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TIGER ELECTRONIC CO 。 ， LTD。
产品speci fi cation
高电压和高可靠性
描述
NPN硅晶体管
■
高速开关
■
范围的SOA
■
KSC5027
绝对最大额定值（ TA = 25 ℃ ）
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
总功耗在
马克斯。工作结温
l
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
P
合计
T
j
T
英镑
价值
1100
800
7.0
3.0
1.5
50
150
-55~150
单位
V
V
V
A
A
W
o
o
C
C
储存温度
TO-220
电气特性（Ta = 25℃）
参数
集电极截止电流
发射极截止电流
集电极 - 发射极电压维持
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
电流增益带宽积
输出电容
关闭时间
符号
测试条件
V
CE
= 800V ，我
E
=0
V
EB
= 5V ，我
C
=0
I
C
= 10毫安，我
B
=0
V
CE
= 5V ，我
C
=0.2A
V
CE
= 5V ，我
C
=1.0A
分钟。
—
—
800
10
8
—
—
—
—
—
典型值。
—
—
—
—
—
—
—
15
60
—
马克斯。
10
10
—
40
—
2.0
1.5
—
—
3.0
V
V
兆赫
pF
us
单位
uA
uA
V
I
CBO
I
EBO
V
首席执行官
h
FE(1)
h
FE(2)
V
CE （ SAT ）
I
C
=1.5A,I
B
=0.3A
V
BE （ SAT ）
I
C
=1.5A,I
B
=0.3A
f
T
C
ob
t
S
V
CE
= 10V ，我
C
=0.2A
V
CB
=10V,I
E
=0,f=1.0MHz
I
C
=5I
B1
=-2.5I
B2
=2.0A,
h
FE
分类
分类
h
FE1
N
10 ~ 20
R
15 ~ 30
O
20 ~ 40
KSC5027
KSC5027
高电压和高可靠性
高开关速度
宽SOA
1
TO-220
2.Collector
3.Emitter
1.Base
NPN硅晶体管
绝对最大额定值
T
C
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CP
I
B
P
C
T
J
T
英镑
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流（ DC ）
集电极电流（脉冲）
基极电流
集电极耗散（T
C
=25°C)
结温
储存温度
参数
价值
1100
800
7
3
10
1.5
50
150
- 55 ~ 150
单位
V
V
V
A
A
A
W
°C
°C
电气特性
T
C
= 25 ° C除非另有说明
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
V
CEX
（ SUS）的
I
CBO
I
EBO
h
FE1
h
FE2
V
CE
（SAT）
V
BE
（SAT）
C
ob
f
T
t
ON
t
英镑
t
F
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极电压维持
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
输出电容
电流增益带宽积
启动时间
贮存时间
下降时间
测试条件
I
C
= 1mA时，我
E
= 0
I
C
= 5毫安，R
BE
=∞
I
E
= 1mA时，我
C
= 0
I
C
= 1.5A ，我
B1
= -I
B2
= 0.3A
L = 2MH ，钳位
V
CB
= 800V ，我
E
= 0
V
EB
= 5V ，我
C
= 0
V
CE
= 5V ，我
C
= 0.2A
V
CE
= 5V ，我
C
= 1A
I
C
= 1.5A ，我
B
= 0.3A
I
C
= 1.5A ，我
B
= 0.3A
V
CB
= 10V ，我
E
= 0中，f = 1MHz的
V
CE
= 10V ，我
C
= 0.2A
V
CC
= 400V
I
C
= 5I
B1
= -2.5I
B2
= 2A
R
L
= 200
60
15
0.5
3
0.3
10
8
分钟。
1100
800
7
800
10
10
40
2
1.5
V
V
pF
兆赫
s
s
s
典型值。
马克斯。
单位
V
V
V
V
A
A
h
FE
分类
分类
h
FE1
N
10 ~ 20
R
15 ~ 30
O
20 ~ 40
2000仙童半导体国际
版本A ， 2000年2月
KSC5027
典型特征
4.0
3.6
1000
V
CE
= 5V
I
C
[A] ，集电极电流
3.2
2.8
2.4
2.0
1.6
1.2
0.8
0.4
0.0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
h
FE
，直流电流增益
100
I
B
I
B
I
B
I
B
= 250毫安
= 200毫安
= 150毫安
= 100毫安
I
B
= 80毫安
I
B
= 60毫安
I
B
= 50毫安
I
B
= 40毫安
I
B
= 30毫安
I
B
= 20mA下
I
B
= 10毫安
I
B
= 0
9
10
10
1
0.01
0.1
1
10
V
CE
[V] ，集电极 - 发射极电压
I
C
[A] ，集电极电流
图1.静态特性
图2.直流电流增益
V
BE
（SAT） ，V
CE
（饱和） [ V]时，饱和电压
10
4.0
I
C
= 5 I
B
3.5
V
CE
