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IGBT驱动混合集成电路（ TX- K841 / K841L ）
应用手册
IGBT-
IGBT驱动混合集成电路
（ TX-
(TX-K841/K841L)
应用手册
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IGBT驱动混合集成电路（ TX- K841 / K841L ）
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框图
特点
K841是一个混合IC能够驱动
高达600A的600V IGBT和300A的1200V IGBT
提高EXB841 。直接替换。更少的延时，更高的工作频率。
只用一个单电源供电。通过驱动程序本身产生的负电源从而降低了
外部设备。
K841与K841L具有相同的内置的过流保护电路。此外， K841L可以阻止输入
PWM信号时， IGBT的短路，保证了软关机，可以有效地进行。
应用
驱动IGBT的变频器，伺服系统，不间断电源（ UPS ） ，焊接应用。
外形尺寸（mm ）
电气特性
（ TA = 25 ， VP = 20V ， Fop的= 50KHz的， CL = 100nF的，除非另有说明）
参数
电源电压
符号
Vp
℃
测试条件
分钟。典型值。马克斯。
19
20
21
单位
V
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待机电流
电源电流
IIO
IIL
CL=0
CL=100n
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12
100
8
10
14.5
V
-4.5
6
A
-6
2000 2800
2500
0
0
0.8
0.2
0.3
0.5
0.6
0.7
0.7
V
60
100
nC
VRMS
千赫
13
mA
mA
输入信号电流峰值Ipwm
VOH
输出电压
VOL
IOHP
输出电流
Iolp
输出充电
隔离电压
工作频率
占空比
最小脉冲宽度
上升延时
秋季延迟
上升时间
下降时间
保护门槛
盲时间
软关断时间
输出故障信号电流
故障信号延时
工作温度
储存温度
QOUT
VISO
FOP
Rg=2
CL=100nF
Fop=20KHz
Ton=2
为50Hz / 1分钟
Tonmin CL = 100nF的
Rg=2
Rg=2
Tf
Vn
Tblind
Tsoft
IFLT
TFLT
顶部
TST
2.5
10
10
50
-30
-50
90
120
20
应用电路：
℃
℃
μ
μ
Ω
Tr
,CL=100nF
0.5
0.5
8.5
μ
TFD
Ω
TRD
,Ipwm=10mA
μ
％
μ
Ω
S
δ
S
S
S
S
mA
nS
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注意事项：
1.滤波电容抄送，CE和Cp 22-47
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μF电解电容器，每一个并联用0.22
更多的CBB电容。所有电容> = 25V 。
2. RG 2.2
15
Rge>=4K7/0.25W
3. EXB841可以与K841 / K841L直接在现有的电路来代替。光耦的电流输入信号应
为约10毫安。
提醒
谨防引脚3和1之间输出短路。
引脚说明：
1
2
3
4
5
6
7
9
驱动电路的接地参考，连接到IGBT的发射极。
电源VP阳性端口。
驱动器的输出端口，连接到IGBT的栅极。
不使用。
故障信号输出端口。
IGBT电流检测端口，连接到IGBT的集电极。
8
不使用。
电源VP的负面端口。
11
15
12
13
不使用。
10
14
输入信号。
μ
μ
F或
。
；Ω － ＝
： 、
： 、 、 、
：
：、
：
：
：
：
：
：
：
：
：
：
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