.5
民
典型值
最大
民
LM336B-2.5
LM336-2.5
典型值
最大
单位
注1 ：
绝对最大额定值指示超出这可能会损坏设备的限制。操作设备时的电气规范不适用
超出规定的操作条件。
注2 ：
对于高温下操作，T
j
max是：
LM136
LM236
LM336
150C
125C
100C
热阻
θ
ja
（结到环境）
θ
ja
（结点到外壳）
TO-92
180C / W（ 0.4"线索）
170℃ / W（ 0.125"铅）
不适用
TO-46
440C/W
80C/W
SO-8
165C/W
不适用
注3 ：
除非另有规定， LM136-2.5从-55指定
≤
T
A
≤
+ 125C ，从LM236-2.5 -25C
≤
T
A
≤
+ 85℃，在0℃的LM336-2.5
≤
T
A
≤
+70C.
注4 ：
温度稳定性为LM336和LM236系列为设计保证。设计极限，保证（但不是100 ％生产测试）在在 -
dicated温度和电源电压范围。这些限制不用于计算呼出的质量水平。稳定性定义为在V中的最大变化
REF
从
25℃至T
A
（分钟）或T
A
（最大值）。
3
www.national.com
应用提示
该LM136系列电压基准更容易使用
比普通的齐纳二极管。它们的低阻抗和宽
工作电流范围可简化偏置在几乎任何电路。
此外，无论是击穿电压或温度共聚
效率可以调节，以优化电路性能。
图1
显示了一个10K的电位器AD-的LM136
justing的反向击穿电压。用加入了
R1中的击穿电压可以在不影响被调整
器件的温度系数。调整
范围通常是足够的，以调整为初始设备
容忍和缓冲电路的误差。
如果最低温度系数是理想的，两个二极管
可以串联附加了调整电位为
所示
图2中。
当该装置被调节到2.490V
的温度系数最小化。几乎所有的硅
信号二极管可以被用于此目的，如1N914 ，
1N4148或1N457 。对于适当的温度补偿
二极管应该在相同的热环境如
该LM136 。它通常是足够的安装二极管附近
在印刷电路板上的LM136 。绝对电阻
R1的距离受到不严格，从2k内， 20k的任何值将
工作。
DS005715-28
图1： LM136用锅的调整
击穿电压
（调整范围=
±
120 mV的典型值）
DS005715-29
图2.温度系数调整
（调整范围=
±
70 mV的典型值）
低成本2安培开关稳压器
DS005715-5
*
L1
60转
#16
电线上的阿诺德核心A- 254168-2
效率
≈
80%
5
www.national.com
LM136-2.5 / LM236-2.5 / LM336-2.5V参考二极管
1998年5月
LM136-2.5/LM236-2.5/LM336-2.5V
参考二极管
概述
该LM136-2.5 / LM236-2.5和LM336-2.5集成税务局局长
cuits是精密2.5V并联稳压二极管。这些
单片IC参考电压作为一个
低温度系数2.5V齐纳用0.2Ω动态
阻抗。在LM136-2.5第三终端允许REF-
erence电压和温度系数进行修整
很容易。
该LM136-2.5系列是作为一种精密的2.5V低电压有用
数字电压表，电源或运算的参考年龄
功放电路。在2.5V使它方便地得到稳定的
从5V逻辑电源的参考。另外，由于
LM136-2.5操作为并联稳压器，它可以用作
无论是正或负的参考电压。
该LM136-2.5的额定工作在-55℃ + 125℃
而LM236-2.5的额定过-25℃至+ 85°C温
温度范围内。
该LM336-2.5的额定工作超过0°C至+ 70°C
温度范围。请参阅可用的连接图
能包。
特点
n
n
n
n
n
n
n
n
低温COEF网络cient
400 μA宽工作电流10 mA的
0.2Ω的动态阻抗
±
1 ％的初始容差可用
保证温度稳定性
轻松修剪的最低温度漂移
快速开启
三铅晶体管封装
连接图
TO-92
塑料包装
TO-46
金属罐包装
DS005715-8
底部视图
订单号LM236Z - 2.5 ，
