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半导体
技术参数
黑白电视视频输出APLICATION 。
高压开关应用。
特点
高击穿电压： V
首席执行官
=150V(Min.).
低输出电容：C
ob
=5.0pF(Max.).
高转换频率：F
T
=120MHz(Typ.).
C
P
深度： 0.2
KTC3206
外延平面NPN晶体管
B
D
A
S
Q
K
暗淡
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
O
P
Q
R
S
MILLIMETERS
7.20 MAX
5.20最大
0.60 MAX
2.50 MAX
1.15最大
1.27
1.70最大
0.55最大
_
14.00 + 0.50
0.35 MIN
_
0.75 + 0.10
4
G
J
最大额定值（ TA = 25 ）
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
发射极电流
基极电流
集电极耗散功率
结温
存储温度范围
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
E
I
B
P
C
T
j
T
英镑
等级
200
150
5
50
-50
5
1
150
-55 150
单位
V
O
F
H
M
E
F
H
M
H
R
V
V
mA
mA
mA
W
1
N
2
3
N
H
L
1.发射器
2.收集
3. BASE
25
1.25
Φ1.50
0.10最大
_
12.50 + 0.50
1.00
TO-92L
电气特性（ TA = 25 ）
特征
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
跃迁频率
集电极输出电容
注：H
FE
分类
0:70
140,
Y:120
符号
I
CBO
I
EBO
h
FE
（注）
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
f
T
C
ob
240
测试条件
V
CB
= 200V ，我
E
=0
V
EB
= 5V ，我
C
=0
V
CE
= 5V ，我
C
=10mA
I
C
= 10毫安，我
B
=1mA
I
C
= 10毫安，我
B
=1mA
V
CE
= 30V ，我
C
=10mA
V
CB
= 10V ，我
E
= 0中，f = 1MHz的
分钟。
-
-
70
-
-
-
-
典型值。
-
-
-
-
-
120
3.5
马克斯。
0.1
0.1
240
0.5
1.0
-
5.0
V
V
兆赫
pF
单位
A
A
2007. 3. 28
版本号： 1
D
1/3
KTC3206
2007. 3. 28
版本号： 1
2/3
KTC3206
2007. 3. 28
版本号： 1
3/3
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型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
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