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LMH6505宽带,低功耗,线性的分贝,可变增益放大器
2007年12月14日
LMH6505
宽带,低功耗,线性的分贝,可变增益
扩音器
概述
该LMH6505是宽带直流耦合电压控制
增益级后跟一个高速电流反馈操作
tional放大器,它可以直接驱动低阻抗负载。
增益调整范围为80分贝到10兆赫,这
通过改变增益控制输入端的电压来实现,
V
G
.
最大增益由外部元件设置,并且增益
可一路降低到截止。功率消耗是
110毫瓦的150 MHz的速度和增益控制频带 -
宽度为100兆赫(BW) 。输出称为DC偏移电压是
小于55毫伏,在整个增益控制电压范围。
设备到设备的增益匹配是在±0.5以内分贝最大
获得。此外,增益经过测试,保证在很宽的
范围内。输出电流反馈运算放大器允许高频
昆西大信号(斜率= 1500 V / μs)内,也
驱动重负载电流(60 mA)的保证。近乎理想
输入特性(即低输入偏置电流,低失调,低
3脚电阻)使该器件可以很容易地配置成
一个反相放大器以及。
与单电源工作时提供了易用性,在
V
G
范围被设定为从0V到+ 2V相对于地面销
势( 4针) 。 V
G
输入阻抗很高,为了缓解
驱动要求。在单电源供电,接地引脚
被绑定到一个"virtual"一半的供应。
该LMH6505的增益控制dB线性的一大截
总增益控制范围从0 dB下降到-85 dB以下,
25℃时,如下所示。这使得该设备适合于
AGC应用。对于线性增益控制的应用,请参阅
LMH6503的数据表。
该LMH6505是在任的8引脚SOIC或8可用
引脚MSOP封装。最少的外部相结合
组件和小外形封装允许LMH6505
在空间受限的应用中使用。
特点
V
S
= ± 5V ,T
A
= 25 ° C,R
F
= 1千欧,R
G
= 100,
R
L
= 100,
A
V
= A
VMAX
= 9.4 V / V,典型值,除非指定。
150兆赫
-3 dB带宽
100兆赫
增益控制体重
80分贝
调整范围( <10兆赫)
-0.50分贝
增益匹配(限)
电源电压范围
7V至12V
1500 V / μs的
压摆率(反相)
11毫安
电源电流(无负载)
± 60毫安
线性输出电流
±2.4V
输出电压摆幅
4.4纳伏/
Hz
输入噪声电压
输入噪声电流
2.6 PA /
Hz
-45 dBc的
总谐波失真( 20兆赫,R
L
= 100,
V
O
= 2 V
PP
)
应用
可变衰减器
AGC
压控滤波器
视频图像处理
典型用途
20171002
20171011
A
VMAX
= 9.4 V/V
增益与V
G
2007美国国家半导体公司
201710
www.national.com
LMH6505
绝对最大额定值
(注1 )
如果是用于军事/航空航天特定网络版设备是必需的,
请向美国国家半导体销售办事处/
经销商咨询具体可用性和规格。
ESD容差(注6 )
人体模型
机器型号
输入电流
输出电流(注3)
电源电压(V
+
- V
)
电压输入/输出引脚
存储温度范围
2000V
200V
= 10毫安
120毫安
12.6V
V
+
+0.8V, V
0.8V
-65_C到150_C
(注2 )
结温
焊接方式:
红外线或对流( 20秒)
波峰焊( 10秒)
150°C
235°C
260°C
工作额定值
电源电压(V
+
- V
)
温度范围(注5 )
热阻:
8 -pin SOIC
8引脚MSOP
(注1 )
7V至12V
-40 ° C至+ 85°C
JC
)
60
65
JA
)
165
235
电气特性
符号
参数
除非另有说明,所有参数都保证对于T
J
= 25 ° C,V
S
= ± 5V ,A
VMAX
= 9.4 V / V ,R
F
= 1千欧,R
G
= 100,
V
IN
= ±0.1V,
R
L
= 100,
V
G
= +2V.
