初步
K1S321611C
文档标题
2Mx16位的Uni-晶体管随机存取存储器
UtRAM
修订历史
修订历史号
0.0
0.1
最初的草案
修订
- 删除60ns的速度斌
草案日期
2003年1月16日
2003年6月13日
备注
先进
初步
0.2
修订
2003年8月13日
- 修正errorta '48 -TBGA “下的引脚说明，以'48 -FBGA ”
在第2页
初步
所附的说明书是由三星电子提供的。 SAMSUNG ELECTRONICS CO 。 ， LTD 。保留更改规格的权利，
产品。三星电子将回答有关设备的问题。如果您有任何疑问，请联系三星分公司。
-1-
修订版0.2
2003年8月
初步
K1S321611C
2M ×16位的Uni-晶体管的CMOS RAM
特点
UtRAM
概述
该K1S321611C由三星先进的制造
CMOS技术使用一个晶体管存储单元。该装置
支持工业级温度范围和48球芯片级
包装系统设计的用户灵活性。该设备还
支持双片选的用户界面。
工艺技术： CMOS
组织： 2M X16位
电源电压： 2.7V 3.1V
三态输出
兼容低功耗SRAM
双片选支持
封装类型： 48 - FBGA - 6.00x8.00
产品系列
功耗
产品系列
工作温度。
VCC范围
速度
待机
(I
SB1
马克斯。 ）
100A
操作
(I
CC2
马克斯。 ）
35mA
PKG型
K1S321611C-I
Industrial(-40~85°C)
2.7V~3.1V
70ns
48-FBGA-6.00x8.00
引脚说明
1
2
3
4
5
6
功能框图
CLK GEN 。
预充电电路。
A
LB
OE
A0
A1
A2
CS2
VCC
VSS
B
I/O9
UB
A3
A4
CS1
I/O1
ROW
地址
ROW
SELECT
存储阵列
C
I/O10
I/O11
A5
A6
I/O2
I/O3
D
VSS
I/O12
A17
A7
I/O4
VCC
I / O
1
-I / O
8
E
VCC
I/O13
NC
A16
I/O5
VSS
I / O
9
-I / O
16
数据
CONT
数据
CONT
数据
CONT
I / O电路
列选择
F
I/O15
I/O14
A14
A15
I/O6
I/O7
G
I/O16
A19
A12
A13
WE
I/O8
列地址
H
A18
A8
A9
A10
A11
A20
CS1
CS2
OE
WE
UB
LB
48 - FBGA ：俯视图（球下）
控制逻辑
名字
CS1,CS2
OE
WE
A
0
~A
20
功能
片选输入
输出使能输入
写使能输入
地址输入
名字
VCC
VSS
UB
LB
NC
功能
动力
地
高字节（ I / O
9
~
16
)
低字节（ I / O
1
~
8
)
无连接
1)
I / O
1
-I / O
16
数据输入/输出
1 ）保留供将来使用。
三星电子有限公司
保留更改产品规格，恕不另行通知
.
