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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符L型号页 > 首字符L的型号第756页 > LH5P860N-80
LH5P860
特点
65,536
×
8位组织
访问时间： 80纳秒（ MAX 。 ）
周期时间： 140纳秒（ MIN 。 ）
采用+5 V单电源
针用1M的标准SRAM兼容
功耗（最大） ：
操作： 440毫瓦
自刷新（ TTL电平） ： 5.5毫瓦
自刷新（ CMOS电平） ： 2.75毫瓦
TTL兼容的I / O
512刷新周期/ 8毫秒（MAX 。 ）
可用于自动刷新和自刷新
模式
包：
32针， 600密耳DIP
32针， 525密耳的SOP
CMOS 512K （ 64K
×
8 ）伪静态RAM
描述
该LH5P860是512K位的伪静态RAM或 -
ganized为65,536
×
8位。它是使用sili-制造
CON-栅CMOS工艺技术。凭借其内置的
振荡器，它很容易刷新存储器没有
外部时钟。
引脚连接
32引脚DIP
32引脚SOP
RFSH
NC
A
14
A
12
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
I / O
0
I / O
1
I / O
2
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
V
CC
A
15
CE
2
读/写
A
13
A
8
A
9
A
11
OE
A
10
CE
1
I / O
7
I / O
6
I / O
5
I / O
4
I / O
3
5P860-1
顶视图
对于DIP图1.引脚连接和
SOP封装
1
LH5P860
CMOS 512K （ 64K
×
8 ）伪静态RAM
16 GND
32 V
CC
A
0
12
A
1
11
A
2
10
A
3
9
A
4
8
A
5
7
A
6
A
7
A
8
A
9
6
5
27
26
ROW
地址
A
0
- A
8
卜FF器
SENSE
安培
I / O
选择器
数据
IN
卜FF器
13 I / O
0
14
15
17
18
I / O
1
I / O
2
I / O
3
I / O
4
A
9
- A
15
COLUMN
地址
卜FF器
V
BB
发电机
COLUMN
解码器
A
10
23
A
11
25
A
12
4
A
13
28
A
14
3
A
15
31
刷新
地址
计数器
EXT / INT
地址
MUX
ROW
解码器
内存
ARRAY
512 K
19 I / O
5
20 I / O
6
数据
OUT
卜FF器
21 I / O
7
CE
1
22
CE
2
30
时钟
发电机
刷新
调节器
RFSH 1
OE 24
R / W 29
刷新
定时器
5P860-2
图2. LH5P860框图
引脚说明
信号
引脚名称
信号
引脚名称
A
0
- A
15
读/写
OE
RFSH
CE
1
，CE
2
地址输入
读/写输入
输出使能输入
刷新输入
芯片使能输入
I / O
0
- I / O
7
V
CC
GND
NC
数据输入/输出
电源
地
无连接
2
CMOS 512K （ 64K
×
8 ）伪静态RAM
LH5P860
绝对最大额定值
参数
符号
等级
单位
记
所有引脚施加的电压
输出短路电流
功耗
工作温度
储存温度
V
T
I
O
P
D
TOPR
TSTG
-1.0到+7.0
50
600
0至+70
-65到+150
V
mA
mW
°C
°C
1
注意：
1.相对于GND的任何引脚上的最大适用电压。
推荐工作条件（T
A
= 0至+ 70 ° C）
参数
符号
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
电源电压
输入电压
V
CC
GND
V
IH
V
IL
4.5
0
2.4
–1.0
5.0
0
5.5
0
V
CC
+ 0.3
0.8
V
V
V
V
电容（T
A
= 0至+ 70 ° C，F = 1MHz时， V
CC
= 5.0 V
±10%)
参数
条件
符号
分钟。
马克斯。
单位
A
0
– A
15
输入电容
输入/输出电容
R / W ， OE ， RFSH
CE
1
，CE
2
I / O
0
- I / O
7
C
IN1
C
IN2
C
IN3
C
OUT1
8
5
5
10
pF
pF
pF
pF
直流特性（T
A
= 0至+ 70℃ ，V
CC
= 5.0 V
±10%)
参数
符号
条件
分钟。
马克斯。
单位
记
平均电源电流IN
正常工作
在电源电流
待机模式
平均电源电流IN
自刷新周期
输入漏电流
I / O漏电流
输出高电压
输出低电压
I
CC1
I
CC2
I
CC3
I
LI
I
LO
V
OH
V
OL
TTL输入
CMOS输入
TTL输入
CMOS输入
0 V
≤
V
IN
≤
6.5 V,
0 V除了在测试引脚
0 V
≤
V
OUT
≤
V
CC
+ 0.3 V,
在高阻抗输出
状态
I
OUT
= -1.0毫安
I
OUT
= 4.0毫安
–10
–10
2.4
80
1.0
0.5
1.0
0.5
10
10
mA
mA
mA
A
A
V
1, 2
1, 3
1, 4
1, 5
1, 6
0.4
V
注意事项：
1.指定的值与输出打开。
2. I
CC1
取决于循环时间。
3. CE
1
= V
IH
， RFSH = V
IH
.
