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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符L型号页 > 首字符L的型号第675页 > LDTA114YM3T5G
乐山无线电公司， LTD 。
偏置电阻晶体管
PNP硅表面贴装晶体管
与单片偏置电阻网络
此新系列数字晶体管被设计为替代单一
设备及其外部电阻偏置网络。快速公交系统（偏置电阻
晶体管），包含一个带有整体式偏置网络的单个晶体管
由两个电阻器;一系列的基极电阻和基极 - 发射极
电阻器。在BRT消除了整合这些单独的组件
他们在单一设备中。使用BRT可以减少这两种系统
成本和电路板空间。该设备被容纳在SOT -723包
这是专为低功耗表面贴装应用。
LDTA114EM3T5G
系列
3
2
1
SOT-723
简化网络连接的ES电路设计
板级空间缩小
减少了元件数量
采用SOT - 723封装可以用波或回流焊接。
可在4毫米， 8000单位带卷&
这些无铅器件。
销1
BASE
（输入）
R
1
R
2
3脚
集热器
（输出）
销2
辐射源
（接地）
最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
等级
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
集电极电流
符号
V
CBO
V
首席执行官
I
C
价值
50
50
100
单位
VDC
VDC
MADC
记号
图
3
XX M
1
xx
M
2
热特性
特征
器件总功耗
T
A
= 25°C
减免上述25℃
热电阻 -
结到环境
结存储
温度范围
1. FR-4 @最低垫
2. FR- 4 @ 1.0× 1.0英寸垫
符号
P
D
最大
260 （注1 ）
600 （注2）
2.0 （注1 ）
4.8 （注2）
480 （注1 ）
205 （注2）
-55到+150
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
°C
=具体设备守则
=日期代码
R
θJA
T
J
, T
英镑
1.0版
LDTA114EM3T5G_S-1/11
乐山无线电公司， LTD 。
LDTA114EM3T5G_Series
订购信息，设备标识和电阻值
设备
LDTA114EM3T5G
LDTA124EM3T5G
LDTA144EM3T5G
LDTA114YM3T5G
LDTA114TM3T5G
LDTA143TM3T5G
LDTA123EM3T5G
LDTA143EM3T5G
LDTA143ZM3T5G
LDTA124XM3T5G
LDTA123JM3T5G
LDTA115EM3T5G
LDTA144WM3T5G
记号
6A
6B
6C
6D
6E
6F
6H
6J
6K
6L
6M
6N
6P
R1 （ K）
10
22
47
10
10
4.7
2.2
4.7
4.7
22
2.2
100
47
R2 （ K）
10
22
47
47
∞
∞
2.2
4.7
47
47
47
100
22
包
航运
SOT723
（无铅）
8000 /磁带&卷轴
1.0版
LDTA114EM3T5G_S-2/11
乐山无线电公司， LTD 。
LDTA114EM3T5G_Series
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
特征
符号
民
典型值
最大
单位
开关特性
集电极 - 基极截止电流（V
CB
= 50 V，I
E
= 0)
集电极 - 发射极截止电流（V
CE
= 50 V，I
B
= 0)
发射基截止电流
(V
EB
= 6.0 V，I
C
= 0)
LDTA114EM3T5G
LDTA124EM3T5G
LDTA144EM3T5G
LDTA114YM3T5G
LDTA114TM3T5G
LDTA143TM3T5G
LDTA123EM3T5G
LDTA143EM3T5G
LDTA143ZM3T5G
LDTA124XM3T5G
LDTA123JM3T5G
LDTA115EM3T5G
LDTA144WM3T5G
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
50
50
100
500
0.5
0.2
0.1
0.2
0.9
1.9
2.3
1.5
0.18
0.13
0.2
0.05
0.13
NADC
NADC
MADC
集电极 - 基极击穿电压（I
C
= 10
毫安，
I
E
= 0)
集电极 - 发射极击穿电压（注3 ）
(I
C
= 2.0毫安，我
B
= 0)
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
VDC
VDC
基本特征
（注3 ）
直流电流增益
(V
CE
= 10 V，I
C
= 5.0 mA）的
LDTA114EM3T5G
LDTA124EM3T5G
LDTA144EM3T5G
LDTA114YM3T5G
LDTA114TM3T5G
LDTA143TM3T5G
LDTA123EM3T5G
LDTA143EM3T5G
LDTA143ZM3T5G
LDTA124XM3T5G
LDTA123JM3T5G
LDTA115EM3T5G
LDTA144WM3T5G
h
FE
35
60
80
80
160
160
8.0
15
80
80
80
80
80
60
100
140
140
250
250
15
27
140
130
140
150
140
0.25
VDC
