半导体
技术参数
一般工业用途。
切换应用程序。
特点
阿超minimold封装的房子2个晶体管。
在H高配对财产
FE
.
该follwing特点是常见的Q
1
, Q
2
.
3
KTC812E
外延平面NPN晶体管
B
B1
A1
这两个晶体管之间具有良好的温度响应。
A
C
1
6
C
2
5
4
P
P
暗淡
A
A1
B
B1
C
D
H
J
P
MILLIMETERS
_
1.6 + 0.05
_
1.0 + 0.05
_
1.6 + 0.05
_
1.2 + 0.05
0.50
_
0.2 + 0.05
_
0.5 + 0.05
_
0.12 + 0.05
5
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
集电极耗散功率
结温
存储温度范围
*总分
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
P
C
*
T
j
T
英镑
等级
60
50
5
150
30
200
150
-55
150
单位
V
V
V
mA
mA
mW
1. Q
1
2. Q
1
3. Q
2
4. Q
2
5. Q
2
6. Q
1
辐射源
BASE
BASE
集热器
辐射源
集热器
H
最大额定值（ TA = 25
)
TES6
等效电路（顶视图）
6
5
4
Q1
J
D
Q2
1
2
3
电气特性（ TA = 25
特征
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
跃迁频率
集电极输出电容
噪声系数
I
CBO
I
EBO
)
测试条件
V
CB
= 60V ，我
E
=0
V
EB
= 5V ，我
C
=0
V
CE
= 6V ，我
C
=2
I
C
=100
, I
B
=10
分钟。
-
-
120
-
80
-
， RG = 10
-
典型值。
-
-
-
0.1
-
2
1.0
型号名称
6
5
4
符号
马克斯。
0.1
0.1
400
0.3
-
3.5
10
单元。
h
FE
（注）
V
CE （ SAT ）
f
T
C
ob
NF
V
V
CE
= 10V ，我
C
=1
V
CB
= 10V ，我
E
=0, f=1
V
CE
= 6V ，我
C
=0.1 , f=1
注：H
FE
分类Y（ 4） ：120 240 ，GR （6）： 200 400
记号
W
1
2
3
h
FE
秩
2001. 8. 6
版本号： 0
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