LMC662 CMOS双路运算放大器
1998年4月
LMC662
CMOS双路运算放大器
概述
该LMC662 CMOS双运算放大器是理想的
操作采用单电源供电。它工作于+ 5V至+ 15V
并具有轨到轨输出摆幅，除了输入
共模范围包括地。性能
在过去一直困扰CMOS放大器的限制
不与本设计的问题。输入V
OS
，漂移和
宽带噪声和电压增益为现实的负载
（ 2 kΩ和600Ω ）都等于或大于广泛AC-好
cepted双极当量。
该芯片是建立与美国国家半导体的先进的双聚
硅栅CMOS工艺。
看到LMC660数据表的四CMOS运算
放大器，这些相同的功能。
n
n
n
n
n
n
n
超低输入偏置电流： 2次足总杯
输入共模范围包括V
工作范围从+ 5V到+ 15V供电
I
SS
= 400 μA /放大器;独立的V +
低失真：在10 kHz 0.01 ％
压摆率： 1.1 V / μs的
可在扩展级温度范围（ -40℃至
+ 125°C ） ;非常适用于汽车应用
n
可用一个标准军事绘图规格
应用
n
n
n
n
n
n
n
n
高阻抗缓冲或前置放大器
高精度电流电压转换器
长期积分
采样和保持电路
峰值检波器
医疗器械
工业控制
汽车传感器
特点
n
n
n
n
n
轨到轨输出摆幅
指定为2 kΩ和600Ω负载
高电压增益： 126分贝
低输入失调电压： 3 mV的
低失调电压漂移： 1.3 μV /℃
接线图
8引脚DIP / SO
DS009763-1
订购信息
包
军事
8-Pin
陶瓷DIP
8-Pin
小尺寸
8-Pin
模压DIP
8-Pin
侧面钎焊
陶瓷DIP
LMC662AMD
D08C
轨
LMC662EN
LMC662AIN
LMC662CN
N08E
LMC662EM
LMC662AIM
LMC662CM
M08A
铁路，
磁带和卷轴
轨
LMC662AMJ/883
温度范围
EXTENDED
产业
广告
NSC
制图
J08A
运输
媒体
轨
1999美国国家半导体公司
DS009763
www.national.com
AC电气特性
（续）
注1 ：
适用于单电源和分离电源工作。在升高的环境温度和/或多个运算放大器短裤连续短路操作
可以导致超过150℃的最大允许结温。输出电流超过
±
30毫安在长期可能会产生不利影响的可靠性。
注2 ：
最大功耗为T的函数
J（下最大）
,
θ
JA
和叔
A
。在任何环境温度下的最大允许功耗为：P
D
=
(T
J（下最大）
–T
A
)/θ
JA
.
注3 ：
最大极限值是指超出这可能会损坏设备的限制。工作额定值表明该设备得到更好地条件
往往是功能性的，但不保证特定的性能极限。关于规范保证和测试环境，请参阅电气特性。该
保证规格仅适用于列出的测试条件。
注4 ：
典型值代表最可能的参数指标。限制由测试或相关保证。
注5 ：
V
+
= 15V, V
CM
= 7.5V和R
L
连接到7.5V 。对于采购的测试， 7.5V
≤
V
O
≤
11.5V 。对于下沉试验， 2.5V
≤
V
O
≤
7.5V.
注6 ：
V
+
= 15V 。接成电压跟随器， 10V阶跃输入。指定的数目是正和负转换速率越慢。
注7 ：
输入参考。 V
+
= 15V和R
L
= 10 kΩ的连接到V
+
/ 2 。每安培兴奋依次用1千赫兹以产生V
O
= 13 V
PP
.
注8 ：
人体模型， 1.5 kΩ的串联100 pF的。
注9 ：
军事RETS电气测试规格可根据要求提供。在印刷时， LMC662AMJ / 883 RETS规格全面遵守的
粗体
在此列的限制。该LMC662AMJ / 883也可以购买到标准军用图纸规范。
注10 ：
对于在升高的温度下操作的设备必须基于热敏电阻降额
θ
JA
与P
D
= (T
J
–T
A
)/θ
JA
.
