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KSC5338D/KSC5338DW
KSC5338D/KSC5338DW
D2-PAK
高压电源开关切换
应用
广泛的安全工作区
内置续流二极管
适用于电子镇流器应用
小方差的存储时间
两种封装选择: TO- 220或D2 -PAK
B
等效电路
C
1
TO-220
E
1
1.Base
2.Collector
3.Emitter
NPN型三重扩散平面硅晶体管
绝对最大额定值
T
C
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CP
I
B
I
BP
P
C
T
J
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流( DC )
*集电极电流(脉冲)
基极电流(DC)的
*基本电流(脉冲)
功率耗散(T
C
=25°C)
结温
储存温度
价值
1000
450
12
5
10
2
4
75
150
- 55 ~ 150
单位
V
V
V
A
A
A
A
W
°C
°C
*脉冲测试:脉冲宽度= 5毫秒,占空比
10%
热特性
T
C
= 25 ° C除非另有说明
符号
R
θJC
R
θJA
T
L
热阻
特征
结到外壳
结到环境
最高可无铅焊接温度的
等级
1.65
62.5
270
°C
单位
° C / W
2000仙童半导体国际
版本A , 2000年2月
KSC5338D/KSC5338DW
电气特性
T
C
= 25 ° C除非另有说明
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
CES
I
首席执行官
I
EBO
h
FE
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
集电极截止电流
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
测试条件
I
C
= 1mA时,我
E
=0
I
C
= 5毫安,我
B
=0
I
E
= 1mA时,我
C
=0
V
CB
= 800V ,我
E
=0
V
CES
=1000V,
I
EB
=0
V
CE
= 450V ,我
B
=0
V
EB
= 10V ,我
C
=0
V
CE
= 1V ,我
C
=0.8A
V
CE
= 1V ,我
C
=2A
V
CE
= 2.5V ,我
C
=1A
V
CE
(SAT)
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= 0.8A ,我
B
=0.08A
I
C
= 2A ,我
B
=0.4A
I
C
= 0.8A ,我
B
=0.04A
I
C
= 1A ,我
B
=0.2A
V
BE
(SAT)
基射极饱和电压
I
CS
=0.8A,
I
B
=0.08A
I
C
= 2A ,我
B
=0.4A
C
ib
C
ob
f
T
V
F
输入电容
输出电容
电流增益带宽积
二极管的正向电压
T
C
=25°C
T
C
=125°C
T
C
=25°C
T
C
=125°C
T
C
=25°C
T
C
=125°C
T
C
=25°C
T
C
=125°C
T
C
=25°C
T
C
=125°C
T
C
=25°C
T
C
=125°C
T
C
=25°C
T
C
=125°C
T
C
=25°C
T
C
=125°C
T
C
=25°C
T
C
=125°C
V
EB
= 10V ,我
C
= 0.5A , F = 1MHz的
V
CB
= 10V ,我
E
= 0中,f = 1MHz的
I
C
=0.5A,V
CE
=10V
I
F
= 1A ,我
C
=1mA,
I
E
=0
I
F
=2A
t
fr
二极管刚愎Recvery时间
(di/dt=10A/s)
动态饱和电压
I
F
=0.4A
I
F
=1A
I
F
=2A
I
C
= 1A ,我
B1
=100mA
V
CC
= 300V 1
s
I
C
= 1A ,我
B1
=100mA
V
CC
= 300V 3
s
I
C
= 2A ,我
B1
=400mA
V
CC
= 300V 1
s
I
C
= 2A ,我
B1
=400mA
V
CC
= 300V 3
s
T
C
=25°C
T
C
=125°C
T
C
=25°C
T
C
=125°C
T
C
=25°C
T
C
=125°C
T
C
=25°C
T
C
=125°C
T
C
=25°C
T
C
=125°C
T
C
=25°C
T
C
=125°C
15
10
6
4
18
14
25
14
9
6
25
18
0.35
0.55
0.47
0.9
0.9
1.8
0.22
0.3
0.8
0.65
0.9
0.8
550
60
11
0.86
0.79
0.95
0.88
460
360
325
8
15
2.9
8
9
17
1.9
8.5
1.5
1.3
0.5
0.75
0.75
1.1
1.5
2.5
0.5
0.6
1.0
0.9
1.0
0.9
750
100
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
pF
pF
兆赫
V
V
V
V
ns
ns
ns
V
V
V
V
V
V
V
V
T
C
=25°C
T
C
=125°C
T
C
=25°C
T
C
=125°C
分钟。
1000
450
12
10
100
500
100
500
10
典型值。
马克斯。
单位
V
V
V
A
A
A
A
A
A
V
CE ( DSAT )
2000仙童半导体国际
版本A , 2000年2月
KSC5338D/KSC5338DW
电气特性
T
C
= 25 ° C除非另有说明
符号
参数
测试条件
阻性负载开关( DC < 10 % ,脉冲宽度=为40μs )
t
ON
t
英镑
t
F
t
ON
t
英镑
t
F
t
ON
t
英镑
t
F
启动时间
贮存时间
下降时间
启动时间
贮存时间
下降时间
启动时间
贮存时间
下降时间
I
C
=2A,
I
B1
=400mA
I
B2
=1A,
V
CC
=300V
R
L
= 150
T
C
=25°C
T
C
=125°C
T
C
=25°C
T
C
=125°C
T
C
=25°C
T
C
=125°C
I
C
=2.5A,
I
B1
=500mA
I
B2
=5mA,
V
CC
=300V
