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半导体
技术参数
超高速开关应用
模拟开关应用
EATURES
2.5栅极驱动。
低阈值电压： V
th
=0.5
高速。
小包装。
增强模式。
KTK5162S
N沟道MOS场
场效应晶体管
L
E
B
L
暗淡
A
MILLIMETERS
_
2.93 + 0.20
1.30+0.20/-0.15
1.30最大
0.45+0.15/-0.05
2.40+0.30/-0.20
1.90
0.95
0.13+0.10/-0.05
0.00 ~ 0.10
0.55
0.20 MIN
1.00+0.20/-0.10
7
1.5V.
2
3
D
B
C
D
E
G
H
J
K
A
G
H
1
P
P
L
M
N
P
C
N
特征
漏源电压
栅源电压
直流漏电流
漏极功耗
通道温度
存储温度范围
符号
V
DS
V
GSS
I
D
P
D
T
ch
T
英镑
等级
60
20
100
200
150
-55
150
单位
V
V
mA
mW
1.源
2.门
3.排水
K
最大额定值（ TA = 25
)
M
SOT-23
等效电路
D
记号
LOT号
G
型号名称
KF
S
该晶体管静电敏感器件。
请谨慎操作。
电气特性（ TA = 25 ）
特征
栅极漏电流
漏源击穿电压
排水截止电流
栅极阈值电压
正向转移导纳
漏源导通电阻
输入电容
反向传输电容
输出电容
开关时间
开启时间
打开-O FF时间
符号
I
GSS
V
（ BR ） DSS
I
DSS
V
th
|Y
fs
|
R
DS （ ON）
C
国际空间站
C
RSS
C
OSS
t
on
t
关闭
V
GS
=
测试条件
16V, V
DS
=0V
分钟。
-
60
-
0.5
85
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
-
-
-
120
22
6.2
1.5
4.4
10
105
马克斯。
1
-
1
1.5
-
40
-
-
-
-
-
pF
pF
pF
nS
nS
单位
A
V
A
V
mS
I
D
= 100 A，V
GS
=0V
V
DS
=60V, V
GS
=0V
V
DS
= 3V ，我
D
=0.1mA
V
DS
= 10V ，我
D
=50mA
I
D
= 10毫安，V
GS
=2.5V
V
DS
=10V, V
GS
= 0V ， F = 1MHz的
V
DS
=10V, V
GS
= 0V ， F = 1MHz的
V
DS
=10V, V
GS
= 0V ， F = 1MHz的
V
DD
= 25V ，我
D
= 50mA时V
GS
=0 2.5V
2001. 10. 29
版本号： 0
J
1/3
KTK5162S
I
D
- V
GS
I
D
- V
DS
0.10
漏电流I
D
(A)
0.08
8.0
V
（低电压区域）
0.20
3.0
漏电流I
D
(A)
V
0.16
0.14
0.12
0.10
0.08
0.06
0.04
0.02
0
0
0.06
0.04
0.02
V
GS
=2.0V
2.5V
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
漏源电压V
DS
(V)
1
2
TA
-25
TA
C
25
C
TA
75
C
常见的来源
TA = 25℃
6
V
.0
V
4.0
10
0.18
常见的来源
V
SD
=10V
V
3
4
5
漏源电压V
GS
(V)
Y
fs
- I
D
正向转移导纳
Y
fs
(S)
1
0.5
0.3
Ta=-2
5 C
I
F
- V
SD
0.3
正向电流I
F
(A)
常见的来源
V
GS
=0
常见的来源
V
DS
=3V
0.05
0.03
0.1
0.05
0.03
0.01
5 C
Ta=2
Ta=75
C
0.01
0.03
0.05
0.1
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
漏电流I
D
(A)
二极管的正向VOTAGE V
SD
(V)
30
电容C （PF ）
漏源导通电阻
R
DS （ ON）
()
- V
DS
常见的来源
V
GS
=0
f=1MHz
TA = 25℃
C
国际空间站
C
OSS
R
DS （ ON）
- I
D
50
30
常见的来源
V
GS
=2.5V
TA = 25℃
10
5
3
10
1
0.5
0
5
10
15
20
25
30
C
RSS
5
0.3 0.5
1
3
5
10
30
漏电流I
D
（MA ）
35
40
45
50
漏源电压V
DS
(V)
2001. 10. 29
版本号： 0
75
C
TA
25
C
TA
-25
C
0.1
TA
2/3
KTK5162S
吨 - 我
D
漏极功耗P
D
（ mW）的
1K
开关时间t（ NS ）
500
300
100
50
30
10
5
0.01
0.03
0.05
0.1
漏电流I
D
(A)
t
r
t
on
t
f
V
DD
=25V
V
GS
=10V
P
D
- TA
350
300
250
200
150
100
50
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
t
关闭
周围温度Ta （℃）
开关时间测试电路
V
DD
=25V
I
D
=500mA
R
L
=500
D
PW=10s
D.U. < 1 ％
=
10V
0V
V
IN
P.G
50
S
KTK5162S
V
OUT
V
IN
G
2001. 10. 29
版本号： 0
3/3
半导体
技术参数
超高速开关应用
模拟开关应用
EATURES
2.5栅极驱动。
低阈值电压： V
th
=0.5
高速。
小包装。
增强模式。
KTK5162S
N沟道MOS场
场效应晶体管
L
E
B
L
暗淡
A
MILLIMETERS
_
2.93 + 0.20
1.30+0.20/-0.15
1.30最大
0.45+0.15/-0.05
2.40+0.30/-0.20
1.90
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0.00 ~ 0.10
0.55
0.20 MIN
1.00+0.20/-0.10
7
1.5V.
