半导体
技术参数
一般工业用途。
切换应用程序。
B
KTC9015A
外延平面PNP晶体管
C
特点
: h
FE
(I
C
=-0.1mA)/h
FE
(I
C
=-2mA)=0.95(Typ.).
ULOW
噪音： NF = 1分贝（典型值） ，在f = 1kHz时。
·补充
到KTC9014A 。
K
D
G
N
E
A
优秀
h
FE
线性
最大额定值（ TA = 25 ℃ ）
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
发射极电流
集电极耗散功率
结温
存储温度范围
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
E
P
C
T
j
T
英镑
等级
-50
-50
-5
-150
150
400
150
-55½150
单位
V
L
F
H
F
V
V
mA
mA
mW
℃
℃
M
1
2
3
C
暗淡
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
MILLIMETERS
4.70 MAX
4.80 MAX
3.70 MAX
0.45
1.00
1.27
0.85
0.45
_
14.00 + 0.50
0.55最大
2.30
0.45最大
1.00
J
1.发射器
2.基
3.收集
TO- 92 （F ）
电气特性（Ta = 25℃）
特征
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
跃迁频率
集电极输出电容
噪声系数
注：H
FE
Classification A:60½150,
符号
I
CBO
I
EBO
h
FE
（注）
V
CE （ SAT ）
f
T
C
ob
NF
B:100½300,
测试条件
V
CB
= -50V ，我
E
=0
V
EB
= -5V ，我
C
=0
V
CE
= -5V ，我
C
=-1mA
I
C
= -100mA ，我
B
=-10mA
V
CE
= -10V ，我
C
= -1mA ， F = 100MHz的
V
CB
= -10V ，我
E
= 0中，f = 1MHz的
V
CE
= -6V ，我
C
= -0.1mA ， RG = 10kΩ的中，f = 1kHz时
C:200½600
分钟。
-
-
60
-
60
-
-
典型值。
-
-
-
-0.1
-
4.0
1.0
马克斯。
-50
-100
600
-0.3
-
7.0
10
V
兆赫
pF
dB
单位
nA
nA
2010. 1. 28
版本号： 2
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