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乐山无线电公司， LTD 。
小信号MOSFET
115毫安， 60伏
N沟道SC- 74
我们声明该产品的材料
符合RoHS要求。
L2N7002DMT1G
ESD保护： 1000V
最大额定值
等级
漏源电压
漏极 - 栅极电压（R
GS
= 1.0 M)
漏电流
- 连续T
C
= 25 ° C（注1 ）
- 连续
T
C
= 100 ° C（注1 ）
- 脉冲（注2 ）
栅源电压
- 连续
- 不重复（ TP
≤
50
s)
符号
V
DSS
V
DGR
I
D
I
D
I
DM
价值
60
60
±115
±75
±800
单位
V
dc
V
dc
MADC
SC-74
115毫安
60伏特
R
DS （ ON）
= 7.5
W
N - 通道
V
GS
V
GSM
±20
±40
VDC
VPK
热特性
特征
器件总功耗FR- 5局
（注3 ）T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻，结到环境
器件总功耗
氧化铝基板， （注4 ） TA = 25°C
减免上述25℃
热阻，结到环境
结温和存储温度
符号
P
D
最大
225
1.8
556
300
2.4
R
θJA
T
J,
T
英镑
417
-55
+150
° C / W
°C
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
mW
毫瓦/°C的
R
θJA
P
D
1.封装的功耗可能会导致较低的连续漏极
电流。
2.脉冲测试：脉冲宽度
≤
300
s,
占空比
≤
2.0%.
3， FR - 5 = 1.0× 0.75× 0.062英寸
4.氧化铝= 0.4× 0.3× 0.025 99.5 ％的氧化铝。
订购信息
设备
L2N7002DMT1G
L2N7002DMT3G
记号
72D
72D
航运
3000磁带&卷轴
10000带&卷轴
冯.O 1/4
乐山无线电公司， LTD 。
L2N7002DMT1G
电气特性
（ TA = 25° C除非另有说明）
特征
符号
民
典型值
最大
单位
开关特性
漏源击穿电压
(V
GS
= 0, I
D
=250Adc)
零栅极电压漏极电流
(V
GS
= 0, V
DS
= 60 VDC ）
门体漏电流，正向
(V
GS
= 20 V直流）
门体漏电流，反向
(V
GS
= -20伏直流）
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSSF
I
GSSR
60
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
1.0
500
1.0
–1.0
VDC
μAdc
μAdc
μAdc
基本特征
（注2 ）
栅极阈值电压
(V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
μAdc ）
通态漏电流
(V
DS
≥
2.0 V
DS （ ON）
, V
GS
= 10 VDC ）
静态漏源通态电压
(V
GS
= 10 VDC ，我
D
= 500 MADC ）
(V
GS
= 5.0伏，我
D
= 50 MADC ）
静态漏源导通电阻
T
C
= 25°C
(V
GS
= 10 V，I
D
= 500 MADC ）
T
C
= 125°C
(V
GS
= 5.0伏，我
D
= 50 MADC ）T
C
= 25°C
T
C
= 125°C
正向跨导
(V
DS
≥
2.0 V
DS （ ON）
, I
D
= 200 MADC ）
V
GS （ TH）
I
D（上）
V
DS （ ON）
–
–
r
DS （ ON）
–
–
–
–
g
FS
80
1.4
–
1.8
–
–
7.5
13.5
7.5
13.5
–
毫姆欧
–
–
3.75
0.375
欧
1.0
500
1.6
–
2
–
VDC
mA
VDC
动态特性
输入电容
(V
DS
= 25伏，V
GS
= 0中，f = 1.0 MHz）的
输出电容
(V
DS
= 25伏，V
GS
= 0中，f = 1.0 MHz）的
反向传输电容
(V
DS
= 25伏，V
GS
= 0中，f = 1.0 MHz）的
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
–
–
–
17
10
2.5
50
25
5.0
pF
pF
pF
开关特性
（注2 ）
导通延迟时间
关断延迟时间
(V
DD
= 25伏直流，我
D
^
500 MADC ，
R
G
= 25
,
R
L
= 50
,
V
根
= 10 V)
t
D（上）
t
D（关闭）
–
–
7
11
20
40
ns
ns
体漏二极管额定值
二极管正向导通电压
(I
S
= 115 MADC ，V
GS
= 0 V)
源电流连续
（体二极管）
源电流脉冲
2.脉冲测试：脉冲宽度
≤
300
s,
占空比
≤
2.0%.