粗体
限制适用于极端温度。
条件
(注9 )
典型值
(注8)
150
38
40
26
9.5
100
51
80
71
2.1
10
非反相
反相
失真&噪声性能
HD2
HD3
THD
恩TOT
I
N
DG
DP
GACCU
摹比赛
K
2
nd
谐波失真
3
rd
谐波失真
总谐波失真
总等效输入噪声
输入噪声电流
微分增益
微分相位
增益精度
(参见应用信息)
增益匹配
(参见应用信息)
增益乘数
(参见应用信息)
V
G
= 2.0V
0.8V & LT ; V
G
& LT ; 2V
V
G
= 2.0V
0.8V & LT ; V
G
& LT ; 2V
0.890
0.830
F >为1 MHz ,R
来源
= 50
F > 1兆赫
F = 4.43兆赫,R
L
= 100
2V
PP
, 20兆赫
47
–61
45
4.4
2.6
0.30
0.15
0
+0.1/0.53
0.940
±0.50
+4.3/3.9
±0.50
+4.2/4.0
0.990
1.04
内华达州/
PA /
%
dBc的
900
1500
最大
(注9 )
单位
频域响应
BW
GF
-3 dB带宽
增益平坦度
V
OUT
& LT ; 1 V
PP
V
OUT
< 4 V
PP
, A
VMAX
= 100
V
OUT
& LT ; 1 V
PP
0.9V
V
G
2V ,± 0.2分贝
ATT范围平带(相对于最大增益)
衰减范围(注15 )
BW
控制
CT ( dB)的
GR
增益控制带宽
馈通
增益调整范围
±0.2 dB平坦度,女< 30兆赫
± 0.1 dB平坦度,女< 30兆赫
V
G
= 1V (注4 )
V
G
= 0V , 30兆赫
(输入/输出)
F < 10兆赫
F < 30兆赫
时间域响应
t
r
, t
f
OS %
SR
上升和下降时间
压摆率(注7 )
0.5V步骤
ns
%
V / μs的
dB
兆赫
dB
兆赫
兆赫
dB
DC &其他性能
dB
dB
V/V
www.national.com
2
LMH6505
符号
V
IN
NL
V
IN
L
I
RG_MAX
I
BIAS
TC我
BIAS
R
IN
C
IN
I
VG
TC我
VG
R
VG
C
VG
V
OUT
L
V
OUT
NL
R
OUT
I
OUT
V
补偿
+ PSRR
-PSRR
I
S
R
G
当前
偏置电流
参数
输入电压范围
R
G
开放
条件
(注9 )
±0.60
±0.50
±6.0
±5.0
典型值
(注8)
±3
±0.74
±7.4
0.6
1.28
7
2.8
0.9
10
25
2.8
最大
(注9 )
单位
R
G
= 100
3脚
引脚2 (注10 )
引脚2 (注11 )
销2
销2
引脚1 ,V
G
= 2V (注10 )
引脚1 (注11 )
销1
销1
R
L
= 100
R
L
=打开
输出阻抗
输出电流
输出失调电压
+电源抑制比
(注12 )
- 电源抑制比
(注12 )
电源电流
DC
V
OUT
= ± 4V从滑轨
0V & LT ; V
G
& LT ; 2V
折合到输入端, 1V的变化,V
G
=
2.2V
折合到输入端, 1V的变化,V
G
=
2.2V
空载
V
mA
2.5
2.6
A
NA / ℃,
M
pF
A
PA / ℃,
M
pF
V
偏置电流漂移
输入阻抗
输入电容
V
G
偏置电流
V
G
偏置漂移
V
G
输入阻抗
V
G
输入电容
输出电压范围
±2.1
±1.9
±2.4
±3.1
0.12
mA
±55
±70
mV
dB
±60
±40
±80
±10
–65
–65
9.5
7.5
–72
–75
11
14
16
dB
mA
注1 :
最大极限值是指超出这可能会损坏设备的限制。工作额定值表明条件,该设备是
拟功能,但具体的性能无法得到保证。为了保证规格,请参阅电气特性。
注2 :
只用于工厂测试条件电气表值适用于在指定的温度。工厂测试条件导致非常有限的自热
的设备,例如那件T
J
= T
A
。的参数性能没有保证标明的表内自动加热,其中T的条件下,
J
& GT ;
T
A
.
