K6R1016C1C -C / C -L ， K6R1016C1C -I / C -P
文档标题
64Kx16位高速CMOS静态RAM （ 5.0V工作） 。
工作在商用和工业温度范围。
CMOS SRAM
修订历史
版本号
修订版0.0
1.0版
历史
最初的版本有初步。
放松直流特性。
项
I
CC
12ns
15ns
20ns
加入48细间距BGA封装。
更改的设备零件名称为FP- BGA 。
项
前
符号
Z
前） K6R1016C1C -Z -> K6R1016C1C -F
改变了球的设备名称为FP- BGA 。
前
I / O1 I / O8
I / O9 I / O16
添加的数据保持特性。
添加10ns的一部分。
删除20ns的速度斌
数据稿
8月5日1998年
九月7， 1998
前
90mA
88mA
85mA
变
95mA
93mA
90mA
九月17， 1998
11月5日1998
变
F
初步
最终科幻
备注
初步
初步
修订版2.0
2.1版
2.2版
12月10日1998年
变
I / O9 I / O16
I / O1 I / O8
三月3， 1999
三月3， 2000
Sep.24 。 2001年
最终科幻
修订版3.0
第3.1版
修订版4.0
最终科幻
最终科幻
最终科幻
所附的数据表准备并批准三星电子。 SAMSUNG ELECTRONICS CO 。 ， LTD 。保留随时更改的权利
规格。三星电子将评估并在该设备的参数回复您的要求和问题。如果您有任何问题，
请联系三星分支机构靠近你的办公室，电话或联系总部。
-1-
修订版4.0
2001年9月
K6R1016C1C -C / C -L ， K6R1016C1C -I / C -P
64K ×16位高速CMOS静态RAM
特点
快速存取时间10,12,15ns （最大）
低功耗
待机（ TTL）的
： 30毫安（最大）
（ CMOS ） ： 5毫安（最大）
0.5毫安（最大） L-版本。只
操作K6R1016C1C - 10 ： 105毫安（最大）
K6R1016C1C - 12 ： 95毫安（最大）
K6R1016C1C - 15 ： 93毫安（最大）
单5.0V ± 10 ％电源
TTL兼容的输入和输出
I / O与3.3V器件兼容
全静态工作
- 无时钟或刷新要求
三态输出
2V最小数据保存： L-版本。只
中心电源/接地引脚配置
数据字节控制： LB ： I / O
1
- I / O
8
， UB ： I / O
9
- I / O
16
标准引脚配置：
K6R1016C1C -J ： 44 SOJ -400
K6R1016C1C -T ： 44 TSOP2-400BF
K6R1016C1C -F ： 48 -细间距BGA 0.75球间距
CMOS SRAM
概述
该K6R1016C1C是1,048,576位高速静态随机
访问内存（16位）组织为65,536字。该
K6R1016C1C使用16个通用输入和输出线，并具有
在输出使能引脚，工作比地址的访问速度更快
时间读周期。此外，它允许该下部和上部字节
通过访问数据字节的控制（ UB ， LB ） 。该装置被制造
采用了三星先进的CMOS工艺和设计
高速电路技术。它特别适于供
在高密度的高速系统应用程序使用。该
K6R1016C1C封装在一个400mil 44引脚塑料SOJ或
TSOP2向前或48细间距BGA 。
功能框图
CLK GEN 。
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
A
6
A
7
A
8
I / O
1
-I / O
8
I / O
9
-I / O
16
订购信息
K6R1016C1C-C10/C12/C15
商业温度。
