半导体
技术参数
低频功率放大器,
中速开关应用
A
KTC2025D/L
外延平面NPN晶体管
I
J
高击穿电压V
首席执行官
120V ,大电流1A 。
低饱和电压和h的线性度好
FE
.
补充KTA1045D / L
Q
K
B
M
E
D
特点
C
H
F
1
2
F
3
P
L
暗淡
A
B
C
D
E
F
H
I
J
K
L
M
O
P
Q
MILLIMETERS
_
6.60 + 0.2
_
6.10 + 0.2
_
5.0 + 0.2
_
1.10 + 0.2
_
2.70 + 0.2
_
2.30 + 0.1
1.00最大
_
2.30 + 0.2
_
0.5 + 0.1
_
2.00 + 0.20
_
0.50 + 0.10
_
0.91+ 0.10
_
0.90 + 0.1
_
1.00 + 0.10
0.95最大
最大额定值( TA = 25
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电源
耗散
结温
存储温度范围
Ta=25
Tc=25
)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CP
P
C
T
j
T
英镑
等级
120
120
5
1
2
1.0
8
150
-55 150
单位
V
V
V
A
1.基地
2.收集
3.辐射源
DPAK
A
C
I
J
D
O
W
H
G
P
F
F
L
1
2
3
暗淡
A
B
C
D
E
F
G
H
I
J
K
L
P
Q
MILLIMETERS
_
6.60
+
0.2
_
6.10
+
0.2
_
5.0
+
0.2
_
1.10
+
0.2
_
9.50
+
0.6
_
2.30
+
0.1
_
0.76
+
0.1
1.0 MAX
_
2.30
+
0.2
_
0.5
+
0.1
_
2.0
+
0.2
_
0.50
+
0.1
_
1.0
+
0.1
0.90最大
Q
K
1.基地
2.收集
3.辐射源
E
B
电气特性( TA = 25
特征
电流收集器切割
当前的发射器切割
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
直流电流增益
增益带宽积
输出电容
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
开启时间
开关时间
打开-O FF时间
贮存时间
(注) :小时
FE
( 1 )分类
)
测试条件
V
CB
= 50V ,我
E
=0
V
EB
= 4V ,我
C
=0
I
C
= 10 A,I
E
=0
I
C
= 1mA时,我
B
=0
I
E
= 10 A,I
C
=0
V
CE
= 5V ,我
C
=50mA
V
CE
= 5V ,我
C
=500mA
V
CE
= 10V ,我
C
=50mA
V
CB
= 10V ,我
E
= 0中,f = 1MHz的
I
C
= 500毫安,我
B
=50mA
I
C
= 500毫安,我
B
=50mA
1
20U秒
100
1uF
1uF
12V
1
I
B1
I
B2
24
IPAK
符号
I
CBO
I
EBO
V
( BR ) CBO
V
( BR ) CEO
V
( BR ) EBO
h
FE
(1)注
h
FE
(2)
f
T
C
ob
V
CE ( SAT )
V
BE ( SAT )
t
on
t
关闭
t
英镑
分钟。
-
-
120
120
5
100
20
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
-
-
-
-
-
-
130
20
0.15
0.85
100
500
700
马克斯。
1
1
-
-
-
320
-
-
-
0.4
1.2
-
-
-
单位
A
A
V
V
V
兆赫
pF
V
V
nS
-2V
V
CE
=12V
I
C
=10I
B1
=-10I
B2
=500mA
Y: 100 200 , GR : 160 320
2003. 3. 27
版本号: 3
1/2
KTC2025D/L
I
C
- V
CE
集电极发射极饱和
电压V
CE ( SAT )
(V)
1.6
集电极电流I
C
(A)
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0
1
2
3
I
B
=0mA
TC = 25℃
20
12
8
4
2
15
10
6
V
CE ( SAT )
- I
C
1.0
0.5
0.3
I
C
/I
B
=10
0.1
0.05
0.03
4
5
6
0.01
1
3
10
30
100
300
1k
3k
集电极 - 发射极电压V
CE
(V)
V
BE
- I
C
集电极电流I
C
(A)
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
集电极耗散P
C
(W)
0.4
0.2
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
基极 - 发射极电压V
BE
(V)
1.2
10
8
6
4
2
0
1
集电极电流I
C
(MA )
V
CE
=5V
PC - TA
1锝= 25℃
2的Ta = 25℃
C
ob
- V
CB
输出电容C
ob
(PF )
200
f=1MHz
100
50
30
2
0
20
40
60
80
100
120
140
160
AMBIENT TMMPERATURE TA( C)
10
5
0.05
1
3
10
30
100
集电极 - 基极电压V
CE
(V)
h
FE
- I
C
直流电流增益
FE
300
V
CE
=5V
安全工作区
集电极电流I
C
(A)
5
3
1
0.5
0.3
0.1
0.05
0.03
0.01
0.005
I
C
MAX 。 (脉冲)
*
I
C
MAX 。 (连续)
10
0
1m
S*
DC
10
S
m
*
O
S*
Tc
每
=2
A
5
C
化
500
100
50
30
10
*单不重复
PULSE TC = 25℃
曲线必须降低
线性增长
温度
1
3
10
30
100
300
1k
5k
1
10
100
集电极电流I
C
(MA )
集电极 - 发射极电压V
CE
(V)
2003. 3. 27
版本号: 3
V
首席执行官
马克斯。
2/2