LM236AZ - 2.5 ， LM336Z - 2.5或LM336BZ -2.5
见NS包装数Z03A
DS005715-20
底部视图
订单编号LM136H - 2.5 ，
LM136H - 2.5 / 883 ， LM236H -2.5 ，
LM136AH - 2.5 ， LM136AH - 2.5 / 883
或LM236AH -2.5
见NS包装数H03H
1999美国国家半导体公司
DS005715
www.national.com
连接图
（续）
SO封装
DS005715-12
顶视图
订单号LM236M - 2.5 ，
LM236AM - 2.5 ， LM336M -2.5
或LM336BM -2.5
见NS包装数M08A
典型应用
2.5V参考
以最小的2.5V参考
温度COEF网络cient
宽输入范围参考
DS005715-9
DS005715-11
DS005715-10
调整到2.490V
*
任何硅信号二极管
www.national.com
2
绝对最大额定值
（注1 ）
如果是用于军事/航空航天特定网络版设备是必需的，
请向美国国家半导体销售办事处/
经销商咨询具体可用性和规格。
反向电流
正向电流
储存温度
15毫安
10毫安
-60℃到+ 150°C
工作温度范围（注2 ）
LM136
-55 ° C至+ 150°C
LM236
-25 ° C至+ 85°C
LM336
0 ° C至+ 70°C
焊接信息
TO- 92封装（ 10秒）
260C
TO-46封装（ 10秒）
300C
SO封装
气相（ 60秒）
215C
红外（15秒）。
220C
见AN- 450“表面贴装方法及其影响
对产品可靠性“ （附录D ）的其它方法
焊接表面贴装器件。
电气特性
（注3）
LM136A-2.5/LM236A-2.5
参数
反向击穿电压
条件
T
A
= 25 ° C，I
R
= 1毫安
LM136 ， LM236 ， LM336
反向击穿变化
与当前
反向动态阻抗
温度稳定性
（注4 ）
LM136A ， LM236A ， LM336B
T
A
= 25C,
400 μA≤I
R
≤10
mA
T
A
= 25 ° C，I
R
= 1毫安， F = 100赫兹
V
R
调整到2.490V
I
R
= 1毫安，
图2
0C≤T
A
≤70C
(LM336)
25C≤T
A
≤+85C
（ LM236H ， LM236Z ）
25C
≤
T
A
≤
+ 85℃（ LM236M ）
55C≤T
A
≤+125C
(LM136)
反向击穿变化
与当前
反向动态阻抗
长期稳定性
I
R
= 1毫安
T
A
= 25C
±
0.1C ，我
R
= 1毫安，
T = 1000小时
0.4
20
1
0.4
20
1.4
PPM
400 μA≤I
R
≤10
mA
7.5
12
3
18
18
10
3
12
mV
mV
mV
3.5
9
1.8
6
mV
mV
2.440
2.465
2.490
2.490
2.6
0.2
2.540
2.515
6
0.6
2.390
2.440
2.490
2.490
2.6
0.2
2.590
2.540
10
1
V
V
mV
LM136-2.5/LM236-2.5
民
典型值
最大
民
LM336B-2.5
LM336-2.5
典型值
最大
单位
注1 ：
绝对最大额定值指示超出这可能会损坏设备的限制。操作设备时的电气规范不适用
超出规定的操作条件。
注2 ：
对于高温下操作，T
j
max是：
LM136
LM236
LM336
150C
125C
100C
热阻
θ
ja
（结到环境）
θ
ja
（结点到外壳）
TO-92
180C / W（ 0.4"线索）
170℃ / W（ 0.125"铅）
不适用
TO-46
440C/W
80C/W
SO-8
165C/W
不适用
注3 ：
除非另有规定， LM136-2.5从-55指定
≤
T
A
≤
+ 125C ，从LM236-2.5 -25C
≤
T
A
≤
+ 85℃，在0℃的LM336-2.5
≤
T
A
≤
+70C.
