半导体
技术参数
CATV调谐。
特点
低串联电阻值：R
S
= 0.6 （典型值）。
优秀简历的特点，跟踪误差小。
有用的小尺寸调谐器。
KDV262E
变容二极管
硅外延平面二极管
阴极标记
高电容比： C2V / C25V = 12.5 （典型值）
C
1
E
2
D
F
最大额定值（ TA = 25
特征
反向电压
峰值反向电压
结温
存储温度范围
)
符号
V
R
V
RM
T
j
T
英镑
等级
34
36 (R
L
=10k )
125
-55 125
单位
V
V
1.阳极
2.阴极
B
A
暗淡
A
B
C
D
E
F
MILLIMETERS
_
1.60 + 0.10
_ 0.10
1.20 +
_
0.80 + 0.10
_ 0.05
0.30 +
_
0.60 + 0.10
_
+ 0.05
0.13
Esc键
电气特性（ TA = 25 ）
特征
反向电压
反向电流
电容
电容
电容比
串联电阻
C（最大值） - C （最小值）
C（最小）
(V
R
=2~25V)
符号
V
R
I
R
C
2V
C
25V
C
2V
/C
25V
C
25V
/C
28V
r
S
V
R
= 5V ， F = 470MHz的
I
R
=1 A
V
R
=28V
V
R
= 2V ， F = 1MHz的
V
R
= 25V ， F = 1MHz的
测试条件
分钟。
34
-
33
2.6
12.0
1.03
-
典型值。
-
-
35.5
2.85
12.5
-
0.6
马克斯。
-
10
38
3.0
-
-
0.8
单位
V
nA
pF
pF
-
注：可在匹配的组容量为2.0 ％ 。
0.02
记号
型号名称
UQ
2000. 3. 24
版本号： 0
1/2
半导体
技术参数
CATV调谐。
特点
低串联电阻值：R
S
= 0.6 （典型值）。
优秀简历的特点，跟踪误差小。
有用的小尺寸调谐器。
KDV262E
变容二极管
硅外延平面二极管
阴极标记
高电容比： C2V / C25V = 12.5 （典型值）
C
1
E
2
D
F
最大额定值（ TA = 25
特征
反向电压
峰值反向电压
结温
存储温度范围
)
符号
V
R
V
RM
T
j
T
英镑
等级
34
36 (R
L
=10k )
125
-55 125
单位
V
V
1.阳极
2.阴极
B
A
暗淡
A
B
C
D
E
F
MILLIMETERS
_
1.60 + 0.10
_ 0.10
1.20 +
_
0.80 + 0.10
_
0.30 + 0.05
_
0.60 + 0.10
_
0.13 + 0.05
Esc键
电气特性（ TA = 25 ）
特征
反向电压
反向电流
电容
电容
电容比
串联电阻
C（最大值） - C （最小值）
C（最小）
(V
R
=2~25V)
符号
V
R
I
R
C
2V
C
25V
C
2V
/C
25V
C
25V
/C
28V
r
S
V
R
= 5V ， F = 470MHz的
I
R
=1 A
V
R
=28V
V
R
= 2V ， F = 1MHz的
V
R
= 25V ， F = 1MHz的
测试条件
分钟。
34
-
33
2.6
12.0
1.03
-
典型值。
-
-
35.5
2.85
12.5
-
0.6
马克斯。
-
10
38
3.0
-
-
0.8
单位
V
nA
pF
pF
-
注：可在匹配的组容量为2.0 ％ 。
0.02
记号
型号名称
UQ
2003. 10. 16
版本号： 1
1/2
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