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半导体

技术参数

功率放大器应用。

电源开关的应用。

B

KTC3266

外延平面NPN晶体管

C

特点

: V

CE （ SAT ）

= 0.5V （最大），在我

C

=2A

补充KTA1296 。

K

D

E

G

N

A

低饱和电压。

最大额定值（ TA = 25

特征

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流

基极电流

集电极耗散功率

结温

存储温度范围

)

符号

V

CBO

V

首席执行官

V

EBO

I

C

I

B

P

C

T

j

T

英镑

等级

20

20

6

2

0.5

625

150

-55

150

单位

F

H

F

V

L

V

V

A

A

mW

1

2

3

M

C

暗淡

A

B

C

D

E

F

G

H

J

K

L

M

N

MILLIMETERS

4.70 MAX

4.80 MAX

3.70 MAX

0.45

1.00

1.27

0.85

0.45

_

14.00 + 0.50

0.55最大

2.30

0.45最大

1.00

J

1.发射器

2.收集

3. BASE

TO-92

电气特性（ TA = 25 ）

特征

集电极截止电流

发射极截止电流

直流电流增益

集电极 - 发射极饱和电压

基射极电压

跃迁频率

集电极输出电容

注：H

FE

（ 1 ）分类

Y:120 240,

符号

I

CBO

I

EBO

h

FE

（1）（注）

h

FE

(2)

V

CE （ SAT ）

V

BE

f

T

C

ob

GR ： 200 400

测试条件

V

CB

= 20V ，我

E

=0

V

EB

= 6V ，我

C

=0

V

CE

= 2V ，我

C

=0.1A

V

CE

= 2V ，我

C

=2A

I

C

= 2A ，我

B

=0.1A

V

CE

= 2V ，我

C

=0.1A

V

CE

= 2V ，我

C

=0.5A

V

CB

= 10V ，我

E

= 0中，f = 1MHz的

分钟。

-

-

120

75

-

-

-

-

典型值。

-

-

-

-

-

-

120

30

马克斯。

0.1

0.1

400

-

0.5

0.85

-

-

V

V

兆赫

pF

单位

A

A

2000. 11. 30

版本号： 0

1/2

KTC3266

I

C

- V

CE

集电极电流I

C

（MA ）

2000

1600

1200

800

400

0

0

4

8

I

B

=20mA

I

B

=15mA

I

B

=10mA

I

B

=8mA

I

B

=6mA

I

B

=4mA

I

B

=3mA

I

B

=2mA

I

B

=1mA

I

B

=0mA

h

FE

- I

C

直流电流增益

FE

常见

辐射源

TA = 25℃

1k

500

300

TA = 100℃

TA = 25℃

TA = -25℃

100

50

30

10

1

3

10

30

100

300

1k

3k

共发射极

V

CE

=2V

12

16

20

24

集电极电流I

C

（MA ）

集电极 - 发射极电压V

CE

(V)

I

C

- V

BE

集电极电流I

C

（MA ）

V

CE （ SAT ）

- I

C

集电极 - 发射极饱和

电压V

CE （ SAT ）

(V)

5

3

1

0.5

0.3

0.1

0.05

0.03

0.01

1

3

常见

辐射源

I

C

/I

B

=20

2000

1600

1200

800

400

0

0

0.4

0.8

1.2

1.6

2.0

2.4

基极 - 发射极电压V

BE

(V)

C

共发射极

V

CE

=2V

Ta=100

TA = 25℃

TA = -25℃

TA = 25℃

C

C

00

=1

=-25

a

T

Ta

10

30

100

300

1K

3K

集电极电流I

C

（MA ）

安全工作区

10

PC - TA

集电极电流I

C

(A)

集电极耗散功率

P

C

（ mW）的

700

600

500

400

300

200

100

0

0

25

50

75

100

125

150

175

周围温度Ta （℃）

3

1

0.3

0.1

0.03

0.01

0.1

I

C

MAX 。（脉冲） **

1m

I

C

MAX 。（连续）

DC

OP

Ta

ERA

=2

T

5

IO

C

N

m

s*

10

0m

s*

10

s*

0.3

1

3

10

3

V

首席执行官

马克斯。

单非重复性

PULSE TA = 25℃

*

脉冲宽度： 10毫秒（ MAX）

占空比： 30 ％， TA = 25℃

曲线必须降低

线性地增加

温度

*

0

集电极 - 发射极电压V

CE

(V)

2000. 11. 30

版本号： 0

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