注11 ：
所有的数字应用直接焊接到印刷电路板的包。
注12 ：
不要输出连接到V
+
当V
+
大于13V或可靠性可能受到不利影响。
典型性能特性
供应电流与
电源电压
失调电压
V
S
=
±
7.5V ，T
A
= 25 ° C除非另有说明
输入偏置电流
DS009763-25
DS009763-24
DS009763-26
输出特性
电流吸收
输出特性
电流源
输入电压噪声
与频率
DS009763-27
DS009763-28
DS009763-29
www.national.com
4
典型性能特性
CMRR与频率
V
S
=
±
7.5V ，T
A
= 25°C除非另有说明（续）
频率响应VS
容性负载
开环频率
响应
DS009763-30
DS009763-31
DS009763-32
非反相大信号
脉冲响应
稳定性VS
容性负载
稳定性VS
容性负载
DS009763-33
DS009763-34
DS009763-35
注意：
避免小于500Ω电阻负载，
因为它们可能导致不稳定。
注意：
避免小于500Ω电阻负载，
因为它们可能导致不稳定。
应用提示
放大器拓扑
选择用于LMC662的拓扑结构，在所示
图1中，
is
非常规的（相比于通用运算放大器）的
该传统的单位增益缓冲器的输出级不使用;
取而代之的是，输出被直接从在 - 的输出取
tegrator ，允许轨到轨输出摆幅。由于缓冲
传统上提供的电源的负载，同时保持
高运算放大器增益和稳定性，而且必须承受短裤
无论是铁路，这些任务现在落到了积分。
由于这些要求的结果，在积分器是这样的化合物
外遇与嵌入式增益级是双馈
（通过C
f
和C
ff
）由专用单位增益补偿
驱动程序。此外，该积分器的输出部分是一个
推挽配置用于输送重物。而
吸收电流的整个放大器路径包括三个
增益级采用一期前馈，而同时
采购的路径包含四个增益级有两个馈
向前。
DS009763-4
图1. LMC662电路拓扑（每个放大器）
大信号电压增益，而采购媲美
传统的双极型运算放大器，即使有一个600Ω的负载。该
而那颗增益比大多数CMOS运算放大器走高，因
到附加增益级;然而，在重负载下
（ 600Ω ）的增益将在电气表示减少
的特点。
5
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LMC662
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SNOSC51C - 1998年4月 - 修订2013年3月
LMC662 CMOS双路运算放大器
检查样品：
LMC662
1
特点
轨到轨输出摆幅
指定为2 kΩ和600Ω负载
高电压增益： 126分贝
低输入失调电压： 3 mV的
低失调电压漂移： 1.3
μV/°C
超低输入偏置电流： 2次足总杯
输入共模范围包括V
工作范围从+ 5V到+ 15V供电
I
SS
= 400
μA /放大器;
独立于V +
低失真：在10 kHz 0.01 ％
压摆率： 1.1 V / μs的
描述
该LMC662 CMOS双路运算放大器
非常适用于单电源工作。它的工作
从+ 5V到+ 15V ，并具有轨到轨输出
摆动除了输入共模范围
包括地上。性能限制了
在过去的困扰CMOS放大器不是
问题与这种设计。输入V
OS
，漂移和
宽带噪声和电压增益为现实
负载（ 2 kΩ和600Ω ）都等于或优于
被广泛接受的双极当量。
该芯片内置了TI先进的双聚
硅栅CMOS工艺。
看到LMC660数据表的四CMOS
运算放大器具有这些相同的功能。
2
应用
高阻抗缓冲或前置放大器
高精度电流电压转换器
长期积分
采样和保持电路
峰值检波器
医疗器械
工业控制
汽车传感器
接线图
典型用途
图1.采用8引脚PDIP ， SOIC
图2.低泄漏采样和保持
这些器件具有有限的内置ESD保护。引线应短接在一起或设备放置在导电泡棉
储存或搬运过程中，以防止对静电损坏MOS大门。
1
2
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
所有商标均为其各自所有者的财产。
版权所有 1998年至2013年，德州仪器
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