-2-
修订版0.2
2003年8月
初步
K1S321611C
上电顺序
1.接通电源。
2.保持稳定的电源（ VCC最小值。 = 2.7V ），最少为200ps与CS1 = CS2 high.or =低。
UtRAM
POWER UP的时序波形（ 1 ）
（ CS
1
控制）
V
CC（分钟）
V
CC
分钟。为200ps
≈
≈
CS
1
≈ ≈
CS
2
电模式
POWER UP （ 1 ）
正常工作
1.在V
CC
达到V
CC
（最小），等待为200ps与CS
1
高。然后该装置进入正常运作。
POWER UP的时序波形（ 2 ）
（ CS
2
控制）
V
CC（分钟）
V
CC
分钟。为200ps
≈
≈ ≈
CS
1
CS
2
电模式
≈
正常工作
POWER UP （ 2 ）
1.在V
CC
达到V
CC
（最小），等待为200ps与CS
2
低。然后该装置进入正常运作。
-3-
修订版0.2
2003年8月
初步
K1S321611C
功能说明
CS1
H
X
1)
X
1)
L
L
L
L
L
L
L
L
CS2
X
1)
L
X
1)
H
H
H
H
H
H
H
H
OE
X
1)
X
1)
X
1)
H
H
L
L
L
X
1)
X
1)
X
1)
WE
X
1)
X
1)
X
1)
H
H
H
H
H
L
L
L
LB
X
1)
X
1)
H
L
X
1)
L
H
L
L
H
L
UB
X
1)
X
1)
H
X
1)
L
H
L
L
H
L
L
I / O
1~8
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
DOUT
高-Z
DOUT
DIN
高-Z
DIN
I / O
9~16
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
DOUT
DOUT
高-Z
DIN
DIN
模式
取消
取消
取消
输出禁用
输出禁用
低字节读
高字节读
字读
低字节写入
高字节写
字写
UtRAM
动力
待机
待机
待机
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
1， X表示不关心。 （必须是低或高的状态）
绝对最大额定值
1)
项
任何引脚相对于VSS的电压
在VCC电源相对于Vss电压
功耗
储存温度
工作温度
符号
V
IN
, V
OUT
V
CC
P
D
T
英镑
T
A
评级
-0.2到V
CC
+0.3V
-0.2 3.6V
1.0
-65到150
-40到85
单位
V
V
W
°C
°C
1.强调大于下"Absolute最大Ratings"可能会对设备造成永久性损坏。功能操作应
推荐的工作条件下，受限制的被使用。暴露在绝对最大额定值条件下小于1秒长可能会影响可靠性
的能力。
-4-
修订版0.2
2003年8月
初步
K1S321611C
产品列表
工业产品温度（ -40 85°C ）
部件名称
K1S321611C-FI70
功能
48 - FBGA ，为70ns ， 2.9V
UtRAM
建议的直流工作条件
1)
项
电源电压
地
输入高电压
输入低电压
1. T
A
= -40 85 ℃，另有规定。
2.过冲：如果脉冲宽度的VCC + 1.0V
≤20ns.
3.冲： -1.0V的情况下脉冲宽度的
≤20ns.
4.过冲和下冲进行采样，而不是100 ％测试。
符号
VCC
VSS
V
IH
V
IL
民
2.7
0
2.2
-0.3
3)
典型值
2.9
0
-
-
最大
3.1
0
V
CC
+0.3
2)
0.6
单位
V
V
V
V
电容
1)
（ F = 1MHz的，T
A
=25°C)
项
输入电容
输入/输出电容
1.电容进行采样，而不是100 ％测试。
符号
C
IN
C
IO
测试条件
V
IN
=0V
V
IO
=0V
民
-
-
最大
8
10
单位
pF
pF
DC和工作特性
项
输入漏电流
输出漏电流
符号
测试条件
V
IN
= VSS到Vcc
CS1=V
IH
或CS2 = V
IL
或OE = V
IH
或WE = V
IL
或LB = UB = V
IH
,
V
