版本1.11 ， 2010年11月

K4B2G1646C

2GB C-死DDR3 SDRAM

只有X16

96FBGA无铅&无卤

（符合RoHS ）

数据表

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2010三星电子有限公司保留所有权利。

-1-

K4B2G1646C

数据表

历史

- 首次发行

- 增加了2133Mbps IDD电流规格

- 修正错字。

草案日期

2010年6月

2010年09月

2010年11月

修订版1.11

DDR3 SDRAM

修订历史

版本号

1.0

1.1

1.11

备注

-

-

-

编者

S.H.Kim

S.H.Kim

S.H.Kim

-2-

K4B2G1646C

数据表

修订版1.11

DDR3 SDRAM

目录

2GB C-死DDR3 SDRAM只有X16

1.订购信息.....................................................................................................................................................五

2.重点Features.................................................................................................................................................................五

3.封装引脚/机械尺寸& Addressing.................................................................................................. 6

3.1 X16封装引脚（顶视图） ： 96ball FBGA封装...................................... .................................................. 6

3.2 FBGA封装尺寸(x16)............................................................................................................................. 7

4.输入/输出功能Description.............................................................................................................................. 8

5. DDR3 SDRAM寻址........................................................................................................................................... 9

6.绝对最大额定值.......................................................................................................................................... 10

6.1绝对最大DC Ratings............................................................................................................................... 10

6.2 DRAM元件工作温度范围............................................ .................................................. .. 10

7. AC &直流工作Conditions..................................................................................................................................... 10

7.1建议的直流工作条件(SSTL_1.5)............................................................................................. 10

8. AC &直流输入电平测量............................................................................................................................ 11

8.1交流&直流逻辑输入电平为单端信号...................................... .................................................. ...... 11

8.2 V

REF

Tolerances...................................................................................................................................................... 12

8.3交流&直流逻辑输入电平为差分信号........................................ .................................................. ..... 13

8.3.1 。差分信号的定义............................................................................................................................ 13

8.3.2 。差分摆幅要求时钟（ CK - CK）和选通脉冲（ DQS - DQS ） ................................. ................. 13

8.3.3 。单端要求的差分信号........................................... ................................................ 14

8.4差分输入交叉点Voltage...................................................................................................................... 15

对于差分输入信号8.5压摆率的定义..................................................................................................... 15

8.6压摆率的定义为差分输入信号.......................................... .................................................. ....... 15

9. AC &直流输出电平测量......................................................................................................................... 16

9.1单端AC &直流输出Levels..................................................................................................................... 16

9.2差分交流&直流输出Levels......................................................................................................................... 16

9.3单端输出压摆率.............................................................................................................................. 16

9.4差分输出摆率.................................................................................................................................. 17

9.5参考负载的AC时序和输出摆率........................................ .................................................. .. 17

9.6过冲/下冲规格....................................................................................................................... 18

9.6.1 。地址和控制过冲和下冲规格........................................... ........................... 18

9.6.2 。时钟，数据，选通和面具过冲和下冲规格....................................... ............... 18

9.7 34ohm输出驱动器DC电气Characteristics................................................................................................. 19

9.7.1 。输出驱动器的温度和电压灵敏度............................................ .............................................. 20

9.8片上端接（ ODT）水平和IV特性...................................... ............................................... 20

9.8.1 。 ODT DC电气特性................................................................................................................... 21

9.8.2 。 ODT温度和电压灵敏度...................................................................................................... 22

9.9 ODT时序定义........................................................................................................................................... 23

9.9.1 。测试负载的ODT Timings.............................................................................................................................. 23

9.9.2 。 ODT时序定义.................................................................................................................................... 23

10. IDD电流测量Method..................................................................................................................................... 26

10.1 IDD测量条件............................................................................................................................... 26

11. 2GB DDR3 SDRAM C-模IDD规格表....................................... .................................................. ........... 35

12.输入/输出电容........................................................................................................................................... 36

13.电气特性和AC时序DDR3-800到DDR3-2133 ................................... ................................... 37

13.1时钟规格................................................................................................................................................ 37

13.1.1 。用于定义tCK(avg).................................................................................................................................... 37

13.1.2 。用于定义tCK(abs).................................................................................................................................... 37

13.1.3 。针对TCH （ AVG）和TCL （ AVG）的定义.............................................................................................................. 37

13.1.4 。对于笔记定义tJIT （ PER） ， tJIT （每，伊克） ................................... .................................................. ............ 37

13.1.5 。对于tJIT （CC ）的定义， tJIT （CC ，伊克） ................................................................................................................. 37

13.1.6 。对于TERR定义（ NPER ） ................................................................................................................................ 37

按设备13.2刷新参数Density................................................................................................................. 38

13.3速箱和CL ， tRCD的，激进党，真相与和解委员会tRAS的相应斌.................................. ............................... 38

13.3.1 。转速表斌的注意事项.................................................................................................................................. 43

-3-

K4B2G1646C

数据表

修订版1.11

DDR3 SDRAM

由速度等级14.时序参数.......................................................................................................................... 44