V
SD
I
S
I
SM
–
–
–
–
–
–
–1.5
–115
–800
VDC
MADC
MADC
冯.O 2/4
乐山无线电公司， LTD 。
L2N7002DMT1G
典型电气特性
2.0
1.8
I
D
，漏极电流（ AMPS ）
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0
1.0
2.0 3.0 4.0 5.0
6.0
7.0 8.0
V
DS ，
漏源极电压（伏）
T
A
= 25°C
V
GS
= 10 V
9V
8V
7V
6V
5V
4V
3V
9.0
10
I
D
，漏极电流（ AMPS ）
0.8
0.6
0.4
0.2
1.0
V
DS
= 10 V
-55°C
125°C
25°C
0
1.0
2.0 3.0 4.0
5.0
6.0 7.0 8.0
V
GS ，
门源极电压（伏）
9.0
10
图1.欧姆区
图2.传输特性
r
DS （ ON） ，
静态漏源导通电阻
（归一化）
V
GS （TH ）
阈值电压（归一化）
2.4
2.2
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
-60
-20
+20
+60
T，温度（ ° C）
+100
+140
V
GS
= 10 V
I
D
= 200毫安
1.2
1.05
1.1
1.10
1.0
0.95
0.9
0.85
0.8
0.75
0.7
-60
-20
+20
+60
T，温度（ ° C）
+100
+140
V
DS
= V
GS
I
D
= 1.0毫安
图3.温度与静
漏源导通电阻
图4.温度与门
阈值电压
冯.O 3/4
乐山无线电公司， LTD 。
L2N7002DMT1G
SC74
D
6
5
1
2
4
H
E
E
3
b
e
q
0.05 (0.002)
A1
A
L
C
暗淡
A
A1
b
c
D
E
e
L
H
E
q
民
0.90
0.01
0.25
0.10
2.90
1.30
0.85
0.20
2.50
0°
MILLIMETERS
喃
最大
1.00
1.10
0.06
0.10
0.37
0.50
0.18
0.26
3.00
3.10
1.50
1.70
0.95
1.05
0.40
0.60
2.75
3.00
10°
民
0.035
0.001
0.010
0.004
0.114
0.051
0.034
0.008
0.099
0°
英寸
喃
0.039
0.002
0.015
0.007
0.118
0.059
0.037
0.016
0.108
最大
0.043
0.004
0.020
0.010
0.122
0.067
0.041
0.024
0.118
10°
冯.O 4/4
乐山无线电公司， LTD 。
压纹带及卷数据
用于分立器件
T最大
外形尺寸
测量边缘
1.5毫米敏
(.06’’)
A
20.2毫米敏
(.795’’)
13.0mm ± 0.5mm
(.512 ±.002’’)
50毫米敏
(1.969’’)
FULL RADIUS
G
内部尺寸
测得的近中心
SIZE
8 mm
一个MAX
178.0mm
(7.0’’)
G
8.4mm+1.5mm, -0.0
(.33’’+.039’’, -0.00)
T最大
10.9mm
(.43’’)
卷轴尺寸
公制尺寸治理 - 英语在括号仅供参考
储存条件：
温度： 540 ℃保温（ 20 30℃为宜）
湿度： 3080 RH （ 40 60是首选）
推荐期限：一年后制造
（此推荐周期仅是为了在焊接条件的
该产品的特性和可靠性并不限于
此限制）
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LT1963AEST
LT1085M
LMC6484MN
LD2979XX32
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L-1503ID
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    L2N7002DMT1G
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    -
    -
    -
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SC-74
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