集电极 - 发射极饱和电压（I
C
= 10 mA时，我
E
= 0.3 mA）的
(I
C
= 10 mA时，我
B
= 5 mA）的LDTA123EM3T5G
(I
C
= 10 mA时，我
B
= 1 mA）的LDTA114TM3T5G / LDTA143TM3T5G /
LDTA143ZM3T5G/LDTA124XM3T5G/LDTA143EM3T5G
输出电压（上）
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 2.5 V ，R
L
= 1.0千瓦）
LDTA114EM3T5G
LDTA124EM3T5G
LDTA114YM3T5G
LDTA114TM3T5G
LDTA143TM3T5G
LDTA123EM3T5G
LDTA143EM3T5G
LDTA143ZM3T5G
LDTA124XM3T5G
LDTA123JM3T5G
LDTA144EM3T5G
LDTA115EM3T5G
LDTA144WM3T5G
V
CE （ SAT ）
V
OL
V
OH
4.9
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
VDC
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 3.5 V ，R
L
= 1.0千瓦）
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 5.5 V ，R
L
= 1.0千瓦）
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 4.0 V ，R
L
= 1.0千瓦）
输出电压（关） （V
CC
= 5.0 V, V
B
= 0.5 V ，R
L
= 1.0千瓦）
LDTA114TM3T5G
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 0.25 V ，R
L
= 1.0千瓦）
LDTA143TM3T5G
LDTA123EM3T5G
LDTA143EM3T5G
3.脉冲测试：脉冲宽度< 300
女士，
占空比< 2.0 ％
VDC
1.0版
LDTA114EM3T5G_S-3/11
乐山无线电公司， LTD 。
LDTA114EM3T5G_Series
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明） （续）
特征
输入电阻
LDTA114EM3T5G
LDTA124EM3T5G
LDTA144EM3T5G
LDTA114YM3T5G
LDTA114TM3T5G
LDTA143TM3T5G
LDTA123EM3T5G
LDTA143EM3T5G
LDTA143ZM3T5G
LDTA124XM3T5G
LDTA123JM3T5G
LDTA115EM3T5G
LDTA144WM3T5G
符号
R1
民
7.0
15.4
32.9
7.0
7.0
3.3
1.5
3.3
3.3
15.4
1.54
70
32.9
0.8
0.17
0.8
0.055
0.38
0.038
1.7
典型值
10
22
47
10
10
4.7
2.2
4.7
4.7
22
2.2
100
47
1.0
0.21
1.0
0.1
0.47
0.047
2.1
最大
13
28.6
61.1
13
13
6.1
2.9
6.1
6.1
28.6
2.86
130
61.1
1.2
0.25
1.2
0.185
0.56
0.056
2.6
单位
kW
电阻率LDTA114EM3T5G / LDTA124EM3T5G / LDTA144EM3T5G
/
LDTA115EM3T5G
LDTA114YM3T5G
LDTA114TM3T5G/LDTA143TM3T5G
LDTA123EM3T5G/LDTA143EM3T5G
LDTA143ZM3T5G
LDTA124XM3T5G
LDTA123JM3T5G
LDTA144WM3T5G
300
250
200
150
100
50
0
50
R
qJA
= 480 ° C / W
R
1
/R
2
PD ，功耗（毫瓦）
0
50
100
T
A
，环境温度（ ° C）
150
图1.降额曲线
1.0版
LDTA114EM3T5G_S-4/11
乐山无线电公司， LTD 。
LDTA114EM3T5G_Series
电气特性 - LDTA114EM3T5G
VCE （SAT） ，集电极最大电压（伏）
1
I
C
/I
B
= 10
1000
的hFE ， DC电流增益（标准化）
V
CE
= 10 V
T
A
= 25°C
0.1
75°C
25°C
T
A
= 75°C
100
25°C
25°C
0.01
0
20
I
C
，集电极电流（毫安）
40
50
10
1
10
I
C
，集电极电流（毫安）
100
图2. V
CE （ SAT ）
与我
C
图3.直流电流增益
4
F = 1 MHz的
l
E
= 0 V
T
A
= 25°C
100
75°C
25°C
T
A
= 25°C
COB，电容（pF ）
3
IC ，集电极电流（毫安）
10
1
2
0.1
1
0.01
0.001
0
1
2
V
O
= 5 V
3
4
5
6
7
V
in
，输入电压（伏）
8
9
10
0
0
10
20
30
40
V
R
，反向偏置电压（伏）
50
图4.输出电容
图5.输出电流与输入电压
100
V
O
= 0.2 V
V在，输入电压（伏）
10
T
A
= 25°C
25°C
75°C
1
0.1
0
10
20
30
I
C
