LMV821单一， LMV822双路， LMV824四路
低电压轨到轨输出运算放大器
www.ti.com
SLOS434I - 2004年2月 - 修订2006年7月
特点
2.5伏， 2.7伏， 5 - V性能
-40 ° C至125 ° C操作
无交越失真
在V低电源电流
CC+
= 5 V:
- LMV821 ... 0.3毫安典型值
- LMV822 ... 0.5毫安典型值
- LMV824 ... 1毫安典型值
轨到轨输出摆幅
5.5 MHz的典型增益带宽为5 V
1.9 V转换速率/μs的典型值在5 V
LMV824 。 。 。 D， DGV ，或PW包装
（ TOP VIEW ）
1OUT
1IN
1IN+
V
CC+
2IN+
2IN
2OUT
1
2
3
4
5
6
7
14
13
12
11
10
9
8
4OUT
4IN
4IN+
GND / V
CC
3IN+
3IN
3OUT
LMV822 。 。 。 D组或DGK包装
（ TOP VIEW ）
描述/
订购信息
该LMV821单一， LMV822双和LMV824
四器件是低电压（ 2.5 V至5.5 V ） ，
低功耗
商品
操作
放大器器。
电气特性很相似的
LMV3xx运算放大器（低电源电流，
轨到轨输出，输入共模范围
包括接地）。然而， LMV8xx设备
提供更高的带宽（ 5.5 MHz的典型值）和更快
压摆率（ 1.9 V /μs的典型值） 。
该LMV8xx设备是符合成本效益的解决方案
应用
需要
低电压/低功耗
操作和节省空间的考虑。该
LMV821是在超小型DCK封装，
这是SOT-23-5的约一半的大小。
在DCK包装节省了印刷电路空间
板，使小型便携式设计
电子设备（无线和蜂窝电话，
笔记本电脑，PDA ， PCMIA ） 。它还允许设计师
放置装置接近信号源来
减少噪声干扰，提高信号的完整性。
该LMV8xx设备的特点进行操作
从-40 ° C到85°C 。该LMV8xxI设备
特点是从-40 ° C至125°C操作。
1OUT
1IN -
1IN+
GND / V
CC
1
2
3
4
8
7
6
5
V
CC+
2OUT
2IN -
2IN+
LMV821 。 。 。 DBV OR DCK包装
（ TOP VIEW ）
IN +
GND / V
CC
IN-
1
2
3
5
4
V
CC+
OUT
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并在得克萨斯州的关键应用程序使用
仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
版权所有2004-2006 ，德州仪器
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订购信息
T
A
包
(1)
SC- 70 - DCK
单身
SOT -23 - DBV
SOIC - D
-40 ° C至85°C
双
MSOP / VSSOP - DGK
SOIC - D
四
TSSOP - PW
TVSOP - DGV
SC- 70 - DCK
单身
SOT -23 - DBV
SOIC - D
-40_C到125_C
双
MSOP / VSSOP - DGK
SOIC - D
四
TSSOP - PW
TVSOP - DGV
(1)
(2)
3000卷
250的卷轴
3000卷
250的卷轴
75管
2500卷
100管
2500卷
50管
2500卷
90管
2000年卷
2000年卷
3000卷
250的卷轴
3000卷
250的卷轴
75管
2500卷
100管
2500卷
50管
2500卷
90管
2000年卷
2000年卷
订购型号
LMV821DCKR
LMV821DCKT
LMV821DBVR
LMV821DBVT
LMV822D
LMV822DR
LMV822DGK
LMV822DGKR
LMV824D
LMV824DR
LMV824PW
LMV824PWR
LMV824DGVR
LMV821IDCKR
LMV821IDCKT
LMV821IDBVR
LMV821IDBVT
LMV822ID
LMV822IDR
LMV822IDGK
LMV822IDGKR
LMV824ID
LMV824IDR
LMV824IPW
LMV824IPWR
LMV824IDGVR
顶部端标记
(2)
RY }
RB8_
MV822
RA =
LMV824
MV824
MV824
RZ_
RB1_
MV822I
R8_
LMV824I
MV824I
MV824I
包装图纸，标准包装数量，热数据，符号和PCB设计指南可在
www.ti.com/sc/package 。