LMC662
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绝对最大额定值
(1) (2) (3)
差分输入电压
电源电压（V
V )
输出短路到V
+
输出短路到V
焊接温度
（焊接， 10秒）
储存温度。范围
电压输入/输出引脚
目前，在输出引脚
目前，在输入引脚
目前在电源引脚
功耗
结温
ESD容差
(1)
(2)
(3)
(4)
(5)
(6)
(7)
(7)
+
●电源电压
16V
SEE
(4)
SEE
(5)
260°C
65°C
至+ 150°C
(V
+
) +0.3V, (V
)
0.3V
= 18毫安
± 5毫安
35毫安
SEE
(6)
150°C
1000V
最大极限值是指超出这可能会损坏设备的限制。工作额定值表明条件
该装置旨在是功能性的，但不保证特定性能极限。为保证规范和测试
条件，请参阅电气特性。所确保的规范仅适用于列出的测试条件。
军事RETS电气测试规格可根据要求提供。
如果是用于军事/航空专用设备，请联系TI销售办事处/经销商咨询具体可用性和规格。
不要输出连接到V
+
当V
+
大于13V或可靠性可能受到不利影响。
适用于单电源和分离电源工作。在升高的环境温度下连续短路操作和/或
多个运算放大器短裤可以导致超过150℃的最大允许结温。输出电流超过±30
毫安在长期内可能产生不利影响的可靠性。
最大功耗为T的函数
J（下最大）
,
θ
JA
和叔
A
。在任何环境中最大允许功耗
温度为P
D
= (T
J（下最大）
–T
A
)/θ
JA
.
人体模型， 1.5 kΩ的串联100 pF的。
工作额定值
(1)
温度范围
LMC662AI
LMC662C
电源电压范围
功耗
热阻（ θ
JA
)
(3)
8引脚PDIP
8引脚SOIC
(1)
(2)
(3)
101°C/W
165°C/W
40°C ≤
T
J
≤
+85°C
0°C
≤
T
J
≤
+70°C
4.75V至15.5V
SEE
(2)
最大极限值是指超出这可能会损坏设备的限制。工作额定值表明条件
该装置旨在是功能性的，但不保证特定性能极限。为保证规范和测试
条件，请参阅电气特性。所确保的规范仅适用于列出的测试条件。
对于在升高的温度下操作的设备必须基于热敏电阻降额
θ
JA
与P
D
= (T
J
–T
A
)/θ
JA
.
所有的数字应用直接焊接到印刷电路板的包。
2
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版权所有 1998年至2013年，德州仪器
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DC电气特性
除非另有说明，所有参数保证了对于T
J
= 25°C.
粗体
限制适用于极端温度。 V
+
= 5V, V
=
0V, V
CM
= 1.5V, V
O
= 2.5V和R
L
> 1M ，除非另有规定。
参数
输入失调电压
输入失调电压
平均漂移
输入偏置电流
输入失调电流
输入阻抗
共模
抑制比
正电源。
抑制比
负电源
抑制比
输入共模
电压范围
V = 5V 15V &
对于CMRR
≥
50分贝
V
1.9
大信号
电压增益
R
L
= 2 kΩ
采购
下沉
R
L
= 600Ω
(2)
采购
下沉
输出摆幅
V = 5V
R
L
= 2 kΩ到V
+
/2
0.10
V = 5V
R
L
= 600Ω ，以V / 2
0.30
V
+
= 15V
R
L
= 2 kΩ到V / 2
0.26
V = 15V
R
L
= 600Ω到V
+
/2
0.79
+
+
+
+
+
(2)
+
+
+
测试条件
典型值
(1)
1
LMC662AI
极限
3
3.3
(1)
LMC662C
极限
(1)
6
6.3
单位
mV
最大
μV/°C
pA
1.3
0.002
4
0.001
2
>1
0V
≤
V
CM
≤
12.0V
V = 15V
5V
≤
V
+
≤
15V
V
O
= 2.5V
0V
≤
V
≤ 10V
+
2
1
63
62
63
62
74
73
0.1
0
V
2.3
V
+
2.4
300
200
90
80
150
100
50
40
4.78
4.76
0.19
