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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符K型号页 > 首字符K的型号第199页 > KTX402U
半导体
技术参数
一般工业用途。
低电压高开关速度。
特点
其中包括两名（ TR ，二极管）在USV设备。
（超超级迷你型，5引线）
简化电路设计。
减少零件和制造工艺的数量。
A
KTX402U
外延平面NPN晶体管
肖特基型二极管
B
B1
1
5
2
3
4
D
暗淡
A
A1
B
B1
C
D
G
H
T
等效电路（顶视图）
记号
5
4
5
型号名称
4
T
G
MILLIMETERS
_
2.00 + 0.20
_
+ 0.1
1.3
_
2.1 + 0.1
_
1.25+ 0.1
0.65
0.2+0.10/-0.05
0-0.1
_
0.9 + 0.1
0.15+0.1/-0.05
D1
Q1
CG
1
2
3
H
C
A1
C
1
2
3
1. D
1
2. Q
1
3. Q
1
4. Q
1
5. D
1
阳极
BASE
辐射源
集热器
阴极
MARK SPEC
TYPE
标志
KTX402U
Q
1
h
FE
等级：Y
CG
KTX402U
Q
1
h
FE
等级： GR
CJ
USV
最大额定值（ TA = 25
晶体管Q
1
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
发射极电流
集电极耗散功率
结温
存储温度范围
二极管（SBD ）D
1
特征
最大（峰值）反向电压
反向电压
最大（峰值）正向电流
平均正向电流
浪涌电流（ 10毫秒）
结温
存储温度范围
)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
P
C
T
j
T
英镑
等级
60
50
5
150
30
100
150
-55~125
单位
V
V
符号
V
RM
V
R
I
FM
I
O
I
FSM
T
j
T
英镑
等级
30
30
300
200
1
125
-55 125
单位
V
V
A
2003. 3. 11
版本号： 1
1/4
KTX402U
电气特性（ TA = 25 ）
晶体管Q
1
特征
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
跃迁频率
集电极输出电容
噪声系数
注）H
FE
分类Y： 120 240
符号
I
CBO
I
EBO
h
FE
（注）
V
CE （ SAT ）
f
T
C
ob
NF
GR ： 200 400 。
测试条件
V
CB
= 60V ，我
E
=0
V
EB
= 5V ，我
C
=0
V
CE
= 6V ，我
C
=2
I
C
=100 , I
B
=10
V
CE
= 10V ，我
C
=1
V
CB
= 10V ，我
E
=0, f=1
V
CE
= 6V ，我
C
=0.1 , f=1
， RG = 10
分钟。
-
-
120
-
80
-
-
典型值。
-
-
-
0.1
-
2.0
1.0
马克斯。
0.1
0.1
400
0.25
-
3.5
10
dB
V
单位
二极管（SBD ）D
1
特征
符号
V
F(1)
正向电压
V
F(2)
V
F(3)
V
F(4)
反向电流
总电容
I
R
C
T
I
F
=1mA
I
F
=10mA
I
F
=100mA
I
F
=200mA
V
R
=30V
V
R
=0, f=1
测试条件
分钟。
-
-
-
-
-
-
典型值。
0.22
0.29
0.38
0.43
-
50
马克斯。
-
-
-
0.55
50
-
V
单位
2003. 3. 11
版本号： 1
2/4
KTX402U
Q
1
（ NPN晶体管）
I
C
- V
CE
240
h
FE
- I
C
1k
共发射极
集电极电流I
C
（MA ）
6.0
5.0
3.0
2.0
直流电流增益
FE
200
160
120
80
40
0
共发射极
TA = 25℃
500
300
TA = 100℃
TA = 25℃
TA = -25℃
V
CE
=6V
1.0
0.5
I
B
=0.2mA
0
100
50
30
V
CE
=1V
0
1
2
3
4
5
6
7
10
0.1
0.3
1
3
10
30
100
300
集电极 - 发射极电压V
CE
(V)
集电极电流I
C
（MA ）
V
CE （ SAT ）
- I
C
集电极 - 发射极饱和
电压V
CE （ SAT ）
(V)
1
0.5
0.3
V
BE （ SAT ）
- I
C
10
基射极饱和
电压V
BE （ SAT ）
(V)
共发射极
I
C
/I
B
=10
5
3
共发射极
I
C
/I
B
=10
TA = 25℃
0.1
0.05
0.03
0
10
a=
T
C
1
0.5
0.3
TA = 25℃
TA = -25℃
0.01
0.1
0.1
0.3
1
3
10
30
100
300
0.1
0.3
1
3
10
30
100
300
集电极电流I
C
（MA ）
集电极电流I
C
（MA ）
f
T
- I
C
过渡频率f
T
（兆赫）
3k
1k
500
300
100
50
30
10
0.1
共发射极
V
CE
=10V
TA = 25℃
I
B
- V
BE
3k
1k
300
100
30
10
3
1
0.3
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
Ta=1
00 C
Ta=2
5 C
TA = -
25 C
0.3
1
3
10
30
100
300
集电极电流I
C
（MA ）
基极电流I
B
(A)
常见
辐射源
V
CE
=6V
基极 - 发射极电压V
BE
(V)
2003. 3. 11
版本号： 1
3/4
KTX402U
-h参数 - 我
C
2k
1k
500
300
100
-h参数
50
30
10
5
3
1
0.5
0.3
0.1
O
GR
共发射极
V
CE
= 12V ， F = 270HZ
TA = 25℃
h
fe
-h参数 - V
CE
2k
1k
300
100
O
Y
GR
共发射极
I
C
= 2毫安，TA = 25℃
BL
Y
O
h
fe
BL
Y
O
BL
Y
O
GR
GR
-h参数
h
ie
xkΩ
BL
30
10
3
1
0.3
0.1
0.5
h
re
x10
-4
GR
Y
GR
BL
BL
Y
O
O
h
ie
xkΩ
h
oe
x
BL
GR
Y
O
h
oe
x
GR
Y
BL
h
re
x10
-4
0.1
0.5
1
3
5
10
30 50
1
3
10
30
100
300
集电极电流I
C
（MA ）
D
1
（SBD）
集电极 - 发射极电压V
CE
(V)
I
F
- V
F
正向电流I
F
（MA ）
反向电流I
R
(A)
10
10
1
10
-1
10
-2
10
-3
10
-4
0
100
200
300
400
500
2
I
R
10
5
TA = 25℃
- V
R
TA = 25℃
1
0.5
0
5
10
15
20
25
30
正向电压V
F
（毫伏）
反向电压V
R
(V)
C
T
- V
R
100
总电容C
T
（PF ）
50
TA = 25℃
f=1MHz
10
5
0
5
10
15
20
25
30
反向电压V
R
(V)
2003. 3. 11
版本号： 1
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KT842L51
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    -
    -
    -
    -
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