，集电极电流（毫安）
40
50
图6.输入电压与输出电流
1.0版
LDTA114EM3T5G_S-5/11
乐山无线电公司， LTD 。
偏置电阻晶体管
PNP硅表面贴装晶体管
与单片偏置电阻网络
此新系列数字晶体管被设计为替代单一
设备及其外部电阻偏置网络。快速公交系统（偏置电阻
晶体管），包含一个带有整体式偏置网络的单个晶体管
由两个电阻器;一系列的基极电阻和基极 - 发射极
电阻器。在BRT消除了整合这些单独的组件
他们在单一设备中。使用BRT可以减少这两种系统
成本和电路板空间。该设备被容纳在SOT -723包
这是专为低功耗表面贴装应用。
LDTA114EM3T5G
系列
3
2
1
SOT-723
简化网络连接的ES电路设计
板级空间缩小
减少了元件数量
采用SOT - 723封装可以用波或回流焊接。
可在4毫米， 8000单位带卷&
这些无铅器件。
销1
BASE
（输入）
R
1
R
2
3脚
集热器
（输出）
销2
辐射源
（接地）
最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
等级
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
集电极电流
符号
V
CBO
V
首席执行官
I
C
价值
50
50
100
单位
VDC
VDC
MADC
记号
图
3
XX M
1
xx
M
2
热特性
特征
器件总功耗
T
A
= 25°C
减免上述25℃
热电阻 -
结到环境
结存储
温度范围
1. FR-4 @最低垫
2. FR- 4 @ 1.0× 1.0英寸垫
符号
P
D
最大
260 （注1 ）
600 （注2）
2.0 （注1 ）
4.8 （注2）
480 （注1 ）
205 （注2）
-55到+150
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
°C
=具体设备守则
=日期代码
R
θJA
T
J
, T
英镑
1.0版
LDTA114EM3T5G_S-1/11
乐山无线电公司， LTD 。
LDTA114EM3T5G_Series
订购信息，设备标识和电阻值
设备
LDTA114EM3T5G
LDTA124EM3T5G
LDTA144EM3T5G
LDTA114YM3T5G
LDTA114TM3T5G
LDTA143TM3T5G
LDTA123EM3T5G
LDTA143EM3T5G
LDTA143ZM3T5G
LDTA124XM3T5G
LDTA123JM3T5G
LDTA115EM3T5G
LDTA144WM3T5G
记号
6A
6B
6C
6D
6E
6F
6H
6J
6K
6L
6M
6N
6P
R1 （ K）
10
22
47
10
10
4.7
2.2
4.7
4.7
22
2.2
100
47
R2 （ K）
10
22
47
47
∞
∞
2.2
4.7
47
47
47
100
22
包
航运
SOT723
（无铅）
8000 /磁带&卷轴
1.0版
LDTA114EM3T5G_S-2/11
乐山无线电公司， LTD 。
LDTA114EM3T5G_Series
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
特征
符号
民
典型值
最大
单位
开关特性
集电极 - 基极截止电流（V
CB
= 50 V，I
E
= 0)
集电极 - 发射极截止电流（V
CE
= 50 V，I
B
= 0)
发射基截止电流
(V
EB
= 6.0 V，I
C
= 0)
LDTA114EM3T5G
LDTA124EM3T5G
LDTA144EM3T5G
LDTA114YM3T5G
LDTA114TM3T5G
LDTA143TM3T5G
LDTA123EM3T5G
LDTA143EM3T5G
LDTA143ZM3T5G
LDTA124XM3T5G
LDTA123JM3T5G
LDTA115EM3T5G
LDTA144WM3T5G
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
50
50
100
500
0.5
0.2
0.1
0.2
0.9
1.9
2.3
1.5
0.18
0.13
0.2
0.05
0.13
NADC
NADC
MADC
集电极 - 基极击穿电压（I
C
= 10
毫安，
I
E
= 0)
集电极 - 发射极击穿电压（注3 ）
(I
C
= 2.0毫安，我
B
= 0)
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
VDC
VDC
基本特征
（注3 ）
直流电流增益
(V
CE
= 10 V，I
C
= 5.0 mA）的
LDTA114EM3T5G
LDTA124EM3T5G
LDTA144EM3T5G
LDTA114YM3T5G
LDTA114TM3T5G
LDTA143TM3T5G
LDTA123EM3T5G
LDTA143EM3T5G
LDTA143ZM3T5G
LDTA124XM3T5G
LDTA123JM3T5G
LDTA115EM3T5G
LDTA144WM3T5G
h
FE
35
60
80
80
160
160
8.0
15
80
80
80
80
80
60
100
140
140
250
250
15
27
140
130
140
150
140
0.25
VDC
集电极 - 发射极饱和电压（I
C
= 10 mA时，我
E
= 0.3 mA）的
(I
C
= 10 mA时，我
B
= 5 mA）的LDTA123EM3T5G
(I
C
