【日期三月25， 200232M （ X16 ）快闪记忆体LH28F320BJN-PTTLZC】,IC型号LH28F320BJN-PTTLZC,LH28F320BJN-PTTLZC PDF资料,LH28F320BJN-PTTLZC经销商,ic,电子元器件-51电子网

日期

三月25， 2002

32M （ X16 ）快闪记忆体

LH28F320BJN-PTTLZC

LHF32JZC

qHandle

本文精心为它包含的材料受国际版权法保护。

禁止任何复制，全本材料的或部分未经明确的书面

该公司的许可。

q当

利用本文所涵盖的产品，请遵守此写入和条件

注意事项以下段落所述。在任何情况下，本公司对任何法律责任

从失败造成的损失要严格遵守这些条件和注意事项。

（ 1 ）所涉及的产品中，设计和制造用于下列应用

区。当使用本文中所涵盖的第（ 2 ）所列设备的产品，

甚至对于以下应用领域，一定要遵守的注意事项，

第（ 2 ）。不要使用产品的第（ 3 ）所列设备。

·办公室

电子

仪表

和测量设备

机

工具

视听

设备

主页

器具

通讯

设备比干线等

（2）利用覆盖这里为以下设备的产品的那些考虑这

要求高可靠性，应首先联系销售代表的公司，然后

接受责任纳入到设计故障安全操作，冗余和

其他适当的措施，以确保在设备和的可靠性和安全性

整个系统。

控制

和用于飞机，火车，汽车和其他安全装置

交通运输设备

主机

电脑

·交通

控制系统

·气体

泄漏探测器和自动切断装置

救援

和安全设备

其他

安全设备和安全设备等。

（ 3 ）不要使用本文中所涵盖的产品用于以下设备它要求

极高的性能的功能性，可靠性，或准确性方面。

航空

设备

通信

设备干线

控制

设备为核电行业

·医疗

设备相关的生活配套等

（ 4 ）请直接与有关上述三种解释所有的疑问和意见

段落销售代表的公司。

qPlease

所有直接有关本文中涉及到销售代表的产品查询

公司。

修订版1.27

LHF32JZC

页面

1引言................................................ .............. 3

1.1特性................................................ ........................ 3

1.2产品概述............................................... .......... 3

1.3产品说明............................................... 4 .......

1.3.1封装引脚............................................. .......... 4

1.3.2块组织............................................. 4 ....

2个运行原理........................................ 8

2.1数据保护............................................... .............. 8

6电气规范............................... 29

3总线操作............................................... ............. 9

3.1阅读................................................ .............................. 9

3.2输出禁止............................................... ............... 9

3.3待机................................................ ......................... 9

3.4复位................................................ ............................. 9

3.5读取识别码.............................................. ..... 9

3.6 OTP（一次性编程）座................................ 10

3.7写................................................ ........................... 11

4命令定义........................................... 11

4.1读阵列命令.............................................. .. 13

4.2读取识别码命令............................... 13

4.3读状态寄存器命令................................. 13

4.4清除状态寄存器命令................................. 13

4.5块擦除命令.............................................. 14

4.6整片擦除命令......................................... 14

4.7字写命令.............................................. 14

4.8块擦除挂起命令................................ 15

4.9字写暂停命令................................. 15

4.10设置Block和永久船闸位命令......... 16

4.11清除块锁定位命令............................ 16

4.12 OTP程序命令.......................................... 16

6.1绝对最大额定值..................................... 29

6.2工作条件............................................... 29

6.2.1电容.............................................. ........... 29

6.2.2 AC输入/输出测试条件....................... 30

6.2.3直流特性............................................. 31

6.2.4交流特性 - 只读操作....... 32

6.2.5交流特性 - 写操作............... 34

6.2.6替代CE＃ -Controlled写..................... 36

6.2.7复位操作............................................. .... 38

6.2.8块擦除，整片擦除，字写和

锁定位配置性能................ 39

5设计考虑...................................... 27

5.1三线输出控制....................................... 27

5.2电源去耦........................................ 27

5.3 V

， RP ＃ / V

CCW

转换.................................... 27

5.4电/断电保护...................................... 27

5.5功耗............................................... ...... 27

5.6数据保护法............................................ 28

修订版1.27

LHF32JZC

LH28F320BJN-PTTLZC

32M位（兆比特× 16 ）

BOOT BLOCK FLASH MEMORY

低电压操作

=2.7V-3.6V

增强的自动暂停选项

字写暂停阅读

块擦除挂起到字写

块擦除挂起阅读

OTP（一次性编程）座

3963字+ 4 Word程序只阵列

16位I / O接口

高性能读取时间

90ns(V

=2.7V-3.6V)

