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KSA3010 PNP外延硅晶体管
2007年1月
KSA3010
PNP外延硅晶体管
音频功率放大器
高电流能力:我
C
= - 6A
高功率耗散
广S.O.A
补充KSC4010
1
TO-3P
1.Base 2.Collector 3.Emitter
绝对最大额定值*
中T = 25 ° C除非另有说明
a
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CP
P
C
T
J
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流( DC )
集电极电流(脉冲)
集电极耗散(T
C
=25°C)
结温
储存温度
价值
-120
-120
-5
-6
-12
60
150
- 50 ~ 150
单位
V
V
V
A
A
W
°C
°C
*这些额定值的限制值高于其中任何半导体器件的适用性可能受到损害。
注意事项:
1 )这些评级是基于150 ° C的最高结温。
2 )这些都是稳定状态的限制。厂方应征询涉及脉冲或低占空比操作的应用程序。
热特性
中T = 25 ° C除非另有说明
a
符号
R
θJC
*设备安装在所述最小焊盘尺寸。
参数
热阻,结到外壳
价值
2.0
单位
° C / W
电气特性*
符号
BV
首席执行官
I
CBO
I
EBO
h
FE
V
CE
(SAT)
V
BE
(上)
f
T
C
ob
T
a
= 25 ° C除非另有说明
参数
集电极 - 发射极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压上
电流增益带宽积
输出电容
测试条件
I
C
= -5A ,我
B
= 0
V
CB
= -120V ,我
E
= 0
V
EB
= -5V ,我
C
= 0
V
CE
= -5V ,我
C
= -1A,
I
C
= -5A ,我
B
= -0.5A
V
CE
= -5V ,我
C
= -5A
V
CE
= -5V ,我
C
= -1A
V
CB
= -10V ,我
E
= 0中,f = 1MHz的
分钟。
-120
-
-
55
-
-
-
-
典型值。
-
-
-
-
-
-
30
180
马克斯。
-
-10
-10
160
-2.5
-1.5
-
-
单位
V
A
A
V
V
兆赫
pF
*脉冲测试:脉冲宽度
300μS ,占空比
2.0%
h
FE
分类
分类
h
FE
R
55 ~ 110
O
80 ~ 160
2007仙童半导体公司
1
www.fairchildsemi.com
KSA3010版本C
KSA3010 PNP外延硅晶体管
包装标志和订购信息
设备项目
(注)
KSA3010RTU
KSA3010OTU
器件标识
A3010R
A3010O
TO-3P
TO-3P
包装方法
数量(PCS )
450
450
注:后缀“ -TU ”指管填充物的方法,它可以是上fairchildsemi网站http://www.fairchildsemi.com/packaging
2
KSA3010版本C
www.fairchildsemi.com
KSA3010 PNP外延硅晶体管
典型特征
10
9
A
00m
I
B
=-2
180mA
I
B
=-
-160mA
I
B
=
mA
I
B
=-140
I
B
=-120mA
I
B
=-100mA
10
3
V
CE
=5V
I
C
(A ) ,收藏家CRRENT
8
7
6
h
FE
,直流电流增益
I
B
=-80mA
I
B
=-60mA
5
I
B
=-40mA
4
3
2
1
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
I
B
=-20mA
T
C
=100
T
C
=25
10
2
10
1
0.1
1
10
V
CE
(V ) ,集电极发射极电压
I
C
(A ) ,集电极电流
图1.静态特性
图2.直流电流增益
10
10
I
C
=10I
B
V
CE
(SAT) ,饱和电压
9
I
C
(A ) ,集电极电流
V
CE
=-5V
8
7
6
5
T
C
=100
4
3
2
1
T
C
=25
1
0.1
T
C
=100
T
C
=25
0.01
0.01
0.1
1
10
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
I
C
(A ) ,集电极电流
V
BE
(V ) ,基极发射极电压
图3.集电极 - 发射极饱和电压
图4.基射极电压上
-100
100
90
I
C
[A] ,集电极电流
P
C
(W ) ,功率耗散
I
C
MAX 。 (脉冲)
-10
10
0m
s
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0
25
50
75
100
125
150
175