= 10 mA时，我
B
= 1 mA）的LDTA114TM3T5G / LDTA143TM3T5G /
LDTA143ZM3T5G/LDTA124XM3T5G/LDTA143EM3T5G
输出电压（上）
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 2.5 V ，R
L
= 1.0千瓦）
LDTA114EM3T5G
LDTA124EM3T5G
LDTA114YM3T5G
LDTA114TM3T5G
LDTA143TM3T5G
LDTA123EM3T5G
LDTA143EM3T5G
LDTA143ZM3T5G
LDTA124XM3T5G
LDTA123JM3T5G
LDTA144EM3T5G
LDTA115EM3T5G
LDTA144WM3T5G
V
CE （ SAT ）
V
OL
V
OH
4.9
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
VDC
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 3.5 V ，R
L
= 1.0千瓦）
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 5.5 V ，R
L
= 1.0千瓦）
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 4.0 V ，R
L
= 1.0千瓦）
输出电压（关） （V
CC
= 5.0 V, V
B
= 0.5 V ，R
L
= 1.0千瓦）
LDTA114TM3T5G
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 0.25 V ，R
L
= 1.0千瓦）
LDTA143TM3T5G
LDTA123EM3T5G
LDTA143EM3T5G
3.脉冲测试：脉冲宽度< 300
女士，
占空比< 2.0 ％
VDC
1.0版
LDTA114EM3T5G_S-3/11
乐山无线电公司， LTD 。
LDTA114EM3T5G_Series
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明） （续）
特征
输入电阻
LDTA114EM3T5G
LDTA124EM3T5G
LDTA144EM3T5G
LDTA114YM3T5G
LDTA114TM3T5G
LDTA143TM3T5G
LDTA123EM3T5G
LDTA143EM3T5G
LDTA143ZM3T5G
LDTA124XM3T5G
LDTA123JM3T5G
LDTA115EM3T5G
LDTA144WM3T5G
符号
R1
民
7.0
15.4
32.9
7.0
7.0
3.3
1.5
3.3
3.3
15.4
1.54
70
32.9
0.8
0.17
0.8
0.055
0.38
0.038
1.7
典型值
10
22
47
10
10
4.7
2.2
4.7
4.7
22
2.2
100
47
1.0
0.21
1.0
0.1
0.47
0.047
2.1
最大
13
28.6
61.1
13
13
6.1
2.9
6.1
6.1
28.6
2.86
130
61.1
1.2
0.25
1.2
0.185
0.56
0.056
2.6
单位
kW
电阻率LDTA114EM3T5G / LDTA124EM3T5G / LDTA144EM3T5G
/
LDTA115EM3T5G
LDTA114YM3T5G
LDTA114TM3T5G/LDTA143TM3T5G
LDTA123EM3T5G/LDTA143EM3T5G
LDTA143ZM3T5G
LDTA124XM3T5G
LDTA123JM3T5G
LDTA144WM3T5G
300
250
200
150
100
50
0
50
R
qJA
= 480 ° C / W
R
1
/R
2
PD ，功耗（毫瓦）
0
50
100
T
A
，环境温度（ ° C）
150
图1.降额曲线
1.0版
LDTA114EM3T5G_S-4/11
乐山无线电公司， LTD 。
LDTA114EM3T5G_Series
电气特性 - LDTA114EM3T5G
VCE （SAT） ，集电极最大电压（伏）
1
I
C
/I
B
= 10
1000
的hFE ， DC电流增益（标准化）
V
CE
= 10 V
T
A
= 25°C
0.1
75°C
25°C
T
A
= 75°C
100
25°C
25°C
0.01
0
20
I
C
，集电极电流（毫安）
40
50
10
1
10
I
C
，集电极电流（毫安）
100
图2. V
CE （ SAT ）
与我
C
图3.直流电流增益
4
F = 1 MHz的
l
E
= 0 V
T
A
= 25°C
100
75°C
25°C
T
A
= 25°C
COB，电容（pF ）
3
IC ，集电极电流（毫安）
10
1
2
0.1
1
0.01
0.001
0
1
2
V
O
= 5 V
3
4
5
6
7
V
in
，输入电压（伏）
8
9
10
0
0
10
20
30
40
V
R
，反向偏置电压（伏）
50
图4.输出电容
图5.输出电流与输入电压
100
V
O
= 0.2 V
V在，输入电压（伏）
10
T
A
= 25°C
25°C
75°C
1
0.1
0
10
20
30
I
C
，集电极电流（毫安）
40
50
图6.输入电压与输出电流
1.0版
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