2
3
D
B
C
D
E
G
H
J
K
A
G
H
1
P
P
L
M
N
P
C
N
特征
漏源电压
栅源电压
直流漏电流
漏极功耗
通道温度
存储温度范围
符号
V
DS
V
GSS
I
D
P
D
T
ch
T
英镑
等级
60
20
100
200
150
-55
150
单位
V
V
mA
mW
1.源
2.门
3.排水
K
最大额定值（ TA = 25
)
M
SOT-23
等效电路
D
记号
LOT号
G
型号名称
KF
S
该晶体管静电敏感器件。
请谨慎操作。
电气特性（ TA = 25 ）
特征
栅极漏电流
漏源击穿电压
排水截止电流
栅极阈值电压
正向转移导纳
漏源导通电阻
输入电容
反向传输电容
输出电容
开关时间
开启时间
打开-O FF时间
符号
I
GSS
V
（ BR ） DSS
I
DSS
V
th
|Y
fs
|
R
DS （ ON）
C
国际空间站
C
RSS
C
OSS
t
on
t
关闭
V
GS
=
测试条件
16V, V
DS
=0V
分钟。
-
60
-
0.5
85
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
-
-
-
120
22
6.2
1.5
4.4
10
105
马克斯。
1
-
1
1.5
-
40
-
-
-
-
-
pF
pF
pF
nS
nS
单位
A
V
A
V
mS
I
D
= 100 A，V
GS
=0V
V
DS
=60V, V
GS
=0V
V
DS
= 3V ，我
D
=0.1mA
V
DS
= 10V ，我
D
=50mA
I
D
= 10毫安，V
GS
=2.5V
V
DS
=10V, V
GS
= 0V ， F = 1MHz的
V
DS
=10V, V
GS
= 0V ， F = 1MHz的
V
DS
=10V, V
GS
= 0V ， F = 1MHz的
V
DD
= 25V ，我
D
= 50mA时V
GS
=0 2.5V
2001. 10. 29
版本号： 0
J
1/3
KTK5162S
I
D
- V
GS
I
D
- V
DS
0.10
漏电流I
D
(A)
0.08
8.0
V
（低电压区域）
0.20
3.0
漏电流I
D
(A)
V
0.16
0.14
0.12
0.10
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0.04
0.02
0
0
0.06
0.04
0.02
V
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=2.0V
2.5V
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
漏源电压V
DS
(V)
1
2
TA
-25
TA
C
25
C
TA
75
C
常见的来源
TA = 25℃
6
V
.0
V
4.0
10
0.18
常见的来源
V
SD
=10V
V
3
4
5
漏源电压V
GS
(V)
Y
fs
- I
D
正向转移导纳
Y
fs
(S)
1
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I
F
- V
SD
0.3
正向电流I
F
(A)
常见的来源
V
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=0
常见的来源
V
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0.03
0.1
0.05
0.03
0.01
5 C
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Ta=75
C
0.01
0.03
0.05
0.1
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
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1.1
1.2
漏电流I
D
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二极管的正向VOTAGE V
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电容C （PF ）
漏源导通电阻
R
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()
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常见的来源
V
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=0
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TA = 25℃
C
国际空间站
C
OSS
R
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D
50
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常见的来源
V
GS
=2.5V
TA = 25℃
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5
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25
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C
RSS
5
0.3 0.5
1
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5
10
30
漏电流I
D
（MA ）
35
40
45
50
漏源电压V
DS
(V)
2001. 10. 29
版本号： 0
75
C
TA
25
C
TA
-25
C
0.1
TA
2/3
KTK5162S
吨 - 我
D
漏极功耗P
D
（ mW）的
1K
开关时间t（ NS ）
500
300
100
50
30
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5
0.01
0.03
0.05
0.1
漏电流I
D
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t
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60
80
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120
140
160
t
关闭
周围温度Ta （℃）
开关时间测试电路
V
DD
=25V
I
D
=500mA
R
L
=500
D
PW=10s
D.U. < 1 ％
=
10V
0V
V
IN
P.G
50
S
KTK5162S
V
OUT
V
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G
2001. 10. 29
版本号： 0
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K4M28163LF-R1L
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    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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    -
    -
    -
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联系人：刘先生
地址：海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
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