半导体
技术参数
一般工业用途。
DPAK FOR SVRFACE安装应用。
A
KTC2020D/L
外延平面NPN晶体管
I
J
特点
低集电极饱和电压
: V
CE （ SAT ）
= 1.0V （最大） ，在我
C
= 2A ，我
B
=0.2A.
直导线（ IPAK ， "L"后缀）
补充KTA1040D / L 。
Q
C
H
F
1
2
F
3
P
L
最大额定值（ TA = 25
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
集电极电源
耗散
结温
存储温度范围
Ta=25
Tc=25
)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
P
C
T
j
T
英镑
等级
60
60
7
3
0.5
1.0
20
150
-55 150
单位
V
V
V
A
A
W
Q
暗淡
A
B
C
D
E
F
H
I
J
K
L
M
O
P
Q
MILLIMETERS
_
6.60 + 0.2
_
6.10 + 0.2
_
5.0 + 0.2
_
1.10 + 0.2
_
2.70 + 0.2
_
2.30 + 0.1
1.00最大
_
2.30 + 0.2
_
0.5 + 0.1
_
2.00 + 0.20
_
0.50 + 0.10
_
0.91+ 0.10
_
0.90 + 0.1
_
1.00 + 0.10
0.95最大
B
K
E
M
D
1.基地
2.收集
3.辐射源
DPAK
A
C
I
J
D
O
H
G
P
F
F
L
1
2
3
暗淡
A
B
C
D
E
F
G
H
I
J
K
L
P
Q
MILLIMETERS
_
6.60
+
0.2
_
6.10
+
0.2
_
5.0
+
0.2
_
1.10
+
0.2
_
9.50
+
0.6
_
2.30
+
0.1
_
0.76
+
0.1
1.0 MAX
_
2.30
+
0.2
_
0.5
+
0.1
_
2.0
+
0.2
_
0.50
+
0.1
_
1.0
+
0.1
0.90最大
K
1.基地
2.收集
3.辐射源
E
B
电气特性（ TA = 25 ）
特征
集电极截止电流
发射极截止电流
集电极 - 发射极击穿电压
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压
跃迁频率
集电极输出电容
开启时间
开关时间
贮存时间
下降时间
注：H
FE
分类
2003. 3. 27
符号
I
CBO
I
EBO
V
（ BR ） CEO
h
FE
（注）
V
CE （ SAT ）
V
BE
f
T
C
ob
t
on
t
英镑
t
f
I
B1
IPAK
测试条件
V
CB
= 60V ，我
E
=0
V
EB
= 7V ，我
C
=0
I
C
= 50mA时我
B
=0
V
CE
= 5V ，我
C
=0.5A
I
C
= 2A ，我
B
=0.2A
V
CE
= 5V ，我
C
=0.5A
V
CE
= 5V ，我
C
=0.5A
V
CB
= 10V ，我
E
= 0中，f = 1MHz的
20sec
输入
I
B2
I
B1
=-I
B2
=0.2A
占空比< 1 ％
=
产量
I
B1
I
B2
15
分钟。
-
-
60
100
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
-
-
-
0.5
0.7
30
35
0.65
1.3
0.65
马克斯。
100
100
-
300
1.0
1.0
-
-
-
-
-
单位
A
A
V
-
V
V
兆赫
pF
S
V
CC
=30V
Y： 100 200 ， GR ： 150 300 。
版本号： 5
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