I
C
MAX 。 (DC)的
-1
DC
ms
10
-0.1
*单不重复
脉冲吨
C
=25[ C]
-0.01
0.1
1
10
100
o
V
首席执行官
最大
V
CE
[V] ,集电极 - 发射极电压
T
C
(
) ,外壳温度
图5.安全工作区
图6.功率降额
3
KSA3010版本C
www.fairchildsemi.com
KSA3010 PNP外延硅晶体管
机械尺寸
TO-3P
15.60
±0.20
3.80
±0.20
13.60
±0.20
3.20
±0.10
9.60
±0.20
4.80
±0.20
1.50
–0.05
+0.15
12.76
±0.20
19.90
±0.20
16.50
±0.30
3.00
±0.20
1.00
±0.20
3.50
±0.20
2.00
±0.20
13.90
±0.20
23.40
±0.20
18.70
±0.20
1.40
±0.20
5.45TYP
[5.45
±0.30
]
5.45TYP
[5.45
±0.30
]
0.60
–0.05
+0.15
单位:毫米
4
KSA3010版本C
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KSA3010 PNP外延硅晶体管
KSA3010 PNP外延硅晶体管
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR商标
下面的注册和未注册商标仙童半导体公司拥有或授权使用,不适合于
将所有这些商标的详尽清单。
ACEX
ActiveArray
深不见底
构建它现在
CoolFET
CROSSVOLT
DOME
EcoSPARK
E
2
CMOS
Ensigna
FACT
FASTr
FPS
FRFET
FACT静音系列
GlobalOptoisolator
GTO
HiSeC
I
2
C
我罗
ImpliedDisconnect
的IntelliMAX
等平面
LittleFET
MICROCOUPLER
的MicroFET
采用MicroPak
MICROWIRE
MSX
MSXPro
一刀切。周围的世界。
电源特许经营
可编程有源下垂
OCX
OCXPro
OPTOLOGIC
OPTOPLANAR
吃豆
POP
Power247
的PowerEdge
PowerSaver技术
的PowerTrench
QFET
QS
QT光电
静音系列
RapidConfigure
RapidConnect
SerDes
ScalarPump
SILENT SWITCHER
SMART START
SPM
隐形
的SuperFET
SuperSOT-3
SuperSOT-6
SuperSOT-8
SyncFET
中医
TinyBoost
TinyBuck一体化
TinyPWM
TinyPower
TinyLogic
TINYOPTO
TruTranslation
UHC
的UniFET
VCX
电线
放弃
飞兆半导体公司保留随时更改,恕不另行通知这里的任何产品的权利
提高可靠性,功能或设计。 FAIRCHILD不承担因应用或使用任何责任
任何产品或电路此处所述,它也没有传达任何许可根据其专利权,也不是
他人的权利。这些规格不扩大飞兆半导体的全球条款和条件条款的,特殊
CIFICALLY所述的保修涵盖这些产品。
生命支持政策
飞兆半导体的产品不得用于生命支持设备或系统的关键组件,但不
飞兆半导体公司明确的书面批准。
如本文所用:
1.生命支持设备或系统设备或其中, (一)是系统
打算通过外科手术移植到体内,或(b )支持或维持生命,或
(三)其不履行时,按照正常使用
在标签规定的使用说明,可以合理预期
造成显著伤害到用户。
2.关键部件是在生命支持设备或系统的任何部件
其不履行可以合理预期造成的故障
生命支持设备或系统的,或影响其安全性或有效性。
产品状态定义
条款的德网络nition
数据表标识
超前信息
产品状态
阶段或设计
德网络nition
该数据表包含了设计规范
产品开发。特定网络阳离子可改变
恕不另行通知方式。
该数据表包含的初步数据,和
补充资料将在晚些时候公布。
飞兆半导体保留做出正确的
在任何时候,恕不另行通知,以提高变化
设计。
该数据表包含最终规格。飞兆半导体
半导体公司保留在作出变更的权利
恕不另行通知,以便随时改进设计。
初步
一是生产
没有Identi网络所需的阳离子
满负荷生产
过时的
不在生产中
该数据表包含在产品规格
已经停产了仙童半导体公司。
数据表打印仅供参考信息。
修订版I22
5
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    联系人:Sante Zhang/Mollie
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    联系人:谭小姐
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