IO
= VSS到Vcc
周期时间= 1μs的时间， 100 ％的关税，我
IO
= 0毫安， CS1≤0.2V ， LB≤0.2V
或/和UB≤0.2V ， CS2
≥
V
CC
-
0.2V, V
IN
≤0.2V
或V
IN
≥
V
CC
-
0.2V
周期时间=最小，我
IO
=0mA
,
100 ％的关税， CS1 = V
白细胞介素，
CS2
=
V
IH
LB = V
IL
或/和UB = V
IL
, V
IN
=V
IH
或V
IL
I
OL
= 2.1毫安
I
OH
= -1.0mA
其他输入= 0 Vcc的
1 ） CS1≥V
CC
-0.2V
,
CS2
≥
V
CC
-
0.2V （ CS1控制）或
2) 0V
≤
CS2
≤
0.2V （ CS2控制）
民
-1
-1
-
-
-
2.4
-
典型值
-
-
-
-
-
-
-
最大单位
1
1
7
35
0.4
-
100
A
A
mA
mA
V
V
A
I
LI
I
LO
I
CC1
平均工作电流
I
CC2
输出低电压
输出高电压
待机电流（ CMOS ）
V
OL
V
OH
I
SB1
-5-
修订版0.2
2003年8月
初步
K1S321611C
文档标题
2Mx16位的Uni-晶体管随机存取存储器
UtRAM
修订历史
修订历史号
0.0
0.1
最初的草案
修订
- 删除60ns的速度斌
草案日期
2003年1月16日
2003年6月13日
备注
先进
初步
0.2
修订
2003年8月13日
- 修正errorta '48 -TBGA “下的引脚说明，以'48 -FBGA ”
在第2页
初步
所附的说明书是由三星电子提供的。 SAMSUNG ELECTRONICS CO 。 ， LTD 。保留更改规格的权利，
产品。三星电子将回答有关设备的问题。如果您有任何疑问，请联系三星分公司。
-1-
修订版0.2
2003年8月
初步
K1S321611C
2M ×16位的Uni-晶体管的CMOS RAM
特点
UtRAM
概述
该K1S321611C由三星先进的制造
CMOS技术使用一个晶体管存储单元。该装置
支持工业级温度范围和48球芯片级
包装系统设计的用户灵活性。该设备还
支持双片选的用户界面。
工艺技术： CMOS
组织： 2M X16位
电源电压： 2.7V 3.1V
三态输出
兼容低功耗SRAM
双片选支持
封装类型： 48 - FBGA - 6.00x8.00
产品系列
功耗
产品系列
工作温度。
VCC范围
速度
待机
(I
SB1
马克斯。 ）
100A
操作
(I
CC2
马克斯。 ）
35mA
PKG型
K1S321611C-I
Industrial(-40~85°C)
2.7V~3.1V
70ns
48-FBGA-6.00x8.00
引脚说明
1
2
3
4
5
6
功能框图
CLK GEN 。
预充电电路。
A
LB
OE
A0
A1
A2
CS2
VCC
VSS
B
I/O9
UB
A3
A4
CS1
I/O1
ROW
地址
ROW
SELECT
存储阵列
C
I/O10
I/O11
A5
A6
I/O2
I/O3
D
VSS
I/O12
A17
A7
I/O4
VCC
I / O
1
-I / O
8
E
VCC
I/O13
NC
A16
I/O5
VSS
I / O
9
-I / O
16
数据
CONT
数据
CONT
数据
CONT
I / O电路
列选择
F
I/O15
I/O14
A14
A15
I/O6
I/O7
G
I/O16
A19
A12
A13
WE
I/O8
列地址
H
A18
A8
A9
A10
A11
A20
CS1
CS2
OE
WE
UB
LB
48 - FBGA ：俯视图（球下）
控制逻辑
名字
CS1,CS2
OE
WE
A
0
~A
20
功能
片选输入
输出使能输入
写使能输入
地址输入
名字
VCC
VSS
UB
LB
NC
功能
动力
地
高字节（ I / O
9
~
16
)
低字节（ I / O
1
~
8
)
无连接
1)
I / O
1
-I / O
16
数据输入/输出
1 ）保留供将来使用。
三星电子有限公司
保留更改产品规格，恕不另行通知
.