0.21
4.27
4.21
0.63
0.69
14.37
14.32
0.44
0.48
12.92
12.76
1.45
1.58
+
最大
pA
最大
TeraΩ
dB
民
dB
民
dB
民
V
最大
V
民
V / MV
民
V / MV
民
V / MV
民
V / MV
民
V
民
V
最大
V
民
V
最大
V
民
V
最大
V
民
V
最大
83
83
94
0.4
70
68
70
68
84
83
0.1
0
V
2.3
V
+
2.5
440
400
180
120
220
200
100
60
4.82
4.79
0.15
0.17
4.41
4.31
0.50
0.56
14.50
14.44
0.35
0.40
13.35
13.15
1.16
1.32
2000
500
1000
250
4.87
4.61
14.63
13.90
(1)
(2)
典型值代表最可能的参数指标。限制由测试或相关规定。
V
+
= 15V, V
CM
= 7.5V和R
L
连接到7.5V 。对于采购的测试， 7.5V
≤
V
O
≤
11.5V 。对于下沉试验， 2.5V
≤
V
O
≤
7.5V.
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版权所有 1998年至2013年，德州仪器
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直流电气特性（续）
除非另有说明，所有参数保证了对于T
J
= 25°C.
粗体
限制适用于极端温度。 V
+
= 5V, V
=
0V, V
CM
= 1.5V, V
O
= 2.5V和R
L
> 1M ，除非另有规定。
参数
输出电流
V = 5V
下沉，V
O
= 5V
输出电流
V
+
= 15V
下沉，V
O
= 13V
SEE
(3)
电源电流
这两款放大器
V
O
= 1.5V
(3)
0.75
39
采购，V
O
= 0V
21
40
+
测试条件
采购，V
O
= 0V
典型值
(1)
22
LMC662AI
极限
16
14
16
14
28
25
28
24
1.3
1.5
(1)
LMC662C
极限
(1)
13
11
13
11
23
21
23
20
1.6
1.8
单位
mA
民
mA
民
mA
民
mA
民
mA
最大
不要输出连接到V
+
当V
+
大于13V或可靠性可能受到不利影响。
AC电气特性
除非另有说明，所有参数保证了对于T
J
= 25°C.
粗体
限制适用于极端温度。 V
+
= 5V, V
=
0V, V
CM
= 1.5V, V
O
= 2.5V和R
L
> 1M ，除非另有规定。
参数
压摆率
增益带宽积
相位裕度
增益裕度
安培到隔离放大器
输入参考电压噪声
等效输入噪声电流
总谐波失真
SEE
(3)
测试条件
SEE
(2)
典型值
(1)
1.1
1.4
50
17
130
22
0.0002
0.01
LMC662AI
极限
(1)
0.8
0.6
LMC662C
极限
(1)
0.8
0.7
单位
V / μs的
民
兆赫
度
dB
dB
nV√Hz
pA√Hz
%
F = 1千赫
F = 1千赫
F = 10千赫，A
V
=
10
R
L
= 2 kΩ的，V
O
= 8 V
PP
V = 15V
+
(1)
(2)
(3)
典型值代表最可能的参数指标。限制由测试或相关规定。
V
+
= 15V 。接成电压跟随器， 10V阶跃输入。指定的数目是正和负转换速率越慢。
输入参考。 V
+
= 15V和R
L
= 10 kΩ的连接到V
+
/ 2 。每安培兴奋依次用1千赫兹以产生V
O
= 13 V
PP
.
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典型性能特性
V
S
= ± 7.5V ，T
A
= 25 ° C除非另有说明
电源电流
与
电源电压
失调电压
网络连接gure 3 。
输入偏置电流
图4中。
输出特性吸收电流
图5中。
图6 。
输入电压噪声
与
频率
输出特性电流源
图7 。
网络连接gure 8 。
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