R
L
= 120
T
C
=25°C
T
C
=125°C
T
C
=25°C
T
C
=125°C
T
C
=25°C
T
C
=125°C
感应负载开关(V
CC
=15V)
t
英镑
t
F
t
C
t
英镑
t
F
t
C
t
英镑
t
F
t
C
贮存时间
下降时间
交叉时间
贮存时间
下降时间
交叉时间
贮存时间
下降时间
交叉时间
I
C
=2.5A,
I
B1
=500mA
I
B2
=0.5A,
V
Z
=350V
L
C
=300H
T
C
=25°C
T
C
=125°C
T
C
=25°C
T
C
=125°C
T
C
=25°C
T
C
=125°C
I
C
=2A,
I
B1
=400mA
I
B2
=0.4A,
V
Z
=300V
L
C
=200H
T
C
=25°C
T
C
=125°C
T
C
=25°C
T
C
=125°C
T
C
=25°C
T
C
=125°C
I
C
=1A,
I
B1
=100mA
I
B2
=0.5A,
V
Z
=300V
L
C
=200H
T
C
=25°C
T
C
=125°C
T
C
=25°C
T
C
=125°C
T
C
=25°C
T
C
=125°C
1.95
2.9
120
270
300
700
0.6
1.0
70
110
80
170
130
0.8
450
150
1.9
2.4
160
330
350
750
2.25
500
200
2.2
s
s
ns
ns
ns
ns
s
s
ns
ns
ns
ns
s
s
ns
ns
ns
ns
1.8
2.6
110
160
150
I
C
= 2.5A ,我
B1
=500mA
I
B2
= 1A ,V
CC
= 250V ,R
L
= 100
典型值。
500
1.2
100
100
150
1.4
1.7
90
150
120
150
2.1
150
150
2.2
马克斯。
750
1.5
200
150
单位
ns
s
ns
ns
ns
s
s
ns
ns
ns
ns
s
s
ns
ns
2000仙童半导体国际
版本A , 2000年2月
KSC5338D/KSC5338DW
典型特征
5
100
I
B
= 1A
I
C
[A] ,集电极电流
的hFE , DC电流增益
4
0.9A
0.8A
0.7A
0.6A
0.5A
0.4A
0.3A
0.2A
V
CE
= 1V
TJ = + 25℃
O
TJ = -25℃
O
3
10
2
I
B
= 0.1A
TJ = 125℃
O
1
I
B
= 0
0
0
2
4
6
8
10
1
0.01
0.1
1
10
V
CE
[V] ,集电极 - 发射极电压
I
C
[A] ,集电极电流
图1.静态特性
图2.直流电流增益
100
V
CE
(SAT) [V] ,集电极 - 发射极电压
10
TJ = + 25℃
O
V
CE
= 5V
I
C
= 5I
B
的hFE , DC电流增益
TJ = -25℃
O
TJ = 125℃
O
10
1
TJ = 125℃
O
TJ = + 25℃
O
TJ = -25℃
0.1
1E-3
0.01
0.1
1
10
O
1
0.01
0.1
1
10
I
C
[A] ,集电极电流
I
C
[A] ,集电极电流
图3.直流电流增益
图4.集电极 - 发射极饱和电压
V
CE
(SAT) [V] ,集电极 - 发射极电压
10
10
I
C
= 10I
B
TJ = 125℃
O
1
V
BE
(饱和) [ V]时,基极发射极电压
I
C
= 5I
B
1
TJ = -25℃
TJ = 125℃
TJ = + 25℃
O
O
O
TJ = + 25℃
O
TJ = -25℃
O
0.1
1E-3
0.01
0.1
1
10
0.1
1E-3
0.01
0.1
1
10
I
C
[A] ,集电极电流
I
C
[A] ,集电极电流
图5.集电极 - 发射极饱和电压
图6.基射极饱和电压
2000仙童半导体国际
版本A , 2000年2月
KSC5338D/KSC5338DW
典型特征
(续)
10
2000
V
BE
(饱和) [ V]时,基极发射极电压
I
C
= 10I
B
1000
F = 1MHz的
C
ob
, C
ib
[ pF的] ,电容
C
ib
1
TJ = -25℃
TJ = 125℃
TJ = + 25℃
O
O
O
100
C
ob
0.1
1E-3
10
0.01
0.1
1
10
1
10
100
I
C
[A] ,集电极电流
反向电压[ V]的
图7.基射极饱和电压
图8.集电极输出电容
500
10
t
fr
[ NS ] ,正向恢复时间
的di / dt = 10A /
S
t
英镑
, t
F
[ NS ] ,切换时间
450
T
C
= 25 C
O
V
CC
= 250V
I
C
= 5I
B1
= 2.5I
B2
t
英镑
1
400
350
0.1
t
F
300
250
0.25
0.01
0.50
0.75
1.00
1.25
1.50
1.75
2.00
0.2
1
10
I
F
[A] ,正向工作电流
I
C
[A] ,集电极电流
图9.正向恢复时间
图10.开关时间
5
2000
I
BON
= I
B关
V
CC
= 15V
V
Z
= 300V
I
BON
= I
B关
V
CC
= 15V
V
Z
= 300V
I
C
= 2A @ TJ = 125℃
O
t
C
[ NS ] , CROSSOVER时间
t
英镑
[
S] ,存储时间
L
C
= 200
H
4
1500
L
C
= 200
H
I
C
= 2A @ TJ = 125℃
O
1000
I
C
= 1A @ TJ = 125℃
3
O
O
I
C
= 1A @ TJ = 125℃
I
C
= 2A @ TJ = 25℃
500
O
O
I
C
= 2A @ TJ = 25℃
I
C
= 1A @ TJ = 25℃
2
0
5
10
15
20
0
2
4
6
8
10
12
14
O
I
C
= 1A @ TJ = 25℃
16
18
20
O
h
FE
,强制GAIN
h
FE
,强制GAIN
图11.感应存储时间
图12.感应交叉时间
2000仙童半导体国际
版本A , 2000年2月
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    -
    -
    -
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