= 5V
I
C
[A] ，集电极电流
1
10
3.0
1
V
BE
（SAT）
2.5
2.0
0.1
V
CE
（SAT）
1.5
1.0
0.5
0.01
0.01
0.1
0.0
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
I
C
[A] ，集电极电流
V
BE
[ V]时，基极发射极电压
图3.基射极饱和电压
集电极 - 发射极饱和电压
图4.基射极电压上
10
100
t
英镑
V
CC
= 400V
5.I
B
1 = -2.5.I
B
2 = I
C
I
C
MAX 。 （脉冲）
I
C
[A] ，集电极电流
10
t
ON
, t
英镑
, t
F
[
S] ，时间
I
C
MAX （连续）
1
m
10
10
1
1m
s
0
t
ON
t
F
DC
s
s
0.1
0.1
0.01
0.01
0.1
1E-3
1
10
1
10
100
1000
10000
I
C
[A] ，集电极电流
V
CE
[V] ，集电极 - 发射极电压
图5.开关时间
图6.安全工作区
2000仙童半导体国际
版本A ， 2000年2月
KSC5027
典型特征
（续）
100
80
I
B
2 = -0.3A
70
I
C
[A] ，集电极电流
P
C
[W] ，功率耗散
10
60
50
1
40
30
0.1
20
10
0.01
10
100
1000
10000
0
0
25
50
o
75
100
125
150
175
V
CE
[V] ，集电极 - 发射极电压
T
C
[C] ，外壳温度
图7.反向偏压工作区
图8.功率降额
2000仙童半导体国际
版本A ， 2000年2月
KSC5027
包装Demensions
TO-220
9.90
±0.20
1.30
±0.10
2.80
±0.10
4.50
±0.20
(8.70)
3.60
±0.10
(1.70)
1.30
–0.05
+0.10
9.20
±0.20
(1.46)
13.08
±0.20
(1.00)
(3.00)
15.90
±0.20
1.27
±0.10
1.52
±0.10
0.80
±0.10
2.54TYP
[2.54
±0.20
]
2.54TYP
[2.54
±0.20
]
10.08
±0.30
18.95MAX.
(3.70)
)
(45
°
0.50
–0.05
+0.10
2.40
±0.20
10.00
±0.20
单位：毫米
2000仙童半导体国际
版本A ， 2000年2月
商标
下面的注册和未注册商标飞兆半导体拥有或有权使用的是
并非意在将所有这样的商标的详尽清单。
ACEX
深不见底
CoolFET
CROSSVOLT
E
2
CMOS
FACT
FACT静音系列
快
FASTr
GTO
放弃
HiSeC
等平面
MICROWIRE
POP
的PowerTrench
QFET
QS
静音系列
SuperSOT-3
SuperSOT-6
SuperSOT-8
SyncFET
TinyLogic
UHC
VCX
飞兆半导体公司保留随时修改而不任何进一步通知的权利
产品中，为了提高可靠性，功能或设计。 FAIRCHILD不承担任何
责任所产生的应用或使用任何产品或电路此处所述的成本;
它也没有传达根据其专利权的任何执照，也没有他人的权利。
生命支持政策
飞兆半导体的产品不得用于生命支持的关键部件
设备或系统，而无需FAIRCHILD半导体的明确书面批准
国际。
如本文所用：
1.生命支持设备或系统的设备或系统
其中， （ a）打算通过外科手术移植到体内，
或（b ）支持或维持生命，或（c ）其不履行
如果使用得当按照使用说明
提供的标签，可以合理预期
造成显著伤害到用户。
2.关键部件是在生命支持任何组件
设备或系统，其未能履行可
合理预期造成的生命支持故障
装置或系统，或影响其安全性或有效性。
产品状态定义
条款的德网络nition
数据表标识
超前信息
产品状态
阶段或
设计
一是生产
德网络nition
该数据表包含了设计规范
产品开发。特定网络阳离子可改变
恕不另行通知方式。
该数据表包含的初步数据，和
补充资料将在晚些时候公布。
飞兆半导体保留做出正确的
在任何时候，恕不另行通知，以提高变化
设计。
该数据表包含最终规格。飞兆半导体
半导体公司保留在作出变更的权利
恕不另行通知，以便随时改进设计。
该数据表包含在产品规格
已经停产了仙童半导体公司。
数据表打印仅供参考信息。
初步
没有Identi网络所需的阳离子
满负荷生产
过时的
不在生产中
2000仙童半导体国际
英文内容
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
KSC5027
描述
·带
TO- 220封装
高
电压和高可靠性
高
高速开关
ùWide
安全工作区
·
钉扎
针
1
2
3
BASE
集热器;连接到
安装底座
辐射源
描述
绝对最大额定值（Ta = 25
℃)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
C
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流（ DC ）
集电极电流峰值
基极电流
集电极耗散
结温
储存温度
T
C
=25℃
条件
发射极开路
开基
集电极开路
价值
1100
800
7
3
10
1.5
50
150
-55~150
单位
V
V
V
A
A
A
W
℃
℃
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） EBO
V
CESAT
V
BESAT
I
CBO
I
EBO
h
FE-1
h
FE-2
f
T
C
ob
参数