4. CE
1
= V
CC
- 0.2 V ， RFSH = V
CC
– 0.2 V.
5. CE
1
= V
IH
， RFSH = V
IL
.
6. CE
1
= V
CC
- 0.2 V ， RFSH = 0.2 V.
3
LH5P860
CMOS 512K （ 64K
×
8 ）伪静态RAM
AC特性
1, 2, 3
(T
A
= 0至+ 70℃ ，V
CC
= 5.0 V
±10%)
参数
符号
分钟。
马克斯。
单位
记
随机读取，写入周期时间
读 - 修改 - 写周期时间
CE脉冲宽度
CE预充电时间
地址建立时间
地址保持时间
READ命令设置时间
读命令保持时间
CE访问时间
OE访问时间
输出使能的CE时间
输出使能，从OE时间
输出使从R / W时间
从CE输出禁止时间
从OE输出禁止时间
从R / W输出魔鬼时间
OE建立时间
OE保持时间
WRITE命令的脉冲宽度
写命令设置时间
写命令保持时间
从R / W数据建立时间
从CE数据建立时间
从读/写数据保持时间
数据保持时间从CE
转换时间（上升和下降）
刷新时间间隔
刷新命令保持时间
自动刷新周期时间
从CE刷新延迟时间
刷新脉冲宽度（自动刷新）
刷新预充电时间（自动刷新）
刷新脉冲宽度（自刷新）
自刷新预充电CE延迟时间（自刷新）
注意事项：
1.为了初始化电路， 100一个初始化暂停
s
同
CE
1
= V
IH
， RFSH = V
IH
（或CE
2
= V
IL
， RFSH = V
IH
）是必须的
上电后，接着至少8虚设周期。
2.交流特性在t测
T
= 5纳秒。
3.交流特性是在以下条件下测得的（见
右图） ：
4.地址被锁存在CE的下降沿
1
或者在正
CE的边缘
2
.
5.测量带负荷相当于2TTL + 100 pF的。
6.数据被锁存在R / W的上升沿，在上升沿
CE认证
1
或在CE的下降沿
2
.
t
RC
t
RMW
t
CE
t
P
t
AS
t
AH
t
RCS
t
RCH
t
CEA
t
OEA
t
CLZ
t
OLZ
t
WLZ
t
CHZ
t
OHZ
t
WHZ
t
OES
t
OEH
t
WP
t
WCS
t
WCH
t
DSW
t
DSC
t
DHW
t
DHC
t
T
t
REF
t
RHC
t
FC
t
RFD
t
FAP
t
FP
t
FAS
t
FRS
140
205
80
50
0
20
0
0
80
30
20
0
0
25
25
25
10
10
30
30
50
30
30
0
0
3
15
130
50
30
30
8,000
160
8,000
35
8
10,000
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ms
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
6
6
6
6
5
5
4
4
输入
2.4 V
0.8 V
2.6 V
0.6 V
2.2 V
0.8 V
产量
5P860-12
图3. AC特性
4
CMOS 512K （ 64K
×
8 ）伪静态RAM
LH5P860
t
RC
t
P
V
IH
CE
1
V
IL
V
IH
CE
2
V
IL
t
AS
V
IH
A
0
- A
15
V
IL
V
IH
OE V
IL
t
RCS
V
IH
R / W V
IL
t
OEA
t
CEA
t
OLZ
t
CLZ
V
OH
I / O
0
- I / O
7
V
OL
t
FP
t
FRS
V
IH
RFSH V
IL
t
RHC
t
RFD
t
OHZ
t
CHZ
t
RCH
t
AH
t
CE
地址
输入
有效数据
产量
注意：
操作可能只使用CE
2
（ CE
1
）通过固定CE
1
到LOW （CE
2
到高） 。
5P860-3
图4.读周期
5
查看更多LH5P860N-80PDF信息
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LD48-12-310
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