DBV / DCK / DGK ：实际的顶部端标记有一个指定的封装/测试网站一个额外的字符。
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符号（每个放大器）
IN =
OUT
IN +
+
V
CC
V
BIAS1
LMV824简化原理图
+
V
BIAS2
V
BIAS5
V
CC
+
V
CC
V
CC
+
产量
V
BIAS3
+
IN-
IN +
V
BIAS4
+
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LMV821单一， LMV822双路， LMV824四路
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绝对最大额定值
(1)
在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）
民
V
CC
V
ID
V
I
电源电压
(2)
差分输入电压
(3)
输入电压范围（或输入）
输出短路（一个放大器）来的时间
地
(4)
在或低于T
A
= 25 ° C，V
CC
≤
5.5 V
包
DBV包装
θ
JA
封装的热阻抗
(5) (6)
DCK包装
DGK包装
DGV包
PW包
T
J
T
英镑
(1)
(2)
(3)
(4)
(5)
(6)
工作结温
存储温度范围
–65
8引脚
14针
V
CC–
最大
5.5
±V
CC
V
CC+
无限
97
86
206
252
172
127
113
150
150
°C
°C
° C / W
单位
V
V
V
超出“绝对最大额定值”列出的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值
只是，设备在这些或超出下标明的任何其他条件的功能操作“推荐工作
条件“是不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
所有电压值（除差分电压和V
CC
为I的测量指定
OS
）是相对于所述网络GND。
差分电压为IN +相对于IN- 。
从输出到V短路
CC
可能导致过度加热并最终破坏。
最大功耗为T的函数
J
（最大） ，
θ
JA
和叔
A
。在任何环境允许的最大允许功耗
温度为P
D
= (T
J
（最大值） - T的
A
)/θ
JA
。工作在绝对最大的T
J
150℃会影响可靠性。
封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
推荐工作条件
民
V
CC
T
A
电源电压（单电源供电）
工作自由空气的温度
LMV8xxI
LMV8xx
2.5
–40
–40
最大
5
125
85
单位
V
°C
4
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LMV8xx 2.5 -V电气特性
V
CC+
= 2.5 V, V
CC–
= 0 V, V
IC
= 1 V, V
O
= 1.25 V ，而R
L
> 1兆欧（除非另有说明）
参数
V
IO
输入失调电压
高层
V
CC+
= 2.5 V ，R
L
= 600
至1.25 V
低层
V
O
输出摆幅
高层
V
CC+
= 2.5 V ，R
L
= 2 kΩ至1.25 V
低层
测试条件
T
A
25°C
-40 ° C至85°C
25°C
-40 ° C至85°C
25°C
-40 ° C至85°C
25°C
-40 ° C至85°C
25°C
-40 ° C至85°C
2.4
2.3
0.08
0.12
0.2
2.46
2.3
2.2
0.13
0.2
0.3
V
2.37
LMV8xx
民
典型值
1
最大
3.5
4
单位
mV
LMV8xxI 2.5 -V电气特性
V
CC+
= 2.5 V, V
CC–
= 0 V, V
IC
= 1 V, V
O
= 1.25 V ，而R
L
> 1兆欧（除非另有说明）
参数
V
IO
输入失调电压
高层
V
CC+
= 2.5 V ，R
L
= 600
至1.25 V
低层
V
O
输出摆幅
高层
V
CC+
= 2.5 V ，R
L
= 2 kΩ至1.25 V
低层
测试条件
T
A
25°C
-40_C到125_C
25°C
-40_C到125_C
25°C
-40_C到125_C
25°C
-40_C到125_C
25°C
-40_C到125_C
2.38
2.28
0.08
0.14
0.22
2.46
2.28
2.18
0.13
0.22
0.32
V
2.37
LMV8xxI
民
典型值
1
最大
3.5
5.5
