DRAM模块
KMM372C80(8)3CK/CS
KMM372C80 （ 8 ） 3CK / CS快速页面模式
8Mx72 DRAM DIMM ECC与使用8Mx8 ， 4K & 8K刷新， 5V
概述
三星KMM372C80 （ 8 ） 3C是8Mx72bits动态
RAM的高密度内存模块。三星
KMM372C80 （ 8 ） 3C包括九个CMOS 8Mx8bits的DRAM
在SOJ / TSOP - II封装400mil和2个16位的驱动器IC
装在一个168引脚的玻璃环氧树脂子TSSOP封装
施特拉特。一个0.1或0.22uF的去耦电容器安装在
印刷电路板为每个DRAM 。该
KMM372C80 （ 8 ） 3C是双列直插式内存模块，并
用于安装到168引脚的边缘连接器插座。
特点
部分鉴定
产品型号
KMM372C803CK
KMM372C803CS
KMM372C883CK
KMM372C883CS
PKG
SOJ
TSOP
SOJ
TSOP
8K
4K/64ms
8K/64ms
REF 。
4K
CBR参考。
ROR参考。
4K/64ms
性能范围
速度
-5
-6
t
RAC
50ns
60ns
t
CAC
18ns
20ns
t
RC
90ns
110ns
t
PC
35ns
40ns
快速页模式操作
CAS先于RAS的刷新功能
RAS-只和隐藏刷新功能
TTL兼容的输入和输出
单5V ± 10 ％电源
JEDEC标准引脚&缓冲PDpin
缓冲输入，除了RAS和DQ
PCB ：身高（ 1250mil ） ，单双面组件
销刀豆网络gurations
销前销前销前
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
V
SS
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
V
CC
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
DQ8
V
SS
DQ9
DQ10
DQ11
DQ12
DQ13
V
CC
DQ14
DQ15
DQ16
DQ17
V
SS
RSVD
RSVD
V
CC
W0
CAS0
29 * 57 CAS2
30 RAS0 58
31
OE0 59
60
32
V
SS
61
A0
33
62
34
A2
63
A4
35
64
36
A6
A8
65
37
66
38
A10
67
A12
39
68
40
V
CC
41 RFU 69
42 RFU 70
71
V
SS
43
44
OE2 72
45 RAS2 73
46 CAS4 74
47 * 75 CAS6
76
48
W2
77
49
V
CC
50 RSVD 78
51 RSVD 79
52 DQ18 80
53 DQ19 81
82
54
V
SS
55 DQ20 83
56 DQ21 84
DQ22
DQ23
V
CC
DQ24
俄罗斯足协
俄罗斯足协
俄罗斯足协
俄罗斯足协
DQ25
DQ26
DQ27
V
SS
DQ28
DQ29
DQ30
DQ31
V
CC
DQ32
DQ33
DQ34
DQ35
V
SS
PD1
PD3
PD5
PD7
ID0
V
CC
针
85
86
87
88
89
90
91
92
93
94
95
96
97
98
99
100
101
102
103
104
105
106
107
108
109
110
111
112
后
V
SS
DQ36
DQ37
DQ38
DQ39
V
CC
DQ40
DQ41
DQ42
DQ43
DQ44
V
SS
DQ45
DQ46
DQ47
DQ48
DQ49
V
CC
DQ50
DQ51
DQ52
DQ53
V
SS
RSVD
RSVD
V
CC
俄罗斯足协
*CAS1
针
113
114
115
116
117
118
119
120
121
122
123
124
125
126
127
128
129
130
131
132
133
134
135
136
137
138
139
140
后
*CAS3
*RAS1
俄罗斯足协
V
SS
A1
A3
A5
A7
A9
A11
*A13
V
CC
俄罗斯足协
B0
V
SS
俄罗斯足协
*RAS3
*CAS5
*CAS7
PDE
V
CC
RSVD
RSVD
DQ54
DQ55
V
SS
DQ56
DQ57
针
141
142
143
144
145
146
147
148
149
150
151
152
153
154
155
156
157
158
159
160
161
162
163
164
165
166
167
168
后
DQ58
DQ59
V
CC
DQ60
俄罗斯足协
俄罗斯足协
俄罗斯足协
俄罗斯足协
DQ61
DQ62
DQ63
V
SS
DQ64
DQ65
DQ66
DQ67
V
CC
DQ68
DQ69
DQ70
DQ71
V
SS
PD2
PD4
PD6
PD8
ID1
V
CC
引脚名称
引脚名称
A0，B0 ， A1 - A11
A0，B0 ， A1 - A12
DQ0 - DQ71
W0, W2
OE0 ， OE2
RAS0 ， RAS2
CAS0 ， CAS4
V
CC
V
SS
NC
PDE
PD1 - 8
ID0 - 1
RSVD
俄罗斯足协
功能
地址输入（ 4K参考。 ）
地址输入（ 8K参考。 ）
IN / OUT数据
读/写使能
OUTPUT ENABLE
行地址选通
列地址选通
Power(+5V)
地
无连接
设备检测启用
设备检测
ID位
保留使用
留作将来使用
标针
′
*
′
未在本模块中使用。
PD & ID表
针
PD1
PD2
PD3
