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KSC5345

KSC5345

高电压和高可靠性

高开关速度

宽安全工作区

1

TO-220

2.Collector

3.Emitter

1.Base

NPN型三重扩散平面硅晶体管

绝对最大额定值

T

C

= 25 ° C除非另有说明

符号

V

CBO

V

首席执行官

V

EBO

I

C

I

CP

I

B

I

BP

P

C

T

J

T

英镑

参数

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流（ DC ）

*集电极电流（脉冲）

基极电流（DC）的

*基本电流（脉冲）

功率耗散（T

C

=25°C)

结温

储存温度

价值

900

450

14

5

10

2

4

40

150

- 55 ~ 150

单位

V

V

V

A

A

A

A

W

°C

°C

*脉冲测试：脉冲宽度= 5毫秒，占空比Cycle≤10 ％

热特性

T

C

= 25 ° C除非另有说明

符号

R

θJC

R

θJA

热阻

特征

结到外壳

结到环境

等级

1.25

62.5

单位

° C / W

2001仙童半导体公司

版本A ， 2001年10月

KSC5345

电气特性

T

C

= 25 ° C除非另有说明

符号

BV

CBO

BV

首席执行官

BV

EBO

I

CBO

I

EBO

h

FE1

h

FE2

V

CE

（SAT）

V

BE

（SAT）

C

ob

f

T

t

英镑

t

F

t

英镑

t

F

参数

集电极 - 基极击穿电压

集电极 - 发射极击穿电压

发射极 - 基极击穿电压

集电极截止电流

发射极截止电流

直流电流增益

集电极 - 发射极饱和电压

基射极饱和电压

输出电容

电流增益带宽积

贮存时间

下降时间

贮存时间

下降时间

测试条件

I

C

= 500μA ，我

E

= 0

I

C

= 5毫安，我

B

= 0

I

C

= 500μA ，我

E

= 0

V

CB

= 800V ，我

E

= 0

V

EB

= 14V ，我

C

= 0

V

CE

= 5V ，我

C

= 0.6A

V

CE

= 5V ，我

C

= 3A

I

C

= 3A ，我

B

= 0.6A

I

C

= 3A ，我

B

= 0.6A

V

CB

= 10V ， F = 1MHz的

V

CE

= 10V ，我

C

= 0.6A

V

CC

= 125V ，我

C

= 1A

I

B1

= -I

B2

= 0.2A

V

CC

= 250V ，我

C

= 4A

I

B1

= 0.8A ，我

B2

= -1.6A

分钟。

900

450

14

-

-

15

8

-

-

-

-

-

-

-

典型值。

-

-

-

-

-

-

-

-

-

65

14

-

-

-

-

-

6.5

0.3

3

0.3

s

1

1.5

V

V

pF

兆赫

s

马克斯。

-

-

-

10

10

单位

V

V

V

A

A

2001仙童半导体公司

版本A ， 2001年10月

KSC5345

典型特征

5

I

B

A

00m

=7

100

I

C

[A] ，集电极电流

4

0mA

I

B

= 30

3

mA

I

B

= 200

A

I

B

= 100m

h

FE

，直流电流增益

00mA

I

B

= 6

0mA

I

B

= 50

0mA

I = 40

B

V

CE

= 5V

10

2

1

0

0

2

4

6

8

10

1

0.01

0.1

1

10

V

CE

[V] ，集电极 - 发射极电压

I

C

[A] ，集电极电流

图1.静态特性

图2.直流电流增益

V

BE

（SAT），V

CE

（饱和） [ V]时，饱和电压

10

1000

I

C

= 5 I

B

F = 1MHz的

I

E

= 0

1

V

BE

（SAT）

C

ob

[ pF的] ，电容

1

10

100

0.1

V

CE

（SAT）

10

0.01

0.01

1

0.1

1

10

100

1000

I

C

[A] ，集电极电流

V

CB

[V] ，集电极 - 基极电压

图3.基射极饱和电压

集电极 - 发射极饱和电压

图4.集电极输出电容

10

100

V

CC

=250V,

5I

B1

= -5I

B2

=I

C

I

C

[A] ，集电极电流

脉冲

10

t

ON

, t

英镑

, t

F

[

S] ，时间

t

英镑

1

50

s

0

10

DC

s

s

1m

1

ms

10

0.1

t

F

0.1

0.01

0.1

0.01

1

10

1

10

100

1000

I

C

[A] ，集电极电流

V

CE

[V] ，集电极 - 发射极电压

图5.开关时间

图6.安全工作区

2001仙童半导体公司

版本A ， 2001年10月

KSC5345

典型特征

（续）

100

80

I

B2

= -1A

L = 200

H

I

C

[A] ，集电极电流

10

P

C

[W] ，功率耗散

60

1

40

0.1

20

0.01

10

100

1000

10000

0

0

25

50

o

75

100

125

150

175

V

CE

[V] ，集电极 - 发射极电压

T

C

[C] ，外壳温度

图7.反向偏置安全工作区

图8.功率降额

2001仙童半导体公司

版本A ， 2001年10月

KSC5345

包装Demensions

TO-220

9.90

±0.20

1.30

±0.10

2.80

±0.10

4.50

±0.20

(8.70)

3.60

±0.10

(1.70)

1.30

–0.05

+0.10

9.20

±0.20

(1.46)

13.08

±0.20

(1.00)

(3.00)

15.90

±0.20

1.27

±0.10

1.52

±0.10

0.80

±0.10

2.54TYP

[2.54

±0.20

]

2.54TYP

[2.54

±0.20

]

10.08

±0.30

18.95MAX.

(3.70)

)

(45

°

0.50

–0.05

+0.10

2.40

±0.20

10.00

±0.20

单位：毫米

2001仙童半导体公司

版本A ， 2001年10月

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