注3 :
最大输出电流(I
OUT
)是由指定的设备的功耗限制或价值,以较低者为准确定。
注4 :
增益控制频率响应示意图:
20171016
注5 :
最大功耗为T的函数
J(下最大)
, θ
JA
。在任何环境温度下的最大允许功耗为:P
D
= (T
J(下MAX
) –
T
A
)/ θ
JA
。所有的数字应用直接焊接到印刷电路板的包。
注6 :
人体模型,适用的性病。 MIL -STD- 883 ,方法3015.7 。机器型号,适用的性病。 JESD22 - A115 -A ( ESD MM性病。 JEDEC的)
感生电荷设备模型,适用的性病。 JESD22 - C101 -C ( JEDEC的ESD FICDM STD )。
3
www.national.com
LMH6505
注7 :
摆率的上升和下降的转换率的平均水平。
注8 :
典型值代表最可能的参数指标为在表征的时间来确定。实际的典型值可以随时间变化和意愿
还取决于应用和配置。典型的值不测试,不保证在运生产材料。
注9 :
限制是100 %的产品在25 ℃的测试。限制在工作温度范围内,通过使用统计质量保证的相关性
控制( SQC )方法。
注10 :
正电流对应的电流流动到装置中。
注11 :
漂移是通过将在极端温度参数分布的变化由总温度变化来确定。
注12 :
+ PSRR定义: [ | ΔV
OUT
/ΔV
+
| / A
V
] , -PSRR定义: [ | ΔV
OUT
/ΔV
| / A
V
]与0.1V的输入电压。
ΔV
OUT
是在输出电压的变化与偏置
移减去。
注13 :
增益/相位归一化在25℃下的低频率值。
注14 :
增益/相位归各设定较低的频率值。
注15 :
平带衰减(相对于最大增益)范围定义:指定为衰减范围从最大允许的增益平坦度规定
(无论是±0.2 dB或±0.1 dB为单位) ,相对于A
VMAX
获得。例如,对于f < 30兆赫,这里是平带衰减范围:
± 0.2分贝19.7 dB下降到-6.3分贝= 26 dB范围
± 0.1分贝19.7 dB下降到10.2分贝= 9.5 dB范围
接线图
8引脚SOIC / MSOP
20171001
顶视图
订购信息
8引脚SOIC
8引脚MSOP
产品型号
LMH6505MA
LMH6505MAX
LMH6505MM
LMH6505MMX
包装标志
LMH6505MA
AZ2A
传输介质
95单位/铁
2.5K单位磁带和卷轴
K为单位编带和卷轴
3.5K单位磁带和卷轴
NSC图纸
M08A
MUA08A
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4
LMH6505
典型性能特性
频率响应过温
除非另有规定: V
S
= ± 5V ,T
A
= 25°C,
V
G
= V
GMAX
, R
F
= 1千欧,R
G
= 100,
V
IN
= 0.1V ,输入端接50Ω 。
L
= 100,
典型值。
频率响应为各种V
G
20171003
20171004
频率响应(A
VMAX
= 2)
反相频率响应
20171044
20171046
频率响应为各种V
G
(A
VMAX
= 100 ) (大
SIGNAL )
频率响应为各种幅度
20171064
20171045
5
www.national.com
LMH6505宽带,低功耗,线性的分贝,可变增益放大器
2006年1月
LMH6505
宽带,低功耗,线性的分贝,可变增益
扩音器
概述
该LMH6505是宽带直流耦合电压控制
增益级后跟一个高速电流反馈运算
安培可直接驱动低阻抗负载。增益
调整范围为80分贝到10兆赫,这是accom-
通过改变增益控制输入端的电压,V plished
G
.
最大增益由外部元件设置,并且增益
可以减小一路切断。功率消耗是
110毫瓦的150 MHz的速度和增益控制频带 -
宽度为100兆赫(BW) 。输出称为DC偏移电压是
小于55毫伏,在整个增益控制电压范围。
设备到设备的增益匹配距离
±
0.5分贝在马克西 -
妈妈增益。此外,增益经过测试,保证在
范围广。输出电流反馈运算放大器允许
高频大信号(斜率= 1500 V /μs的)和
还可以驱动一个负载电流(60 mA)的保证。
近乎理想的输入特性(即低输入偏置电流,
低失调,低引脚3的电阻)允许在设备上是
容易地配置为反相放大器,以及。
与单电源工作时提供了易用性,
在V
G
范围被设定为从0V到+ 2V相对于
接地端子电位(引脚4 ) 。 V
G
输入阻抗是高
为了缓解驱动要求。在单电源供电,
接地引脚连接到一个"virtual"一半的供应。
该LMH6505的增益控制dB线性的一大截
总增益控制范围从0 dB下降到-85分贝
@
25℃时,如下所示。这使得该设备适合于
AGC应用。对于线性增益控制的应用程序,请参见
该LMH6503的数据表。