工业级温度范围。
K6R1016C1C-I10/I12/I15
预充电电路
行选择
存储阵列
512行
128x16列
引脚功能
引脚名称
数据
续。
数据
续。
将军
CLK
A
9
A
10
A
11
A
12
A
13
A
14
A
15
引脚功能
地址输入
写使能
芯片选择
OUTPUT ENABLE
低字节控制（I / O
1
-I / O
8
)
上个字节的控制（ I / O
9
-I / O
16
)
数据输入/输出
Power(+5.0V)
地
无连接
I / O电路&
列选择
A
0
- A
15
WE
CS
OE
LB
UB
I / O
1
- I / O
16
WE
OE
UB
LB
CS
V
CC
V
SS
N.C
-2-
修订版4.0
2001年9月
K6R1016C1C -C / C -L ， K6R1016C1C -I / C -P
引脚配置（ TOP
VIEW ）
1
2
3
CMOS SRAM
4
5
6
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
CS
I / O
1
I / O
2
I / O
3
1
2
3
4
5
6
7
8
9
44 A
15
43 A
14
42 A
13
41 OE
40 UB
39 LB
38 I / O
16
37 I / O
15
36 I / O
14
D
VSS
I/O4
N.C
A7
I/O12
VCC
C
I/O2
I/O3
A5
A6
I/O11
I/O10
B
I/O1
UB
A3
A4
CS
I/O9
A
LB
OE
A0
A1
A2
N.C
I / O
4
10
VCC 11
VSS 12
I / O
5
13
I / O
6
14
I / O
7
15
I / O
8
16
WE 17
A
5
18
A
6
19
A
7
20
A
8
21
N.C 22
SOJ /
TSOP2
35 I / O
13
34 Vss的
33的Vcc
32个I / O
12
31 I / O
11
30 I / O
10
29 I / O
9
28 N.C
27 A
12
26 A
11
25 A
10
24 A
9
23 N.C
H
N.C
A8
A9
A10
A11
N.C
G
I/O8
N.C
A12
A13
WE
I/O16
F
I/O7
I/O6
A14
A15
I/O14
I/O15
E
VCC
I/O5
N.C
N.C
I/O13
VSS
48-CSP
绝对最大额定值*
参数
任何引脚相对于V电压
SS
在V电压
CC
供应相对于V
SS
功耗
储存温度
工作温度
广告
产业
符号
V
IN
, V
OUT
V
CC
P
d
T
英镑
T
A
T
A
等级
-0.5到V
CC
+0.5
-0.5 7.0
1
-65到150
0到70
-40到85
单位
V
V
W
°C
°C
°C
*
应力大于下"Absolute最大Ratings"可能会对设备造成永久性损坏。这是一个值仅为
该设备在这些或以上的本规范的经营部门所标明的任何其他条件的功能操作，是不是暗示。
暴露在绝对最大额定值条件下工作会影响可靠性。
建议的直流工作条件*
（ TA = 70 ° C）
参数
电源电压
地
输入高电压
输入低电压
符号
V
CC
V
SS
V
IH
V
IL
民
4.5
0
2.2
-0.5**
典型值
5.0
0
-
-
最大
5.5
0
V
CC
+0.5***
0.8
单位
V
V
V
V
*以上参数也保证在工业级温度范围。
**
V
IL
（最小值） = -2.0V交流转换器（脉冲宽度
≤
为8ns ），因为我
≤
20mA.
***
V
IH
（MAX） = V
CC +
2.0V交流转换器（脉冲宽度
≤
为8ns ），因为我
≤
20mA.