-2-
修订版0.2
2003年8月
初步
K1S321611C
上电顺序
1.接通电源。
2.保持稳定的电源（ VCC最小值。 = 2.7V ），最少为200ps与CS1 = CS2 high.or =低。
UtRAM
POWER UP的时序波形（ 1 ）
（ CS
1
控制）
V
CC（分钟）
V
CC
分钟。为200ps
≈
≈
CS
1
≈ ≈
CS
2
电模式
POWER UP （ 1 ）
正常工作
1.在V
CC
达到V
CC
（最小），等待为200ps与CS
1
高。然后该装置进入正常运作。
POWER UP的时序波形（ 2 ）
（ CS
2
控制）
V
CC（分钟）
V
CC
分钟。为200ps
≈
≈ ≈
CS
1
CS
2
电模式
≈
正常工作
POWER UP （ 2 ）
1.在V
CC
达到V
CC
（最小），等待为200ps与CS
2
低。然后该装置进入正常运作。
-3-
修订版0.2
2003年8月
初步
K1S321611C
功能说明
CS1
H
X
1)
X
1)
L
L
L
L
L
L
L
L
CS2
X
1)
L
X
1)
H
H
H
H
H
H
H
H
OE
X
1)
X
1)
X
1)
H
H
L
L
L
X
1)
X
1)
X
1)
WE
X
1)
X
1)
X
1)
H
H
H
H
H
L
L
L
LB
X
1)
X
1)
H
L
X
1)
L
H
L
L
H
L
UB
X
1)
X
1)
H
X
1)
L
H
L
L
H
L
L
I / O
1~8
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
DOUT
高-Z
DOUT
DIN
高-Z
DIN
I / O
9~16
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
DOUT
DOUT
高-Z
DIN
DIN
模式
取消
取消
取消
输出禁用
输出禁用
低字节读
高字节读
字读
低字节写入
高字节写
字写
UtRAM
动力
待机
待机
待机
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
1， X表示不关心。 （必须是低或高的状态）
绝对最大额定值
1)
项
任何引脚相对于VSS的电压
在VCC电源相对于Vss电压
功耗
储存温度
工作温度
符号
V
IN
, V
OUT
V
CC
P
D
T
英镑
T
A
评级
-0.2到V
CC
+0.3V
-0.2 3.6V
1.0
-65到150
-40到85
单位
V
V
W
°C
°C
1.强调大于下"Absolute最大Ratings"可能会对设备造成永久性损坏。功能操作应
推荐的工作条件下，受限制的被使用。暴露在绝对最大额定值条件下小于1秒长可能会影响可靠性
的能力。
-4-
修订版0.2
2003年8月
初步
K1S321611C
产品列表
工业产品温度（ -40 85°C ）
部件名称
K1S321611C-FI70
功能
48 - FBGA ，为70ns ， 2.9V
UtRAM
建议的直流工作条件
1)
项
电源电压
地
输入高电压
输入低电压
1. T
A
= -40 85 ℃，另有规定。
2.过冲：如果脉冲宽度的VCC + 1.0V
≤20ns.
3.冲： -1.0V的情况下脉冲宽度的
≤20ns.
4.过冲和下冲进行采样，而不是100 ％测试。
符号
VCC
VSS
V
IH
V
IL
民
2.7
0
2.2
-0.3
3)
典型值
2.9
0
-
-
最大
3.1
0
V
CC
+0.3
2)
0.6
单位
V
V
V
V
电容
1)
（ F = 1MHz的，T
A
=25°C)
项
输入电容
输入/输出电容
1.电容进行采样，而不是100 ％测试。
符号
C
IN
C
IO
测试条件
V
IN
=0V
V
IO
=0V
民
-
-
最大
8
10
单位
pF
pF
DC和工作特性
项
输入漏电流
输出漏电流
符号
测试条件
V
IN
= VSS到Vcc
CS1=V
IH
或CS2 = V
IL
或OE = V
IH
或WE = V
IL
或LB = UB = V
IH
,
V
IO
= VSS到Vcc
周期时间= 1μs的时间， 100 ％的关税，我
IO
= 0毫安， CS1≤0.2V ， LB≤0.2V
或/和UB≤0.2V ， CS2
≥
V
CC
-
0.2V, V
IN
≤0.2V
或V
IN
≥
V
CC
-
0.2V
周期时间=最小，我
IO
=0mA
,
100 ％的关税， CS1 = V
白细胞介素，
CS2
=
V
IH
LB = V
IL
或/和UB = V
IL
, V
IN
=V
IH
或V
IL
I
OL
= 2.1毫安
I
OH
= -1.0mA
其他输入= 0 Vcc的
1 ） CS1≥V
CC
-0.2V
,
CS2
≥
V
CC
-
0.2V （ CS1控制）或
2) 0V
≤
CS2
≤
0.2V （ CS2控制）
民
-1
-1
-
-
-
2.4
-
典型值
-
-
-
-
-
-
-
最大单位
1
1
7
35
0.4
-
100
A
A
mA
mA
V
V
A
I
LI
I
LO
I
CC1
平均工作电流
I
CC2
输出低电压
输出高电压
待机电流（ CMOS ）
V
OL
V
OH
I
SB1
-5-
修订版0.2
2003年8月
QQ：2881677436 复制