该LMH6505可在任一所述的SOIC -8或
MSOP - 8封装。最少的外部相结合
组件和小外形封装允许
在空间受限的应用中使用LMH6505 。
特点
V
S
=
±
5V ,T
A
= 25 ° C,R
F
= 1千欧,R
G
= 100, R
L
= 100, A
V
= A
VMAX
= 9.4 V / V,典型值,除非指定。
n
-3 dB带宽
150兆赫
n
增益控制体重
100兆赫
n
调整范围(
& LT ;
10兆赫)
80分贝
±
0.50分贝
n
增益匹配(限)
n
电源电压范围
7V至12V
n
压摆率(反相)
1500 V / μs的
n
电源电流(无负载)
11毫安
±
60毫安
n
线性输出电流
±
2.4V
n
输出电压摆幅
n
输入噪声电压
4.4纳伏/
n
输入噪声电流
2.6 PA /
n
总谐波失真( 20兆赫,R
L
= 100, V
O
= 2 V
PP
)
-45 dBc的
应用
n
n
n
n
可变衰减器
AGC
压控滤波器
视频图像处理
典型用途
20171002
A
VMAX
= 9.4 V/V
20171011
增益与V
G
2006美国国家半导体公司
DS201710
www.national.com
LMH6505
绝对最大额定值
(注1 )
如果是用于军事/航空航天特定网络版设备是必需的,
请向美国国家半导体销售办事处/
经销商咨询具体可用性和规格。
ESD容差(注4 )
人体模型
机器型号
输入电流
输出电流
电源电压(V
+
- V
)
电压输入/输出引脚
存储温度范围
2000V
200V
结温
焊接方式:
红外线或对流( 20秒)
波峰焊( 10秒)
150C
235C
260C
工作额定值
(注1 )
电源电压(V
+
- V
)
工作温度范围
热阻:
8 -pin SOIC
8引脚MSOP
JC
)
60
65
7V至12V
-40 ° C至+ 85°C
JA
)
165
235
±
10毫安
120毫安(注3 )
12.6V
V
+
+0.8V, V
0.8V
-65_C到150_C
电气特性
(注2 )
除非另有说明,所有参数都保证对于T
J
= 25 ° C,V
S
=
±
5V ,A
VMAX
= 9.4 V / V ,R
F
= 1千欧,R
G
= 100, V
IN
=
±
0.1V ,R
L
= 100, V
G
= +2V.
粗体
限制适用于极端温度。
符号
BW
GF
参数
-3 dB带宽
增益平坦度
条件
V
OUT
& LT ;
1 V
PP
V
OUT
& LT ;
4 V
PP
, A
VMAX
= 100
V
OUT
& LT ;
1 V
PP
0.9V
V
G
2V,
±
0.2分贝
(注6 )
典型值
(注6 )
150
38
40
26
9.5
100
51
80
71
2.1
10
非反相
反相
失真&噪声性能
HD2
HD3
THD
恩TOT
I
N
DG
DP
GACCU
摹比赛
K
2
nd
谐波失真
3
rd
谐波失真
总谐波失真
总等效输入噪声
输入噪声电流
微分增益
微分相位
增益精度
(参见应用信息)
增益匹配
(参见应用信息)
增益乘数
(参见应用信息)
V
G
= 2.0V
0.8V
& LT ;
V
G
& LT ;
2V
V
G
= 2.0V
0.8V
& LT ;
V
G
& LT ;
2V
0.890
0.830
f
& GT ;
1 MHz时,R
来源
= 50
f
& GT ;
1兆赫
F = 4.43兆赫,R
L
= 100
2V
PP
, 20兆赫
47
–61
45
4.4
2.6
0.30
0.15
0
+0.1/0.53
0.940
内华达州/
PA /
%
dBc的
900
1500
最大
(注6 )
单位
频域响应
兆赫
兆赫
ATT范围平带(相对于最大增益)
衰减范围(注13 )
BW
控制
CT ( dB)的
GR
增益控制带宽
馈通
增益调整范围
±
0.2分贝平坦度,女
& LT ;
30兆赫
±
0.1 dB平坦度,女
& LT ;
30兆赫
V
G
= 1V (注12 )
V
G
= 0V , 30兆赫
(输入/输出)
f
& LT ;
10兆赫
f
& LT ;
30兆赫
dB
兆赫
dB
dB
时间域响应
t
r
, t
f
OS %
SR
上升和下降时间
压摆率(注5 )
0.5V步骤
ns
%
V / μs的
DC &其他性能
±
0.50
+4.3/3.9
dB
dB
V/V
±
0.50
+4.2/4.0
0.990
1.04
www.national.com
2
LMH6505
电气特性
(注2 )
(续)
除非另有说明,所有参数都保证对于T
J
= 25 ° C,V
S
=
±
5V ,A
VMAX
= 9.4 V / V ,R
F
= 1千欧,R
G
= 100, V
IN
=
±
0.1V ,R
L
= 100, V
G
= +2V.