注4 ：
温度稳定性为LM336和LM236系列为设计保证。设计极限，保证（但不是100 ％生产测试）在在 -
dicated温度和电源电压范围。这些限制不用于计算呼出的质量水平。稳定性定义为在V中的最大变化
REF
从
25℃至T
A
（分钟）或T
A
（最大值）。
3
www.national.com
应用提示
该LM136系列电压基准更容易使用
比普通的齐纳二极管。它们的低阻抗和宽
工作电流范围可简化偏置在几乎任何电路。
此外，无论是击穿电压或温度共聚
效率可以调节，以优化电路性能。
图1
显示了一个10K的电位器AD-的LM136
justing的反向击穿电压。用加入了
R1中的击穿电压可以在不影响被调整
器件的温度系数。调整
范围通常是足够的，以调整为初始设备
容忍和缓冲电路的误差。
如果最低温度系数是理想的，两个二极管
可以串联附加了调整电位为
所示
图2中。
当该装置被调节到2.490V
的温度系数最小化。几乎所有的硅
信号二极管可以被用于此目的，如1N914 ，
1N4148或1N457 。对于适当的温度补偿
二极管应该在相同的热环境如
该LM136 。它通常是足够的安装二极管附近
在印刷电路板上的LM136 。绝对电阻
R1的距离受到不严格，从2k内， 20k的任何值将
工作。
DS005715-28
图1： LM136用锅的调整
击穿电压
（调整范围=
±
120 mV的典型值）
DS005715-29
图2.温度系数调整
（调整范围=
±
70 mV的典型值）
低成本2安培开关稳压器
DS005715-5
*
L1
60转
#16
电线上的阿诺德核心A- 254168-2
效率
≈
80%
5
www.national.com
LM136-2.5 / LM236-2.5 / LM336-2.5V参考二极管
1998年5月
LM136-2.5/LM236-2.5/LM336-2.5V
参考二极管
概述
该LM136-2.5 / LM236-2.5和LM336-2.5集成税务局局长
cuits是精密2.5V并联稳压二极管。这些
单片IC参考电压作为一个
低温度系数2.5V齐纳用0.2Ω动态
阻抗。在LM136-2.5第三终端允许REF-
erence电压和温度系数进行修整
很容易。
该LM136-2.5系列是作为一种精密的2.5V低电压有用
数字电压表，电源或运算的参考年龄
功放电路。在2.5V使它方便地得到稳定的
从5V逻辑电源的参考。另外，由于
LM136-2.5操作为并联稳压器，它可以用作
无论是正或负的参考电压。
该LM136-2.5的额定工作在-55℃ + 125℃
而LM236-2.5的额定过-25℃至+ 85°C温
温度范围内。
该LM336-2.5的额定工作超过0°C至+ 70°C
温度范围。请参阅可用的连接图
能包。
特点
n
n
n
n
n
n
n
n
低温COEF网络cient
400 μA宽工作电流10 mA的
0.2Ω的动态阻抗
±
1 ％的初始容差可用
保证温度稳定性
轻松修剪的最低温度漂移
快速开启
三铅晶体管封装
连接图
TO-92
塑料包装
TO-46
金属罐包装
DS005715-8
底部视图
订单号LM236Z - 2.5 ，
LM236AZ - 2.5 ， LM336Z - 2.5或LM336BZ -2.5
见NS包装数Z03A
DS005715-20
底部视图
订单编号LM136H - 2.5 ，
LM136H - 2.5 / 883 ， LM236H -2.5 ，
LM136AH - 2.5 ， LM136AH - 2.5 / 883
或LM236AH -2.5
见NS包装数H03H
1999美国国家半导体公司
DS005715
www.national.com
连接图
（续）
SO封装
DS005715-12
顶视图
订单号LM236M - 2.5 ，
LM236AM - 2.5 ， LM336M -2.5
或LM336BM -2.5
见NS包装数M08A
典型应用
2.5V参考
以最小的2.5V参考
温度COEF网络cient
宽输入范围参考
DS005715-9
DS005715-11
DS005715-10
调整到2.490V
*
任何硅信号二极管
www.national.com
2
绝对最大额定值
（注1 ）
如果是用于军事/航空航天特定网络版设备是必需的，
请向美国国家半导体销售办事处/
经销商咨询具体可用性和规格。
反向电流
正向电流
储存温度
15毫安
10毫安
-60℃到+ 150°C
工作温度范围（注2 ）
LM136
-55 ° C至+ 150°C
LM236
-25 ° C至+ 85°C
LM336
0 ° C至+ 70°C
焊接信息
TO- 92封装（ 10秒）
260C
TO-46封装（ 10秒）
300C
SO封装
气相（ 60秒）
215C
红外（15秒）。
220C
见AN- 450“表面贴装方法及其影响
对产品可靠性“ （附录D ）的其它方法
焊接表面贴装器件。
电气特性
（注3）
LM136A-2.5/LM236A-2.5
参数
反向击穿电压
条件
T
A
= 25 ° C，I
R
= 1毫安
LM136 ， LM236 ， LM336
反向击穿变化
与当前
反向动态阻抗
温度稳定性
（注4 ）
