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半导体
技术参数
CATV调谐。
特点
高电容比： C2V / C25V = 11.5 （典型值）
低串联电阻值：R
S
= 0.55 （典型值）。
优秀简历的特点，跟踪误差小。
有用的小尺寸调谐器。
KDV269
变容二极管
硅外延平面二极管
阴极标记
B
1
K
G
A
H
F
2
D
E
J
C
I
最大额定值（ TA = 25
特征
反向电压
峰值反向电压
结温
存储温度范围
)
符号
V
R
V
RM
T
j
T
英镑
等级
34
36 (R
L
=10k )
125
-55 125
单位
V
V
M
M
暗淡
A
B
C
D
E
F
G
H
I
J
K
L
M
MILLIMETERS
_
2.50 + 0.1
_
1.25 + 0.05
_
0.90 + 0.05
0.30+0.06/-0.04
_
1.70 + 0.05
MIN 0.17
_
0.126 + 0.03
0~0.1
1.0 MAX
_
0.15 + 0.05
_
0.4 + 0.05
2 +4/-2
4~6
1.阳极
2.阴极
南加州大学
电气特性（ TA = 25 ）
特征
反向电压
反向电流
电容
电容
电容比
串联电阻
C（最大值） - C （最小值）
C（最小）
(V
R
=2~25V)
符号
V
R
I
R
C
2V
C
25V
C
2V
/C
25V
C
25V
/C
28V
r
S
V
R
= 5V ， F = 470MHz的
I
R
=1 A
V
R
=28V
V
R
= 2V ， F = 1MHz的
V
R
= 25V ， F = 1MHz的
测试条件
分钟。
34
-
29
2.5
11.0
1.03
-
典型值。
-
-
31.5
2.75
11.5
1.05
0.55
马克斯。
-
10
34
2.9
-
-
0.7
单位
V
nA
pF
pF
-
注：可在匹配的组容量为2.0 ％ 。
0.02
记号
型号名称
UR
2001. 6. 11
版本号： 2
L
1/2
KDV269
C
V
- V
R
500
反向电流I
R
(A)
电容C
V
（PF ）
f=1MHz
TA = 25℃
I
R
- V
R
1000p
5 C
Ta=7
50 C
TA
100p
100
50
10p
TA
25 C
1p
10
0
10
20
30
0.1p
0
8
16
24
32
反向电压V
R
(V)
反向电压V
R
(V)
r
s
- V
R
1.0
串联电阻r
s
()
0.8
0.6
0.4
0.2
0
1
3
5
10
30
1.0
系列RESISTNACE
S
()
f=470MHz
TA = 25℃
r
S
- f
V
R
=5V
TA = 25℃
0.8
0.6
0.4
0.2
0
50
100
300
500
1K
反向电压V
R
(V)
频率f（ MHz）的
- TA
C (%)
3
2
1
0
-1
-2
-40
-20
0
20
40
60
80
f=1MHz
V
R
=2V
10V
20V
静电容量变化率
25V
周围温度Ta （℃）
2001. 6. 11
版本号： 2
2/2
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供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
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    KDV269
    -
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    -
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