【K9F1208D0A K9F1216D0AK9F1208U0A K9F1216U0AFL灰内存文档标】,IC型号K9F1208U0A-Y,K9F1208U0A-Y PDF资料,K9F1208U0A-Y经销商,ic,电子元器件-51电子网

K9F1208D0A K9F1216D0A

K9F1208U0A K9F1216U0A

FL灰内存

文档标题

64M ×8位， 32M x 16位NAND闪存

修订历史

修订历史号

0.0

0.1

首次发行。

TBGA （ K9F12XXX0A - DCB0 / DIB0 ）大小的信息被改变。

（前） 9× 11 /0.8mm间距，宽度1.0毫米

（后）来决定。

TBGA （ K9F12XXX0A - DCB0 / DIB0 ）大小的信息被改变。

（前） 9× 11 /0.8mm间距，宽度1.0mm时，要

（后） 8.5 ×15 /0.8mm间距，宽度1.0毫米

草案日期

2002年4月25日

五月。 2002年第9

备注

初步

0.2

， 10日2002年7月

0.3

0.4

引脚编号包括TBGA虚拟球。（第5页）

引脚编号不包括TBGA虚拟球。（第5页）

的TBGA虚拟球引脚分配发生变化。

（前） DNU --> （后） N.C

1.添加卢比VS TR ， TF &卢比VS ibusy图的1.8V器件（第43页）

2.添加了数据保护的Vcc guidence为1.8V器件 - 低于约

1.1V 。（第44页）

最小。 VCC值1.8V器件被改变。

K9F1208Q0A ： Vcc的1.65V 1.95V --> 1.70V 1.95V

无铅封装添加。

K9F1208U0A-FCB0,FIB0

K9F1208Q0A-HCB0,HIB0

K9F1216U0A-HCB0,HIB0

K9F1216U0A-PCB0,PIB0

K9F1216Q0A-HCB0,HIB0

K9F1208U0A-HCB0,HIB0

K9F1208U0A-PCB0,PIB0

勘误加入。（头版） -K9F1208Q0A

TWC亿千瓦时TWP的tRC tREH的激进党TREA TCEA

规范

45 15 25 50 15 25 30

宽松的值60 20 40 60 20 40 40

无效的块的数目的新定义加入。

（最低1004块有效的保证了每个连续的128Mb

存储器空间）。

1. 2.65V设备添加。

2.注意添加。

（ VIL可以下冲至-0.4V和VIH可以过冲至VCC + 0.4V的

20 ns以下的持续时间。）

八月， 2002年第10

月， 2002年21

0.5

， 2002年21月

0.6

2003年3月5日

0.7

三月第13 2003

0.8

2003年3月17日

0.9

2003年4月4日

1.0

2003年7月4日

注：欲了解更多详细的功能以及规格，包括常见问题解答，请参考三星的Flash网站。

http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/Flash/TechnicalInfo/datasheets.htm

所附的说明书准备和批准三星电子。 SAMSUNG ELECTRONICS CO 。， LTD 。保留权利

改变规格。三星电子将评估和回复您的要求和有关设备的问题。如果你有

有任何疑问，请联系三星分支机构靠近你。

K9F1208D0A K9F1216D0A

K9F1208U0A K9F1216U0A

FL灰内存

文档标题

64M ×8位， 32M x 16位NAND闪存

修订历史

修订历史号

1.1

勘误表被删除。

AC参数changed. ， K9F1208Q0A

TWC亿千瓦时TWP的tRC tREH的激进党TREA TCEA

前45 15 25 50 15 25 30

后

60 20 40 60 20 40 40

草案日期

2003年8月1日

备注

1.2

1. K9F1208Q0A -DC （ I） B0 ， K9F1216Q0A -DC （ I） B0 ， K9F1208D0A -DC （ I） B0 ， 2003年10月14日

K9F1216D0A - 直流（I）的B 0， K9F1208U0A - 直流（I）的B 0， K9F1216U0A - 直流（I）的B 0是

删除。

1.添加在WSOP1 PKG图突起/伯尔值。

1. PKG （ TSOP1 ， WSOP1 ）尺寸变化

2004年4月24日

1.3

1.4

五月。 2004年第24届

注：欲了解更多详细的功能以及规格，包括常见问题解答，请参考三星的Flash网站。

http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/Flash/TechnicalInfo/datasheets.htm