单位
mV
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LMV821单一， LMV822双路， LMV824四路
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特点
2.5伏， 2.7伏， 5 - V性能
-40 ° C至125 ° C操作
无交越失真
在V低电源电流
CC+
= 5 V:
- LMV821 ... 0.3毫安典型值
- LMV822 ... 0.5毫安典型值
- LMV824 ... 1毫安典型值
轨到轨输出摆幅
5.5 MHz的典型增益带宽为5 V
1.9 V转换速率/μs的典型值在5 V
LMV824 。 。 。 D， DGV ，或PW包装
（ TOP VIEW ）
1OUT
1IN
1IN+
V
CC+
2IN+
2IN
2OUT
1
2
3
4
5
6
7
14
13
12
11
10
9
8
4OUT
4IN
4IN+
GND / V
CC
3IN+
3IN
3OUT
LMV822 。 。 。 D组或DGK包装
（ TOP VIEW ）
描述/订购信息
该LMV821单一， LMV822双和LMV824四
器件是低电压（2.5V到5.5V） ，低功耗
商品
操作
放大器器。
电动
特性是非常相似的LMV3xx
运算放大器（低电源电流，轨到轨
输出，输入共模范围包括
接地）。然而， LMV8xx设备提供了更高的
带宽（ 5.5 MHz的典型值）和更快的转换率
（ 1.9 V /μs的典型值） 。
该LMV8xx设备是符合成本效益的解决方案
应用
需要
低电压/低功耗
操作和节省空间的考虑。该
LMV821是在超小型DCK封装，
这是SOT-23-5的约一半的大小。该
DCK包保存在印刷电路板上的空间
并支持小型便携式电子设计
装置（无绳和蜂窝电话，笔记本电脑，PDA ，
PCMIA ） 。它还允许设计人员将
设备更接近信号源，以降低噪声
皮卡和提高信号的完整性。
该LMV8xx设备的特点进行操作
从-40 ° C到85°C 。该LMV8xxI设备
特点是从-40 ° C至125°C操作。
1OUT
1IN -
1IN+
GND / V
CC
1
2
3
4
8
7
6
5
V
CC+
2OUT
2IN -
2IN+
LMV821 。 。 。 DBV OR DCK包装
（ TOP VIEW ）
IN +
GND / V
CC
IN-
1
2
3
5
4
V
CC+
OUT
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并在得克萨斯州的关键应用程序使用
仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
版权所有 2004-2005 ，德州仪器
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订购信息
T
A
包
(1)
SC- 70 - DCK
单身
SOT -23 - DBV
SOIC - D
-40 ° C至85°C
双
MSOP / VSSOP - DGK
SOIC - D
四
TSSOP - PW
TVSOP - DGV
SC- 70 - DCK
单身
SOT -23 - DBV
SOIC - D
-40_C到125_C
双
MSOP / VSSOP - DGK
SOIC - D
四
TSSOP - PW
TVSOP - DGV
(1)
(2)
3000卷
250的卷轴
3000卷
250的卷轴
75管
2500卷
100管
2500卷
50管
2500卷
90管
2000年卷
2000年卷
3000卷
250的卷轴
3000卷
250的卷轴
75管
2500卷
100管
2500卷
50管
2500卷
90管
2000年卷
2000年卷
订购型号
LMV821DCKR
LMV821DCKT
LMV821DBVR
LMV821DBVT
LMV822D
LMV822DR
LMV822DGK
LMV822DGKR
LMV824D
LMV824DR
LMV824PW
LMV824PWR
LMV824DGVR
LMV821IDCKR
LMV821IDCKT
LMV821IDBVR
LMV821IDBVT
LMV822ID
LMV822IDR
LMV822IDGK
LMV822IDGKR
LMV824ID
LMV824IDR
LMV824IPW
LMV824IPWR
LMV824IDGVR
顶部端标记
(2)
RY }
RB8_
MV822
RA =
LMV824
MV824
MV824
RZ_
RB1_
MV822I
R8_
LMV824I
MV824I