PD4
PD5
PD6
PD7
PD8
ID0
ID1
50NS
1
0
1
1
0
0
0
0
0
0
60NS
1
0
1
1
0
1
1
0
0
0
注： A12仅用于KMM372C883CK / CS （ 8K参考）
PD注： PD &号端子必须在每个被向上拉通过电阻到V
CC
在下一较高
水平装配。 PD设备会为开（ NC）或驱动到V
SS
通过板载缓冲电路。
PD ： 0的驱动器的卷IC & 1 N.C
标识说明：标识的为开（NC ），或直接连接到V
SS
无缓冲。
ID ： 0 VSS的& 1 N.C
DRAM模块
功能框图
RAS0
W0
OE0
CAS0
A0
A1-A11(A12)
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
DQ8
DQ9
DQ10
DQ11
DQ12
DQ13
DQ14
DQ15
RAS2
W2
OE2
CAS4
B0
A1-A11(A12)
KMM372C80(8)3CK/CS
U0
U5
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
DQ40
DQ41
DQ42
DQ43
DQ44
DQ45
DQ46
DQ47
DQ48
DQ49
DQ50
DQ51
DQ52
DQ53
DQ54
DQ55
DQ56
DQ57
DQ58
DQ59
DQ60
DQ61
DQ62
DQ63
U1
U6
U2
DQ16
DQ17
DQ18
DQ19
DQ20
DQ21
DQ22
DQ23
DQ24
DQ25
DQ26
DQ27
DQ28
DQ29
DQ30
DQ31
DQ32
DQ33
DQ34
DQ35
DQ36
DQ37
DQ38
DQ39
U7
U3
U8
DQ64
DQ65
DQ66
DQ67
DQ68
DQ69
DQ70
DQ71
VCC
0.1或0.22uF电容
每个DRAM下
VSS
所有的DRAM
U4
注： A12仅用于KMM372C880CK / CS （ 8K参考）
A0
B0
A1-A11(A12)
W0 ， OE0
W2 ， OE2
U0-U4
U5-U8
U0-U8
U0-U4
U5-U8
DRAM模块
绝对最大额定值*
项
在任何相对引脚V电压
SS
在V电压
CC
供应相对于V
SS
储存温度
功耗
短路输出电流
符号
V
IN
, V
OUT
V
CC
T
英镑
P
D
I
OS
KMM372C80(8)3CK/CS
等级
-1到7.0
-1到7.0
-55到+125
9
50
单位
V
V
°C
W
mA
*如果绝对最大额定值超出可能会造成永久性损坏设备。功能操作应仅限于
条件详见本数据表中的业务部门。暴露在绝对最大额定值条件下，预期
期间可能会影响器件的可靠性。
推荐工作条件
（电压参考V
SS
, T
A
= 0 70℃ ）
项
电源电压
地
输入高电压
输入低电压
符号
V
CC
V
SS
V
IH
V
IL
民
4.5
0
2.4
-1.0
*2
典型值
5.0
0
-
-
最大
5.5
0
V
CC*1
0.8
单位
V
V
V
V
*1 : V
CC
+ 2.0V的脉冲width≤20ns ，其测量V
CC
.
* 2： -2.0V在脉冲width≤20ns ，其测量V
SS
.
DC和工作特性
（推荐工作条件，除非另有说明）
符号
I
CC1
I
CC2
I
CC3
I
CC4
I
CC5
I
CC6
I
I（L）
I
O（ L）
V
OH
V
OL
速度
-5
-6
不在乎
-5
-6
-5
-6
不在乎
-5
-6
不在乎
不在乎
KMM372C803CK/CS
民
-
--
KMM372C883CK/CS
民
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-10
-5
2.4
-
最大
810
720
100
810
720
540
450
30
810
720
10
5
-
0.4
最大
1080
990
100
1080
990
630
540
30
1080
990
10
5
-
0.4
单位
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
uA
uA
V
V
-
-
-
-
-
-
-
-
-10
-5
2.4
-
I
CC1
*：工作电流* （ RAS ， CAS ，地址@骑自行车
t
RC
=分钟）
I
CC2
：待机电流（ RAS = CAS = W = V
IH
)
I
CC3
*： RAS只刷新当前* （ CAS = V
IH
， RAS循环@
t
RC
=分钟）
I
CC4
*：快速页模式电流* （ RAS = V
IL
中科院循环：
t
PC
=分钟）
I
CC5
：待机电流（ RAS = CAS = W = VCC- 0.2V ）
I
CC6
*： CAS先于RAS的刷新电流* （ RAS和CAS @骑自行车
t
RC
=分钟）
I(
IL ）
：输入漏电流（任何输入0≤V
IN
≤Vcc+0.5V,
所有其它引脚不能被测= 0 V）
I(
OL ）
：输出漏电流（数据输出被禁用， 0V≤V
OUT
≤VCC ）
V
OH
：输出高电压电平（I
OH
= -5mA ）
V
OL
：输出低电压电平（I
OL
= 4.2毫安）
*注
: I
CC1
, I
CC3
, I
CC4
我
CC6
依赖于输出负载和循环率。指定的值与输出开路获得。
I
CC
被指定为一个平均电流。在我
CC1
我
CC3
，地址可以在RAS = V来改变最大的一次，
IL
。在我
CC4
,
地址可以改变最大一次1快速页面模式的周期时间内，
t
PC
.
QQ：2880707522 复制