粗体
限制适用于极端温度。
参数
输入电压范围
R
G
开放
R
G
= 100
R
G
当前
偏置电流
偏置电流漂移
输入阻抗
输入电容
V
G
偏置电流
V
G
偏置漂移
V
G
输入阻抗
V
G
输入电容
输出电压范围
3脚
引脚2 (注7 )
引脚2 (注8)
销2
销2
引脚1 ,V
G
= 2V (注7 )
引脚1 (注8)
销1
销1
R
L
= 100
R
L
=打开
输出阻抗
输出电流
输出失调电压
+电源抑制比
(注9 )
- 电源抑制比
(注9 )
电源电流
DC
V
OUT
=
±
4V从滑轨
0V
& LT ;
V
G
& LT ;
2V
折合到输入端, 1V的变化,
V
G
= 2.2V
折合到输入端, 1V的变化,
V
G
= 2.2V
空载
–65
–65
9.5
7.5
条件
(注6 )
典型值
(注6 )
最大
(注6 )
单位
V
mA
2.5
2.6
符号
V
IN
NL
V
IN
L
I
RG_MAX
±
3
±
0.60
±
0.50
±
6.0
±
5.0
±
0.74
±
7.4
0.6
–190
7
2.8
0.9
10
25
2.8
I
BIAS
TC我
BIAS
R
IN
C
IN
I
VG
TC我
VG
R
C
VG
VG
A
PA / ℃,
M
pF
A
PA / ℃,
M
pF
V
V
OUT
L
V
OUT
NL
R
OUT
I
OUT
V
O
OFFSET
±
2.1
±
1.9
±
2.4
±
3.1
0.12
mA
±
60
±
40
±
80
±
10
–72
–75
11
14
16
±
55
±
70
mV
dB
+ PSRR
-PSRR
I
S
dB
mA
3
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LMH6505
电气特性
(注2 )
(续)
注1 :
最大极限值是指超出这可能会损坏设备的限制。工作额定值表明条件,该设备是
拟功能,但具体的性能无法得到保证。为了保证规格,请参阅电气特性。
注2 :
只用于工厂测试条件电气表值适用于在指定的温度。工厂测试条件导致非常有限的自热
的装置,例如那件T
J
= T
A
。的参数性能没有保证标明的表内自动加热,其中T的条件下,
J
& GT ;
T
A
.
注3 :
最大输出电流(I
OUT
)是由指定的设备的功耗限制或价值,以较低者为准确定。
注4 :
人体模型是通过1.5 kΩ的串联100 pF的。机器型号为0Ω串联200 pF的
注5 :
摆率的上升和下降的转换率的平均水平。
注6 :
典型值代表最可能的参数指标。粗体数字指的是在整个温度范围的限制。
注7 :
正电流对应的电流流动到装置中。
注8 :
漂移是通过将在极端温度参数分布的变化由总温度变化来确定。
注9 :
+ PSRR定义: [ | ΔV
OUT
/V
+
| / A
V
] , -PSRR定义: [ | ΔV
OUT
/V
| / A
V
]与0.1V的输入电压。
V
OUT
是在输出电压的变化与偏置移
减去。
注10 :
增益/相位归一化在25℃下的低频率值。
注11 :
增益/相位归各设定较低的频率值。
注12 :
增益控制频率响应示意图:
20171016
注13 :
平带衰减(相对于最大增益)范围定义:指定为衰减范围从最大允许的增益平坦度规定
(任
±
0.2分贝或
±
0.1分贝) ,相对于A
VMAX
获得。例如,适用于f
& LT ;
30兆赫,这里是平带衰减范围:
±
0.2分贝19.7 dB下降到-6.3分贝= 26 dB范围
±
0.1分贝19.7 dB下降到10.2分贝= 9.5 dB范围
接线图
8引脚SOIC
20171001
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订购信息
8引脚SOIC
8引脚MSOP
产品型号
LMH6505MA
LMH6505MAX
LMH6505MM
LMH6505MMX
包装标志
LMH6505MA
A93A
传输介质
95单位/铁
2.5K单位磁带和卷轴
K为单位编带和卷轴
3.5K单位磁带和卷轴
NSC图纸
M08A
MUA08A
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4
LMH6505
典型性能特性
除非另有规定: V
S
=
±
5V ,T
A
= 25C,
V
G
= V
GMAX
, R
F
= 1千欧,R
G
= 100, V
IN
= 0.1V ,输入端接50Ω 。
L
= 100Ω ,典型值。
频率响应过温
频率响应为各种V
G
20171003
20171004
频率响应(A
VMAX
= 2)
反相频率响应
20171046
20171044
频率响应为各种V
G
(A
VMAX
= 100)
(大信号)
频率响应为各种幅度
20171045
20171064
5
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