-3-
修订版4.0
2001年9月
K6R1016C1C -C / C -L ， K6R1016C1C -I / C -P
CMOS SRAM
DC及经营特色*
(T
A
= 0至70℃ ， Vcc的= 5.0V ±10％ ，除非另有规定）
参数
输入漏电流
输出漏电流
工作电流
符号
I
LI
I
LO
I
CC
测试条件
V
IN
=V
SS
到V
CC
CS = V
IH
或OE = V
IH
或WE = V
IL
V
OUT
=V
SS
到V
CC
分钟。周期， 100 ％占空比
CS = V
白细胞介素，
V
IN
= V
IH
或V
白细胞介素，
I
OUT
=0mA
10ns
12ns
15ns
待机电流
I
SB
I
SB1
分钟。周期， CS = V
IH
F = 0MHz处， CS
≥V
CC
-0.2V,
V
IN
≥V
CC
-0.2V或V
IN
≤0.2V
I
OL
=8mA
I
OH
=-4mA
I
OH1
=-0.1mA
正常
L-版本。
民
-2
-2
-
-
-
-
-
-
-
2.4
-
最大
2
2
105
95
93
30
5
0.5
0.4
-
3.95
V
V
V
mA
mA
单位
A
A
mA
输出低电压电平
输出高电压电平
V
OL
V
OH
V
OH1
**
*以上参数也保证在工业级温度范围。
** V
CC
= 5.0V ±5％，温度= 25℃
电容*
(T
A
= 25 ° C，F = 1.0MHz的）
项
输入/输出电容
输入电容
*电容进行采样，而不是100 ％测试。
符号
C
I / O
C
IN
测试条件
V
I / O
=0V
V
IN
=0V
民
-
-
最大
8
6
单位
pF
pF
AC特性
(T
A
= 0至70℃ ，V
CC
= 5.0V ± 10％ ，除非另有说明。 ）
测试条件*
参数
输入脉冲电平
输入上升和下降时间
输入和输出时序参考电平
输出负载
*上述试验条件也适用于工业温度范围。
价值
0V至3V
3ns
1.5V
见下文
输出负载（ A）
输出负载（ B）
对于T
HZ
, t
LZ
, t
WHZ
, t
OW
, t
OLZ
＆放大器;牛逼
OHZ
R
L
= 50
+5.0V
D
OUT
V
L
= 1.5V
Z
O
= 50
30pF*
D
OUT
480
255
5pF*
*容性负载包含的所有组件
测试环境。
*包括范围和夹具电容
-4-
修订版4.0
2001年9月
K6R1016C1C -C / C -L ， K6R1016C1C -I / C -P
读周期*
参数
读周期时间
地址访问时间
芯片选择输出
输出使能到输出有效
UB ， LB访问时间
芯片使能为低阻抗输出
UB ， LB启用以低阻抗输出
输出使能为低阻抗输出
芯片禁用到高阻输出
输出禁止到高阻输出
UB ， LB禁用高Z输出
从地址变更输出保持
芯片的选择上电时间
芯片选择到功率停机
符号
t
RC
t
AA
t
CO
t
OE
t
BA
t
LZ
t
BLZ
t
OLZ
t
HZ
t
OHZ
t
BHZ
t
OH
t
PU
t
PD
K6R1016C1C-10
民
10
-
-
-
-
3
0
0
0
0
0
3
0
-
最大
-
10
10
5
5
-
-
-
5
5
5
-
-
10
K6R1016C1C-12
民
12
-
-
-
-
3
0
0
0
0
0
3
0
-
最大
-
12
12
6
6
-
-
-
6
6
6
-
-
12
CMOS SRAM
K6R1016C1C-15
民
15
-
-
-
-
3
0
0
-
-
-
3
0
-
最大
-
15
15
7
7
-
-
-
7
7
7
-
-
15
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
*以上参数也保证在工业级温度范围。
写周期*
参数
写周期时间
片选写的结束
地址建立时间
地址有效到写结束
把脉冲宽度（ OE高）
把脉冲宽度（ OE低）
UB ， LB有效到结束写入的
写恢复时间
写入输出高阻
数据写入时间重叠
从时间写数据保持
结束写入到输出低Z
符号
t
WC
t
CW
t
AS
t
AW
t
WP
t
WP1
t
BW
t
WR
t
WHZ
t
DW
t
DH
t
OW
K6R1016C10-12
民
10
7
0
7
7
10
7
0
0
5
0
3
最大
-
-
-
-
-
-
-
-
5
-
-
-
K6R1016C1C-12
民
12
8
0
8
8
12
8
0
0
6
0
3
最大
-
-
-
-
-
-
-
-
6
-
-
-
K6R1016C1C-15
民
15
9
0
9
9
15
9
0
0
7
0
3
最大
-
-
-
-
-
-
-
-
7
-
-
-
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
*以上参数也保证在工业级温度范围。
时序图
读周期时序波形（ 1 ）
（地址控制
,
CS = OE = V
IL
我们= V
IH
， UB ， LB = V
IL
t
RC
地址
t
OH
数据输出
上一页有效数据
t
AA
有效数据
-5-
修订版4.0
2001年9月
QQ：2881677436 复制