14.1抖动注意事项............................................................................................................................................................ 50

14.2时序参数Notes........................................................................................................................................ 51

14.3地址/命令设置，保持和降额： ........................................ .................................................. .......... 52

14.4数据建立，保持和压摆率降额： .......................................................................................................... 59

-4-

K4B2G1646C

数据表

DDR3-1333(9-9-9)

5

K4B2G1646C-HCH9

K4B2G1646C-HCK0

K4B2G1646C-HCMA

修订版1.11

DDR3 SDRAM

1.订购信息

【表1】三星2GB DDR3 C-死订购信息表

组织

128Mx16

DDR3-1066(7-7-7)

K4B2G1646C-HCF8

DDR3-1600(11-11-11)

4

DDR3-1866(13-13-13)

3

DDR3-2133(14-14-14)

2

K4B2G1646C-HCNB

包

96 FBGA

记

:

1.速度斌是为了CL- tRCD的-TRP的。

2.向下兼容DDR3-1866 （ 13-13-13 ） ， DDR3-1600 （ 11-11-11 ） ， DDR3-1333 （ 9-9-9 ） ， DDR3-1066 （ 7-7-7 ）

3.向下兼容DDR3-1600 （ 11-11-11 ） ， DDR3-1333 （ 9-9-9 ） ， DDR3-1066 （ 7-7-7 ）

4.向下兼容DDR3-1333 （ 9-9-9 ） ， DDR3-1066 （ 7-7-7 ）

5.向下兼容DDR3-1066 （ 7-7-7 ）

2.主要特点

[表2 ] 2GB DDR3 C-模速度垃圾桶

速度

TCK （分钟）

CAS延迟

的tRCD （MIN）

激进党（分钟）

tRAS的（分）

的tRC （分钟）

DDR3-800

6-6-6

2.5

6

15

15

37.5

52.5

DDR3-1066

7-7-7

1.875

7

13.125

13.125

37.5

50.625

DDR3-1333

9-9-9

1.5

9

13.5

13.5

36

49.5

DDR3-1600

11-11-11

1.25

11

13.75

13.75

35

48.75

DDR3-1866

13-13-13

1.07

13

13.91

13.91

34

47.91

DDR3-2133

14-14-14

0.935

14

13.09

13.09

33

46.09

单位

ns

NCK

ns

ns

ns

ns

JEDEC标准的1.5V ± 0.075V电源

V

DDQ

= 1.5V ± 0.075V

400 MHz的F

CK

为800MB /秒/针， 533 F

CK

为1066MB /秒/针，

667 F

CK

为1333Mb /秒/针， 800MHz的F

CK

为1600MB /秒/针，

900MHz的F

CK

为1866Mb /秒/针， 1000MHz的F

CK

为2133MB /秒/针

8银行

可编程CAS延迟（ CAS贴） ： 5,6,7,8,9,10,11,13,14

可编程的附加延迟： 0 ， CL -2或CL- 1的时钟

可编程CAS延迟写入（CWL ） = 5 （ DDR3-800 ） ， 6

（ DDR3-1066 ） ， 7 （ DDR3-1333 ） ， 8 （ DDR3-1600 ） ， 9 （ DDR3-1866 ）和

10(DDR3-2133)

8位预取

突发长度： 8 （交错，没有任何限制，顺序与出发

地址为“ 000”只） ， 4 TCCD = 4不允许无缝

读或写[无论是在使用A12或MRS飞]

双向差分数据选通

内部（个体经营）校准：通过ZQ引脚内部自校准

（ RZQ ：240欧姆± 1％）的

片上终端使用ODT引脚

平均更新周期7.8us时于T低

例

85°C ，在3.9us

85°C <牛逼

例

< 95

°C

异步复位

封装： 96球FBGA - X16

所有无铅产品符合RoHS指令的

所有的产品都是无卤

2GB的DDR3 SDRAM C-模具的结构为16兆×16个I / O ×8银行

装置。该同步装置实现了高速双数据速率

高达2133MB /秒/针（ DDR3-2133 ）一般应用的传输速率

系统蒸发散。

该芯片的设计符合以下关键DDR3 SDRAM为特色的

Tures的，如贴CAS ，可编程CWL ，内部（自我）的校准，

片上终端使用ODT引脚和异步复位。

所有的控制和地址输入端的一对克斯特同步

应受供应差分时钟。输入被锁定在昼夜温差的交叉点

髓鞘时钟（ CK上升沿和CK下降） 。所有的I / O与同步

对双向选通（DQS和DQS ）在源同步fash-

离子。地址总线用于传送行，列和行地址

在一个RAS / CAS复样式的信息。在DDR3器件工作

用单1.5V ± 0.075V电源和1.5V ± 0.075VV

DDQ

.

2GB的DDR3 C-模具设备处于96balls FBGA （ X16 ）提供。

记

1.本数据表是全DDR3规格的抽象，并不包括在“ DDR3 SDRAM器件操作&时序描述的共同特征

图“ 。

2.功能描述和包含在此数据表中的时序规范操作的DLL启用模式。

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