MV824I
包装图纸，标准包装数量，热数据，符号和PCB设计指南可在
www.ti.com/sc/package 。
DBV / DCK / DGK ：实际的顶部端标记有一个指定的封装/测试网站一个额外的字符。
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符号（每个放大器）
IN =
OUT
IN +
+
V
CC
V
BIAS1
LMV824简化原理图
+
V
BIAS2
V
BIAS5
V
CC
+
V
CC
V
CC
+
产量
V
BIAS3
+
IN-
IN +
V
BIAS4
+
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绝对最大额定值
(1)
在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）
民
V
CC
V
ID
V
I
电源电压
(2)
差分输入电压
(3)
输入电压范围（或输入）
输出短路（一个放大器）来的时间
地
(4)
在或低于T
A
= 25 ° C，V
CC
≤
5.5 V
包
DBV包装
θ
JA
封装的热阻抗
(5) (6)
DCK包装
DGK包装
DGV包
PW包
T
J
T
英镑
(1)
(2)
(3)
(4)
(5)
(6)
工作结温
存储温度范围
–65
8引脚
14针
V
CC–
最大
5.5
±V
CC
V
CC+
无限
97
86
206
252
172
127
113
150
150
°C
°C
° C / W
单位
V
V
V
超出“绝对最大额定值”列出的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值
只是，设备在这些或超出下标明的任何其他条件的功能操作“推荐工作
条件“是不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
所有电压值（除差分电压和V
CC
为I的测量指定
OS
）是相对于所述网络GND。
差分电压为IN +相对于IN- 。
从输出到V短路
CC
可能导致过度加热并最终破坏。
最大功耗为T的函数
J
（最大） ，
θ
JA
和叔
A
。在任何环境允许的最大允许功耗
温度为P
D
= (T
J
（最大值） - T的
A
)/θ
JA
。工作在绝对最大的T
J
150℃会影响可靠性。
封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
推荐工作条件
民
V
CC
T
A
电源电压（单电源供电）
工作自由空气的温度
LMV8xxI
LMV8xx
2.5
–40
–40
最大
5
125
85
单位
V
°C
4
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LMV8xx 2.5 -V电气特性
V
CC+
= 2.5 V, V
CC–
= 0 V, V
IC
= 1 V, V
O
= 1.25 V ，而R
L
> 1兆欧（除非另有说明）
参数
V
IO
输入失调电压
高层
V
CC+
= 2.5 V ，R
L
= 600
至1.25 V
低层
V
O
输出摆幅
高层
V
CC+
= 2.5 V ，R
L
= 2 kΩ至1.25 V
低层
测试条件
T
A
25°C
-40 ° C至85°C
25°C
-40 ° C至85°C
25°C
-40 ° C至85°C
25°C
-40 ° C至85°C
25°C
-40 ° C至85°C
2.4
2.3
0.08
0.12
0.2
2.46
2.3
2.2
0.13
0.2
0.3
V
2.37
LMV8xx
民
典型值
1
最大
3.5
4
单位
mV
LMV8xxI 2.5 -V电气特性
V
CC+
= 2.5 V, V
CC–
= 0 V, V
IC
= 1 V, V
O
= 1.25 V ，而R
L
> 1兆欧（除非另有说明）
参数
V
IO
输入失调电压
高层
V
CC+
= 2.5 V ，R
L
= 600
至1.25 V
低层
V
O
输出摆幅
高层
V
CC+
= 2.5 V ，R
L
= 2 kΩ至1.25 V
低层
测试条件
T
A
25°C
-40_C到125_C
25°C
-40_C到125_C
25°C
-40_C到125_C
25°C
-40_C到125_C
25°C
-40_C到125_C
2.38
2.28
0.08
0.14
0.22
2.46
2.28
2.18
0.13
0.22
0.32
V
2.37
LMV8xxI
民
典型值
1
最大
3.5
5.5
单位
mV
5
QQ：2881677436 复制
