WTE
功率半导体
KBP150G - KBP1510G
Pb
1.5A玻璃钝化单相桥式整流器
特点
玻璃钝化片建设
低正向压降
高电流能力
高可靠性
高浪涌电流能力
理想的印刷电路板
可识别的文件＃ E157705
A
L
KBPM
民
J
-
~
~
+
B
K
C
I
E
G
H
机械数据
案例： KBPM ，模压塑料
终端：每焊镀信息
MIL- STD- 202方法208
极性：对人体标示
重量：2.7克数（大约）
D
安装位置：任意
标记：型号数量
无铅：对于符合RoHS /无铅版本，
新增“ -LF ”后缀型号，见第4页
暗淡
最大
A
14.22
15.24
B
10.67
11.68
C
15.20
—
D
4.30
4.70
E
3.60
4.10
G
2.75
3.15
H
0.76
0.86
I
1.52
—
J
11.68
12.70
K
12.7
—
L
3.2× 45 °的典型
尺寸：mm
最大额定值和电气特性
单相半波， 60赫兹，电阻或电感性负载。
对于容性负载，减免电流20 ％ 。
KBP
150G
50
35
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
特征
反向重复峰值电压
工作峰值反向电压
阻断电压DC
RMS反向电压
平均整流输出电流
@T
A
= 50°C
符号
V
RRM
V
RWM
V
R
V
R（ RMS ）
I
O
I
FSM
V
FM
I
RM
I
2
t
C
j
R
θJA
R
θJL
T
j,
T
英镑
KBP
151G
100
70
KBP
152G
200
140
KBP
154G
400
280
1.5
50
1.3
5.0
500
10
15
40
13
-55到+150
KBP
156G
600
420
KBP
158G
800
560
KBP
1510G
1000
700
单位
V
V
A
A
V
A
A
2
s
pF
° C / W
°C
非重复峰值正向浪涌电流
8.3ms单半正弦波叠加
额定负荷（ JEDEC的方法）
每腿正向电压
峰值反向电流
在额定阻断电压DC
额定值融合（ t<8.3ms ）
每腿典型结电容（注1 ）
每腿典型热阻（注2 ）
工作和存储温度范围
@I
F
= 1.5A
@T
A
= 25°C
@T
A
= 125°C
注：1，测得1.0 MHz和应用的4.0V直流反接电压
2.安装在PCB板上， 12毫米
2
铜垫。
KBP150G - KBP1510G
1 4
2006韩元鼎好电子
订购信息
产品编号
KBP150G
KBP151G
KBP152G
KBP154G
KBP156G
KBP158G
KBP1510G
1.
2.
套餐类型
SIL桥
SIL桥
SIL桥
SIL桥
SIL桥
SIL桥
SIL桥
送货数量
600台/箱
600台/箱
600台/箱
600台/箱
600台/箱
600台/箱
600台/箱
鉴于航运量仅为最小包装量。对于最低
订货量，请咨询售楼部。
如需订购无铅版本（与无铅完成） ，加上“ -LF ”后缀部分
上述数字。例如， KBP150G -LF 。
韩元鼎好电子有限公司（ WTE ）已仔细检查了所有的信息，并认为它是正确的，准确的。然而， WTE不承担任何
责任不准确。此外，这种信息不给半导体器件的购买者根据专利权的任何许可
制造商。 WTE保留此更改任何或所有信息，而无需另行通知的权利。
警告：
不要使用生命支持设备。垃圾发电功率半导体产品不授权在生活中使用的关键组件
支持设备或系统未经明确的书面批准。
韩元鼎好电子有限公司
44号谷喀嗯北三路，茅根陈DIST。 ，高雄，台湾
电话：
886-7-822-5408或886-7-822-5410
传真：
886-7-822-5417
电子邮件：
sales@wontop.com
互联网：
http://www.wontop.com
我们日常供电。
KBP150G - KBP1510G
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2006韩元鼎好电子
W TE
PO WE R SEM IC ND UC TO R 5
KBP150G - KBP1510G
1.5A玻璃钝化整流桥
特点
!
!
!
!
!
!
玻璃钝化片建设
低正向压降
高电流能力
高可靠性
高浪涌电流能力
理想的印刷电路板
L
A
KBP
暗淡
民
最大
A
14.22
15.24
B
10.67
11.68
C
15.2
—
D
4.57
5.08
E
3.60
4.10
G
2.16
2.67
H
0.76
0.86
I
1.52
—
J
11.68
12.7
K
12.7
—
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3.2× 45 °的典型
尺寸：mm
B
+
~
~
-
J
C
K
H
E
G
I
机械数据
!
!
!
!
!
!
案例：模压塑料
终端：每焊镀信息
MIL- STD- 202方法208
极性：对人体标示
重量：2.7克数（大约）
安装位置：任意
标记：型号数量
D
最大额定值和电气特性
单相半波， 60赫兹，电阻或电感性负载。
对于容性负载，减免电流20 ％ 。
KBP
150G
50
35
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
特征
反向重复峰值电压
工作峰值反向电压
阻断电压DC
RMS反向电压
平均整流输出电流
（注1 ）
符号
V
RRM
V
RWM
V
R
V
R（ RMS ）
I
O
KBP
151G
100
70
KBP
152G
200
140
KBP
154G
400
280
1.5
KBP
156G
600
420
KBP
158G
800
560
KBP
1510G
1000
700
单位
V
V
A
@T
A
= 50°C
非重复峰值正向浪涌电流
8.3ms单半正弦波叠加
额定负荷（ JEDEC的方法）
正向电压（每件）
峰值反向电流
在额定阻断电压DC
额定值融合（ t<8.3ms ）
每个元素典型结电容（注2 ）
典型热阻（注3 ）
工作和存储温度范围
@I
F
= 1.5A
@T
A
= 25°C
@T
A
= 100°C
I
FSM
V
FM
I
RM
I
2
t
C
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R
θJA
T
j,
T
英镑
50
1.1
10
500
10
15
28
-55到+150
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V
A
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s
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K / W
°C
注意：保持在环境温度下1信息，在从所述壳体的距离9.5毫米。
2.测得1.0 MHz和应用的4.0V直流反接电压
3.热阻结到环境的安装在PC板12毫米
2
铜垫。
KBP150G - KBP1510G
1第3
2002韩元鼎好电子
订购信息
产品编号
KBP150G
KBP151G
KBP152G
KBP154G
KBP156G
KBP158G
KBP1510G
套餐类型
SIL桥
SIL桥
SIL桥
SIL桥
SIL桥
SIL桥
SIL桥
送货数量
1000单位/箱
1000单位/箱
1000单位/箱
1000单位/箱
1000单位/箱
1000单位/箱
1000单位/箱
鉴于航运量仅为最小包装量。最小订单
量，请咨询售楼部。
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责任不准确。此外，这种信息不给半导体器件的购买者根据专利权的任何许可
制造商。 WTE保留此更改任何或所有信息，而无需另行通知的权利。
警告：
不要使用生命支持设备。垃圾发电功率半导体产品不授权在生活中使用的关键组件
支持设备或系统未经明确的书面批准。
韩元鼎好电子有限公司
44号谷喀嗯北三路，茅根陈DIST。 ，高雄，台湾
电话：
886-7-822-5408或886-7-822-5410
传真：
886-7-822-5417
电子邮件：
sales@wontop.com
互联网：
http://www.wontop.com
我们日常供电。
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KBP150G - KBP1510G
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