LM136A ， LM236A ， LM336B
T
A
= 25C,
400 μA≤I
R
≤10
mA
T
A
= 25 ° C，I
R
= 1毫安， F = 100赫兹
V
R
调整到2.490V
I
R
= 1毫安，
图2
0C≤T
A
≤70C
(LM336)
25C≤T
A
≤+85C
（ LM236H ， LM236Z ）
25C
≤
T
A
≤
+ 85℃（ LM236M ）
55C≤T
A
≤+125C
(LM136)
反向击穿变化
与当前
反向动态阻抗
长期稳定性
I
R
= 1毫安
T
A
= 25C
±
0.1C ，我
R
= 1毫安，
T = 1000小时
0.4
20
1
0.4
20
1.4
PPM
400 μA≤I
R
≤10
mA
7.5
12
3
18
18
10
3
12
mV
mV
mV
3.5
9
1.8
6
mV
mV
2.440
2.465
2.490
2.490
2.6
0.2
2.540
2.515
6
0.6
2.390
2.440
2.490
2.490
2.6
0.2
2.590
2.540
10
1
V
V
mV
LM136-2.5/LM236-2.5
民
典型值
最大
民
LM336B-2.5
LM336-2.5
典型值
最大
单位
注1 ：
绝对最大额定值指示超出这可能会损坏设备的限制。操作设备时的电气规范不适用
超出规定的操作条件。
注2 ：
对于高温下操作，T
j
max是：
LM136
LM236
LM336
150C
125C
100C
热阻
θ
ja
（结到环境）
θ
ja
（结点到外壳）
TO-92
180C / W（ 0.4"线索）
170℃ / W（ 0.125"铅）
不适用
TO-46
440C/W
80C/W
SO-8
165C/W
不适用
注3 ：
除非另有规定， LM136-2.5从-55指定
≤
T
A
≤
+ 125C ，从LM236-2.5 -25C
≤
T
A
≤
+ 85℃，在0℃的LM336-2.5
≤
T
A
≤
+70C.
注4 ：
温度稳定性为LM336和LM236系列为设计保证。设计极限，保证（但不是100 ％生产测试）在在 -
dicated温度和电源电压范围。这些限制不用于计算呼出的质量水平。稳定性定义为在V中的最大变化
REF
从
25℃至T
A
（分钟）或T
A
（最大值）。
3
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应用提示
该LM136系列电压基准更容易使用
比普通的齐纳二极管。它们的低阻抗和宽
工作电流范围可简化偏置在几乎任何电路。
此外，无论是击穿电压或温度共聚
效率可以调节，以优化电路性能。
图1
显示了一个10K的电位器AD-的LM136
justing的反向击穿电压。用加入了
R1中的击穿电压可以在不影响被调整
器件的温度系数。调整
范围通常是足够的，以调整为初始设备
容忍和缓冲电路的误差。
如果最低温度系数是理想的，两个二极管
可以串联附加了调整电位为
所示
图2中。
当该装置被调节到2.490V
的温度系数最小化。几乎所有的硅
信号二极管可以被用于此目的，如1N914 ，
1N4148或1N457 。对于适当的温度补偿
二极管应该在相同的热环境如
该LM136 。它通常是足够的安装二极管附近
在印刷电路板上的LM136 。绝对电阻
R1的距离受到不严格，从2k内， 20k的任何值将
工作。
DS005715-28
图1： LM136用锅的调整
击穿电压
（调整范围=
±
120 mV的典型值）
DS005715-29
图2.温度系数调整
（调整范围=
±
70 mV的典型值）
低成本2安培开关稳压器
DS005715-5
*
L1
60转
#16
电线上的阿诺德核心A- 254168-2
效率
≈
80%
5
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LM136-2.5,LM236-2.5,LM336-2.5
LM136-2.5 / LM236-2.5 / LM336-2.5V参考二极管
文献编号： SNVS749D
LM136-2.5 / LM236-2.5 / LM336-2.5V参考二极管
2005年6月
LM136-2.5/LM236-2.5/LM336-2.5V
参考二极管
概述
该LM136-2.5 / LM236-2.5和LM336-2.5集成税务局局长
cuits是精密2.5V并联稳压二极管。这些
单片IC参考电压作为一个低
温度系数2.5V稳压用0.2Ω的动态im-
pedance 。在LM136-2.5第三终端允许为参考
ENCE电压和温度系数进行修整
很容易。
该LM136-2.5系列是作为精密2.5V低有用
数字电压表，电源或运算基准电压源
功放电路。在2.5V使它方便地得到稳定的
从5V逻辑电源的参考。另外，由于LM136-
2.5操作为并联稳压器，它可以被用作一
正或负的参考电压。
该LM136-2.5的额定工作在-55℃ + 125℃
而LM236-2.5的额定过-25℃至+ 85°C温
温度范围内。
该LM336-2.5的额定工作超过0°C至+ 70°C
温度范围。请参阅可用的连接图
能包。
特点
n
n
n
n