增强的数据保护功能

块擦除，整片擦除，字写和

锁定位配置锁定在电源

TRANSITIONS

块与锁定命令

永久锁固

工作温度

0 ° C至+ 70°C

自动块擦除，整片擦除，

字写和锁定位配置

命令用户界面（CUI ）

状态寄存器（ SR ）

低功耗管理

典型值。 6μA （V

= 3.0V ）待机电流

自动节能模式减小我

CCR

静态模式

典型值。 120μA （V

= 3.0V ，T

= + 25 ° C，F = 32kHz时）

读电流

SRAM兼容写接口

行业标准包装

44引脚SOP

优化阵列无阻塞架构

两个4K字引导块

六4K字的参数块

六十三个32K字的主块

顶级位置启动

ETOX

TM *

非易失性闪存技术

的CMOS工艺（ P型硅衬底）

没有设计或评为抗辐射

扩展循环能力

最低100块擦除周期

SHARP的LH28F320BJN - PTTLZC闪存是一种高密度，低成本，非易失性，阅读一个/写的存储解决方案

广泛的应用。

LH28F320BJN - PTTLZC可以在V操作

= 2.7V - 3.6V 。它的低电压工作能力，实现更长的电池寿命和

适合用于手机的应用程序。

其引导，参数和主封结构，低电压和延长循环提供高度柔性的组成部分

适合于便携式终端和个人计算机。其增强的暂停功能，提供了代码的理想解决方案

+数据存储应用。

为安全的代码存储应用，如网络，其中代码被直接执行的总分闪光或下载到

DRAM的LH28F320BJN - PTTLZC提供了四个级别的保护：绝对的保护，选择硬件模块锁定或

灵活的软件模块锁定。这些替代方案为设计人员提供其代码的安全性需求的最终控制权。

该LH28F320BJN - PTTLZC是夏普的0.25微米制造ETOX

TM *

工艺技术。它进来业界

标准封装： 44引脚SOP ，非常适合电路板受限的应用。

* ETOX是Intel Corporation的注册商标。

修订版1.27

LHF32JZC

1引言

这

数据表

包含

LH28F320BJN-PTTLZC

规格。部1提供的闪速存储器

概述。部分2 ，3，4和5描述了存储器

组织和功能。第6节涵盖了电气

特定连接的阳离子。

块擦除操作擦除设备的32K-之一

字内1.2秒（ 3V V典型块

）， 4K字

在0.6S （ 3V V形块一般

的）独立

其他模块。每个块可独立擦除的

最少100次。块擦除挂起模式允许

系统软件暂停块擦除读取或写入

从任何其他块的数据。

写入存储器的数据以字为单位执行

通常在33μs设备的32K字块（ 3V

），一般在36μs 4K字块（ 3V V

字写操作挂起模式使系统能够读取数据

或从任何其它闪存阵列执行代码

位置。

个别块锁定使用位的组合，第三十

9块锁定位和永久锁定位，锁定和

解锁块。块锁定位闸块擦除，全片

擦除和字写操作，而永久

锁定位的门阻断锁位修改和锁定

块交替。锁定位配置操作（集

块锁位，将永久锁定位和清除块

锁定位命令）设置和清除锁定位。

状态寄存器指示时， WSM的块擦除，

整片擦除，字写或锁定位配置

操作完成。

1.1特性

LH28F320BJN - PTTLZC引导块的主要增强功能

快闪记忆体是：

ULOW

工作电压

ULOW

耗电量

增强

暂停功能

引导

座建筑

1.2产品概述

该LH28F320BJN - PTTLZC是一个高性能32M-

组织为16 2M字位引导块闪存

位。数据的2M-字被安排在两个4K字

引导块，六4K字的参数块和63

32K字而被单独擦除块为主，

可锁定和解锁的系统。存储器映射是

在网络连接gure 3所示。

A命令的用户界面（ CUI）作为界面

系统处理器和内部操作之间

装置。写到崔有效的命令序列

启动设备的自动化。内部写状态

机（ WSM ）自动执行的算法

和必要的块擦除，整片擦除时序，

字写和锁定位的配置操作。

修订版1.27