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E2Q0042-27-X2
电子元器件
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in
im
el
Pr
电子元器件
KGF1608
功率场效应管（陶瓷封装类型）
KGF1608
这个版本： 1998年1月
上一版本： 1996年6月
概述
该KGF1608 ，装在一个贴片式陶瓷封装，是一个离散的GaAs功率FET ，具有
高效率和高输出功率。该KGF1608规格都保证一个固定的
匹配电路的3.4 V和850 MHz的;外部阻抗匹配电路也需要。
因为它的高效率（ 70％以上） ，高输出功率（大于33 dBm的），则KGF1608的
是理想的，因为一个发射机 - 末级放大器，用于个人手持电话，如3 -V的数字
蜂窝电话。
特点
高输出功率： 33 dBm的（分钟）
高效率： 70 ％ （最小）
规格保证一个固定的匹配电路为3.4 V和850兆赫
低热阻： 18 ℃/ W（典型值）。
包装： 3PFP
1/8
电子元器件
KGF1608
记号
(1)
(2)
K1608
X X X X
产品名称
批号
每月批号
(3)
生产月
(1to9,X,Y,Z)
生产年份
（最低位）
（ 1 ）门
（ 2 ）资料来源
（ 3 ）排水
电路
Drain(3)
Gate(1)
Source(2)
2/8
电子元器件
KGF1608
绝对最大额定值
项
漏源电压
栅源电压
漏电流
总功耗
通道温度
储存温度
符号
V
DS
V
GS
I
DS
P
合计
T
ch
T
英镑
条件
TA = 25°C
TA = 25°C
TA = 25°C
TA = TC = 25℃
—
—
单位
V
V
A
W
°C
°C
分钟。
—
–5
—
—
—
–45
马克斯。
8
0.4
5.5
5
150
125
电气特性
（ TA = 25°C ）
项
栅极 - 源极漏电流
栅极 - 漏极漏电
漏极 - 源极截止电流
漏电流
栅极 - 源极截止电压
输出功率
漏EF网络效率
热阻
符号
I
GSS
I
GDO
I
DS （关闭）
I
DSS
V
GS （ OFF ）
P
O
h
D
R
th
条件
V
GS
= –5 V
V
GD
= –13 V
V
DS
= 8 V, V
GS
= –5 V
V
DS
= 1.5 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 3 V，I
DS
= 11.2毫安
(*1) P
IN
= 26 dBm的
(*1) P
IN
= 26 dBm的
渠道情况
单位
mA
mA
mA
A
V
DBM
%
° C / W
分钟。
—
—
—
4.5
–3.0
33
70
—
典型值。
—
—
—
—
—
—
—
18
马克斯。
100
3
3
—
–2.0
—
—
—
* 1条件： F = 850兆赫，V
DS
= 3.4 V，I
DSQ
= 400毫安，
3/8
电子元器件
KGF1608
射频特性
4/8
电子元器件
KGF1608
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型号
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