KM68257E ， KM68257EI
文档标题
32Kx8位高速CMOS静态RAM （ 5V工作）
工作在商用和工业温度范围。
初步
CMOS SRAM
修订历史
转。无。
修订版0.0
历史
最初的草案
数据稿
8月1日1998年
备注
初步
所附的数据表准备并批准三星电子。 SAMSUNG ELECTRONICS CO 。 ， LTD 。保留
右来改变规格。三星电子将评估和回复的参数要求和问题
此设备的。如果您有任何疑问，请联系您附近的办公室SAMSUNG分支机构，致电或联系总部。
-1-
修订版0.0
1998年8月
KM68257E ， KM68257EI
32K ×8位高速CMOS静态RAM
特点
快速存取时间10 ， 12 ，为15ns （最大）
低功耗
待机（ TTL）的
： 20毫安（最大）
（ CMOS ） ： 2毫安（最大）
工作KM68257E - 10 ： 80毫安（最大）
KM68257E - 12 ： 80毫安（最大）
KM68257E - 15 ： 80毫安（最大）
单5.0V ± 10 ％电源
TTL兼容的输入和输出
I / O与3.3V器件兼容
全静态工作
- 无时钟或刷新要求
三态输出
标准引脚配置
KM68257EJ ： 28 SOJ -300
KM68257ETG ： 28 TSOP1-0813 。 4F
初步
CMOS SRAM
概述
该KM68257E是262,144位高速静态随机
存取记忆体由8位， 32,768字。该
KM68257E使用8个通用输入和输出线，并且具有
输出使能引脚，工作比地址的访问速度更快
时间读周期。该器件采用三星制造的
先进的CMOS工艺制造，并设计用于高速电路
技术。它特别适于在高密度的使用
高速系统的应用程序。该KM68257E封装在
一个300MIL 28引脚塑料SOJ或TSOP1前进。
引脚配置
（ TOP VIEW ）
OE
A
11
A
9
A
8
A
13
WE
VCC
A
14
A
12
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
A
10
CS
I / O
8
I / O
7
I / O
6
I / O
5
I / O
4
VSS
I / O
3
I / O
2
I / O
1
A
0
A
1
A
2
订购信息
KM68257E -10/12/15
KM68257EI -10/12/15
商业温度。
工业级温度范围。
TSOP1
功能框图
A
14
1
A
12
2
28 VCC
27我们
26 A
13
25 A
8
24 A
9
23 A
11
CLK GEN 。
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
A
6
A
7
A
8
预充电电路内
A
7
3
A
6
4
A
5
5
行选择
A
4
6
存储阵列
512行
64x8列
A
3
7
A
2
8
A
1
9
A
0
10
I / O
1
11
SOJ
22 OE
21 A
10
20 CS
19 I / O
8
18 I / O
7
17 I / O
6
16 I / O
5
15 I / O
4
I / O
1
-I / O
8
数据
续。
CLK
将军
I / O电路
列选择
I / O
2
12
I / O
3
13
VSS 14
引脚功能
A
9
A
10
A
11
A
12
A
13
A
14
引脚名称
CS
WE
OE
A
0
- A
14
WE
CS
OE
I / O
1
- I / O
8
V
CC
V
SS
引脚功能
地址输入
写使能
芯片选择
OUTPUT ENABLE
数据输入/输出
Power(+5.0V)
地
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修订版0.0
1998年8月
KM68257E ， KM68257EI
绝对最大额定值*
参数
任何引脚相对于V电压
SS
在V电压
CC
供应相对于V
SS
功耗
储存温度
工作温度
广告
产业
符号
V
IN
, V
OUT
V
CC
P
D
T
英镑
T
A
T
A
等级
-0.5 7.0
-0.5 7.0
1.0
-65到150
0到70
-40到85
初步
CMOS SRAM
单位
V
V
W
°C
°C
°C
*
应力大于下"Absolute最大Ratings"可能会对设备造成永久性损坏。这是一个值仅为
该设备在这些或以上的本规范的经营部门所标明的任何其他条件的功能操作，是不是暗示。
暴露在绝对最大额定值条件下工作会影响可靠性。
建议的直流工作条件
(T
A
= 0 70℃ ）
参数
电源电压
地
输入高电压
输入低电压
符号
V
CC
V
SS
V
IH
V
IL
民
4.5
0
2.2
-0.5*
典型值
5.0
0
-
-
最大
5.5
0
V
CC
+0.5**
0.8
单位
V
V
V
V
注：以上参数也保证在工业级温度范围。
* V
IL
（最小值） = -2.0 （脉冲Width≤7ns ）的I≤20mA
**
V
IH
（MAX） = V
CC
+ 2.0V （脉冲Width≤7ns ）的I≤20mA
DC和工作特性
(T
A
= 0至70℃ ，V
CC
= 5.0V ± 10 ％，除非另有规定）
参数
输入漏电流
输出漏电流
工作电流
符号
I
LI
I
LO
I
CC
测试条件
V
IN
= V
SS
到V
CC
CS = V
IH
或OE = V
IH
或WE = V
IL
V
OUT
= V
SS
到V
CC
分钟。周期， 100 ％占空比
CS = V
白细胞介素，
V
IN
= V
IH
或V
白细胞介素，
I
OUT
=0mA
分钟。周期， CS = V
IH
F = 0MHz处， CS≥V
CC
-0.2V,
V
IN
≥V
CC
-0.2V或V
IN
≤0.2V
I
OL
=8mA
I
OH
=-4mA
I
OH1
=0.1mA
10ns
12ns
15ns
待机电流
I
SB
I
SB1
输出低电压电平
输出高电压电平
V
OL
V
OH
V
OH1*
民
-1
-1
-
-
-
-
-
-
2.4
-
最大
1
1
80
80
80
20
2
0.4
-
3.95
mA
mA
V
V
V
单位
A
A
mA
注：以上参数也保证在工业级温度范围。
* V
CC
= 5.0V ，温度= 25°C
电容*
(T
A
= 25 ° C，F = 1.0MHz的）
项
输入/输出电容
输入电容
符号
C
I / O
C
IN
测试条件
V
I / O
=0V
V
IN
=0V
民
-
-
最大
8
7
单位
pF
pF
*注：电容采样，而不是100 ％测试。
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修订版0.0
1998年8月
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