CMOS 2M MROM
LH532100B
A
17
30
A
16
A
15
A
14
A
13
2
3
29
28
地址译码器
地址缓冲器
A
12
4
A
11
25
A
10
23
A
9
A
8
A
7
A
6
26
27
5
6
内存
矩阵
(262,144 x 8)
A
5
7
A
4
8
A
3
9
A
2
10
A
1
11
A
0
12
列选择
检测放大器
CE / CE 22
CE
卜FF器
定时
发电机
输出缓冲器
OE / OE 24
OE
1
/ OE
1
/ DC 1
OE
卜FF器
32
16
V
CC
GND
注意：
引脚数适用于32引脚DIP ， SOP ， QFJ ，或TSOP （ II型） 。
13
D
0
14
D
1
15
D
2
17
D
3
18
D
4
19
D
5
20
D
6
21
D
7
532100B-4
图5. LH532100B框图
引脚说明
信号
引脚名称
记
信号
引脚名称
记
A
0
– A
17
D
0
– D
7
CE
OE / OE
地址输入
数据输出
芯片使能输入
输出使能输入
1
OE
1
/ OE
1
/ DC
V
CC
GND
输出使能输入/
不在乎连接
电源（ + 5V）
地
1
注意：
OE / OE和OE 1.活动水平
1
/ OE
1
/ DC是掩膜可编程。
选择直流允许输出是活动的施加到该引脚高和低的水平。
建议应用任一高电平或低电平的直流端子。
真值表
CE
OE / OE
OE
1
/ OE
1
模式
D
0
– D
7
电源电流
H
L
L
L
注意：
X = H或L
X
L / H
X
H / L
X
X
L / H
H / L
未选择
未选择
未选择
选
高-Z
高-Z
高-Z
D
OUT
待机（我
SB
)
工作（我
CC
)
工作（我
CC
)
工作（我
CC
)
3
LH532100B
CMOS 2M MROM
绝对最大额定值
参数
符号
等级
单位
电源电压
输入电压
输出电压
工作温度
储存温度
V
CC
V
IN
V
OUT
TOPR
TSTG
- 0.3 7.0
- 0.3 V
CC
+ 0.3
- 0.3 V
CC
+ 0.3
0至+70
- 65 + 150
V
V
V
°C
°C
推荐工作条件（T
A
= 0至+ 70 ° C）
参数
符号
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
电源电压
V
CC
4.5
5.0
5.5
V
直流特性（V
CC
= 5 V
±10%,
T
A
= 0至+ 70 ° C）
参数
符号
条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
记
输入“低”电压
输入“高”电压
输出“低”电压
输出“高”电压
输入漏电流
输出漏电流
V
IL
V
IH
V
OL
V
OH
| I
LI
|
| I
LO
|
I
CC1
I
CC2
I
CC3
I
CC4
I
SB1
I
OL
= 2.0毫安
I
OH
= –400
A
V
IN
= 0 V到V
CC
V
OUT
= 0 V到V
CC
t
RC
= t
RC
（分）
t
RC
= 1
s
t
RC
= t
RC
（分）
t
RC
= 1
s
CE = V
IL
，CE = V
IH
CE = 0.2 V ，
CE = V
CC
– 0.2 V
F = 1 MHz的
T
A
= 25°C
–0.3
2.2
2.4
0.8
V
CC
+ 0.3
0.4
10
10
50
45
45
40
3
100
10
10
V
V
V
V
A
A
mA
mA
mA
A
pF
pF
1
2
3
工作电流
待机电流
I
SB2
输入电容
输出电容
C
IN
C
OUT
注意事项：
1. CE / OE / OE
1
= V
IH
， OE / OE
1
= V
IL
2. V
IN
= V
IH
或V
IL
，CE = V
IL
，输出打开
3. V
IN
= (V
CC
- 0.2 V ）或0.2 V ， CE = 0.2 V ，输出开路
AC特性（V
CC
= 5 V
±10%,
T
A
= 0至+ 70 ° C）
参数
符号
分钟。
马克斯。
单位
记
读周期时间
地址访问时间
芯片使能存取时间
输出使能延时
输出保持时间
CE到输出高-Z
OE为输出高阻
t
RC
t
AA
t
ACE
t
OE
t
OH
t
CHZ
t
OHZ
150
150
150
10
10
70
70
70
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
1
注意：
1.这是成为高阻抗所需的输出的时间。
4
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