所附的说明书准备和批准三星电子。 SAMSUNG ELECTRONICS CO 。， LTD 。保留权利

改变规格。三星电子将评估和回复您的要求和有关设备的问题。如果你有

有任何疑问，请联系三星分支机构靠近你。

K9F1208D0A K9F1216D0A

K9F1208U0A K9F1216U0A

FL灰内存

64M ×8位/ 32M x 16位NAND闪存

产品列表

产品型号

K9F1208D0A-Y,P

K9F1216D0A-Y,P

K9F1208U0A-Y,P

K9F1208U0A-V,F

K9F1216U0A-Y,P

2.7 ~ 3.6V

VCC范围

2.4 ~ 2.9V

组织

X16

PKG型

TSOP1

WSOP1

TSOP1

特点

电源

- 2.65V设备（ K9F12XXD0A ）： 2.4 2.9V

- 3.3V器件（ K9F12XXU0A ）： 2.7 3.6 V

组织

- 存储单元阵列

- X8设备（ K9F1208X0A ）：（ 64M + 2048K ）位×8位

- X16设备（ K9F1216X0A ）：（ 32M + 1024K ）位x 16位

- 数据寄存器

- X8设备（ K9F1208X0A ）：（ 512 + 16 ）位x 8位

- X16装置（ K9F1216X0A ）：（ 256 + 8）位x16bit

自动编程和擦除

- 页编程

- X8设备（ K9F1208X0A ）：（ 512 + 16 ）字节

- X16设备（ K9F1216X0A ）：（ 256 + 8 ）字

- 块擦除：

- X8设备（ K9F1208X0A ）：（ 16K + 512 ）字节

- X16设备（ K9F1216X0A ）：（ 8K + 256 ）字

页面读取操作

- 页面大小

- X8设备（ K9F1208X0A ）：（ 512 + 16 ）字节

- X16设备（ K9F1216X0A ）：（ 256 + 8 ）字

- 随机存取

： 12μs （最大值）。

- 串行页面访问：为50ns （最小值）

快速写周期时间

- 计划时间：为200μs （典型值）

- 块擦除时间： 2毫秒（典型值）。

命令/地址/数据多路复用I / O端口

硬件数据保护

- 编程/擦除锁定在电源转换

可靠的CMOS浮栅技术

- 耐力

： 100K编程/擦除周期

- 数据保存： 10年

命令寄存器操作

智能拷贝回

独特的ID为版权保护

包

- K9F12XXX0A - YCB0 / YIB0

48 - 引脚TSOP I（ 12 ×20 / 0.5 mm间距）

- K9F1208U0A - VCB0 / VIB0

48 - 针WSOP I（ 12X17X0.7mm ）

- K9F12XXX0A - PCB0 / PIB0

48 - 引脚TSOP I（ 12 ×20 / 0.5 mm间距） - 无铅封装

- K9F1208U0A - FCB0 / FIB0

48 - 针WSOP I（ 12X17X0.7mm ） - 无铅封装

* K9F1208U0A - V，F （ WSOPI ）是相同的设备

K9F1208U0A -Y ， P（ TSOP1 ）除了封装类型。

概述

提供在64Mx8bit或32Mx16bit的K9F12XXX0A为512M位有备用16M比特容量。该器件采用2.65V ， 3.3V

VCC。它的NAND单元提供了最具成本效益的解决方案，为固态大容量存储市场。程序操作即可

在典型为200μs执行的528个字节（X8设备）上，或264个字（ X16设备）页和擦除操作可在执行

在16K字节的典型2ms的（ X8设备）或8K字（ X16器件）模块。在页面的数据可以被读出，在每一个字节50ns的周期时间（X8

设备）或字（ X16的装置）。该I / O引脚作为地址和数据输入/输出以及命令输入的端口。在导通

芯片写入控制自动完成所有的编程和擦除功能，包括脉冲重复，在必要时，和内部验证和

裕数据。即使是写密集型系统可以采取K9F12XXX0A的扩展的100K计划的可靠性的优势/

通过提供ECC （纠错码）与实时映射出的算法擦除周期。该K9F12XXX0A是最佳解决方案

灰对于大的非易失性存储应用的诸如固态存储文件和其他需要的非挥发性的便携式应用。

K9F1208D0A K9F1216D0A

K9F1208U0A K9F1216U0A

引脚配置（ TSOP1 ）

K9F12XXU0A-YCB0,PCB0/YIB0,PIB0

X16

N.C

R / B

N.C

VCC

VSS

N.C

CLE

ALE

N.C

FL灰内存

N.C

R / B

N.C

VCC

VSS

N.C

CLE

ALE

N.C

I/O7

I/O6

I/O5

I/O4

N.C

VCC

VSS

N.C

I/O3

I/O2

I/O1

I/O0

N.C

X16

VSS

I/O15

I/O7

I/O14

I/O6

I/O13

I/O5

I/O12

I/O4

N.C

VCC

N.C

I/O11

I/O3

I/O10

I/O2

I/O9

I/O1

I/O8

I/O0

VSS

包装尺寸

48 -PIN铅/铅免费塑料轻薄小本OUT直插式封装类型（I ）

48 - TSOP1 - 1220F

单位：毫米/英寸

0.10

最大

0.004

#48

( 0.25 )

0.010

12.40

0.488 MAX

#24

#25

1.00

±0.05

0.039

±0.002

0.25

0.010 TYP

18.40

±0.10

0.724

±0.004

+0.075

20.00

±0.20

0.787

±0.008

0.20

-0.03

+0.07

0.008

-0.001

0.16

-0.03

+0.07

+0.003

0.50

0.0197

12.00

0.472

0.05

0.002 MIN

0.125

0.035

0~8°

0.45~0.75

0.018~0.030

( 0.50 )

0.020

0.005

-0.001

+0.003

1.20

0.047MAX

K9F1208D0A K9F1216D0A

K9F1208U0A K9F1216U0A

引脚配置（ WSOP1 ）

K9F1208U0A-VCB0,FCB0/VIB0,FIB0

N.C

DNU

N.C

R / B

DNU

N.C

VCC

VSS

N.C

DNU

CLE

ALE

N.C

DNU

N.C

DNU

N.C

I/O7

I/O6

I/O5

I/O4

N.C

DNU

N.C

VCC

VSS

N.C

DNU

N.C

I/O3

I/O2

I/O1

I/O0

N.C

DNU

N.C

FL灰内存

包装尺寸

48 -PIN引脚塑料非常非常的轻薄小本OUT直插式封装类型（I ）

48 - WSOP1 - 1217F

单位：mm

0.70 MAX

15.40

±0.10

0.58

±0.04

+0.07

-0.03

#48

+0.07

-0.03

0.16

12.40MAX

12.00

±0.10

0.50TYP

(0.50

0.06)

0.20

#24

#25

(0.01Min)

0.10

+0.075

-0.035

0.45~0.75

17.00

±0.20