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 基极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
直流电流增益
跃迁频率
集电极输出电容
条件
I
C
= 5毫安，我
B
=0
I
C
= 1毫安;我
E
=0
I
E
=1mA;I
C
=0
I
C
= 1.5A ;我
B
=0.3A
I
C
= 1.5A ;我
B
=0.3A
V
CB
= 800V ，我
E
=0
V
EB
= 5V ;我
C
=0
I
C
= 0.2A ; V
CE
=5V
I
C
= 1A ; V
CE
=5V
I
C
= 0.2A ; V
CE
=10V
F = 1MHz的; V
CB
=10V
10
8
15
60
民
800
1100
7
KSC5027
典型值。
最大
单位
V
V
V
2.0
1.5
10
10
40
V
V
μA
μA
兆赫
pF
开关时间
t
on
t
s
t
f
开启时间
贮存时间
下降时间
I
C
=5 I
B1
=-2.5I
B2
=2A
V
CC
=400V
R
L
=200Ω
0.5
3.0
0.3
μs
μs
μs
h
FE-1
分类
N
10-20
R
15-30
O
20-40
2
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
KSC5027
图2外形尺寸（ unindicated公差： ±0.10 MM）
3
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
KSC5027
4
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
KSC5027
·威特
描述
与TO- 220封装
高电压和高可靠性
·高速开关
·安全运行的广域
钉扎
针
1
2
3
BASE
集热器;连接到
安装底座
辐射源
描述
绝对最大额定值（Ta = 25
)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
C
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流（ DC ）
集电极电流峰值
基极电流
集电极耗散
结温
储存温度
T
C
=25
条件
发射极开路
开基
集电极开路
价值
1100
800
7
3
10
1.5
50
150
-55~150
单位
V
V
V
A
A
A
W
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
Tj=25
除非另有说明
参数
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 基极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
直流电流增益
跃迁频率
集电极输出电容
条件
I
C
= 5毫安，我
B
=0
I
C
= 1毫安;我
E
=0
I
E
=1mA;I
C
=0
I
C
= 1.5A ;我
B
=0.3A
I
C
= 1.5A ;我
B
=0.3A
V
CB
= 800V ，我
E
=0
V
EB
= 5V ;我
C
=0
I
C
= 0.2A ; V
CE
=5V
I
C
= 1A ; V
CE
=5V
I
C
= 0.2A ; V
CE
=10V
F = 1MHz的; V
CB
=10V
10
8
民
800
1100
7
符号
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） EBO
V
CESAT
V
BESAT
I
CBO
I
EBO
h
FE-1
h
FE-2
f
T
C
ob
KSC5027
典型值。
最大
单位
V
V
V
2.0
1.5
10
10
40
V
V
A
A
15
60
兆赫
pF
开关时间
t
on
t
s
t
f
开启时间
贮存时间
下降时间
I
C
=5 I
B1
=-2.5I
B2
=2A
V
CC
=400V
R
L
=200@
0.5
3.0
0.3
s
s
s
h
FE-1
分类
N
10-20
R
15-30
O
20-40
2
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
KSC5027
图2外形尺寸（ unindicated公差： ±0.10 MM）
3
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
KSC5027
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KOI-6713BT
KM68257E-12
KSP04S
KIA78R000F
K4H280838B-TCA2
KHP15
KM904
KIA78R30F
KLNR350
KCQ20A04
K684M20X7RF5.L2
K4H510438C-UCA2
KDR731S
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    -
    -
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更多配单专家
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KSC5027
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25+
4500
TO-263
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24+
16950
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