n
n
n
低温COEF网络cient
400 μA宽工作电流10 mA的
0.2Ω的动态阻抗
±
1 ％的初始容差可用
保证温度稳定性
轻松修剪的最低温度漂移
快速开启
连接图
TO-92
塑料包装
SO封装
00571508
底部视图
订单号LM336Z - 2.5或LM336BZ -2.5
见NS包装数Z03A
00571512
TO-46
金属罐包装
顶视图
订单号LM236M - 2.5 ，
LM236AM - 2.5 ， LM336M -2.5
或LM336BM -2.5
见NS包装数M08A
00571520
底部视图
订单编号LM136H - 2.5 ，
LM136H - 2.5 / 883 ， LM236H -2.5 ，
或LM236AH -2.5
见NS包装数H03H
2005美国国家半导体公司
DS005715
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LM136-2.5/LM236-2.5/LM336-2.5V
典型应用
2.5V参考
宽输入范围参考
00571509
以最小的2.5V参考
温度COEF网络cient
00571511
00571510
调整到2.490V
*
任何硅信号二极管
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2
LM136-2.5/LM236-2.5/LM336-2.5V
绝对最大额定值
（注1 ）
如果是用于军事/航空航天特定网络版设备是必需的，
请向美国国家半导体销售办事处/
经销商咨询具体可用性和规格。
反向电流
正向电流
储存温度
工作温度范围（注2 ）
LM136
LM236
-55 ° C至+ 150°C
-25 ° C至+ 85°C
15毫安
10毫安
-60℃到+ 150°C
LM336
焊接信息
TO- 92封装（ 10秒）
TO-46封装（ 10秒）
SO封装
气相（ 60秒）
红外（15秒）。
0 ° C至+ 70°C
260C
300C
215C
220C
见AN- 450“表面贴装方法及其影响
对产品可靠性“ （附录D ）的其它方法
焊接表面贴装器件。
电气特性
（注3）
LM136A-2.5/LM236A-2.5
参数
反向击穿
电压
条件
T
A
= 25 ° C，I
R
= 1毫安
LM136 ， LM236 ， LM336
LM136A ， LM236A ， LM336B
反向击穿
变化
与当前
反向动态
阻抗
温度稳定性
（注4 ）
T
A
=25C,
400 μA≤I
R
≤10
mA
T
A
= 25 ° C，I
R
= 1毫安， F = 100赫兹
V
R
调整到2.490V
I
R
= 1毫安，
图2
0C≤T
A
≤70C
(LM336)
25C≤T
A
≤+85C
（ LM236H ， LM236Z ）
25C
≤
T
A
≤
+ 85℃（ LM236M ）
55C≤T
A
≤+125C
(LM136)
反向击穿
变化
与当前
反向动态
阻抗
长期稳定性
I
R
= 1毫安
T
A
=25C
±
0.1C ，我
R
= 1毫安，
T = 1000小时
注1 ：
绝对最大额定值指示超出这可能会损坏设备的限制。操作设备时的电气规范不适用
超出规定的操作条件。
注2 ：
对于高温下操作，T
j
max是：
LM336B-2.5
LM336-2.5
民
典型值
最大
单位
LM136-2.5/LM236-2.5
民
典型值
最大
2.440
2.465
2.490 2.540
2.490 2.515
2.6
6
2.390
2.440
2.490 2.590
2.490 2.540
2.6
10
V
V
mV
0.2
0.6
0.2
1
1.8
3.5
7.5
12
3
9
18
18
10
3
6
mV
mV
mV
mV
400 μA≤I
R
≤10
mA
12
mV
0.4
20
1
0.4
20
1.4
PPM
LM136
LM236
LM336
热阻
θ
ja
（结到环境）
θ
ja
（结点到外壳）
150C
125C
100C
TO-92
180C / W（ 0.4"线索）
170℃ / W（ 0.125"铅）
不适用
80C/W
不适用
TO-46
440C/W
SO-8
165C/W
3
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LM136-2.5/LM236-2.5/LM336-2.5V
电气特性
（注3）
（续）
注3 ：
除非另有规定， LM136-2.5从-55指定
≤
T
A
≤
+ 125C ，从LM236-2.5 -25C
≤
T
A
≤
+ 85℃，在0℃的LM336-2.5
≤
T
A
≤
+70C.
注4 ：
温度稳定性为LM336和LM236系列为设计保证。设计极限，保证（但不是100 ％生产测试）在
表示温度和电源电压范围。这些限制不用于计算呼出的质量水平。稳定性定义为在V中的最大变化
REF
从25℃至T
A
（分钟）或T
A
（最大值）。
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4
QQ：2880707522 复制
