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SMD型
P沟道增强模式
场效应晶体管
KO3409
(AO3409)
SOT-23
+0.1
2.9
-0.1
+0.1
0.4
-0.1
MOSFET
单位：mm
+0.1
2.4
-0.1
I
D
= -2.6 A（V
GS
= -10V)
R
DS （ ON）
< 130米
R
DS （ ON）
< 200米
(V
GS
= -10V)
(V
GS
= -4.5V)
+0.1
1.3
-0.1
V
DS
(V) = -30V
1
2
0.95
+0.1
-0.1
+0.1
1.9
-0.1
0.55
0.4
特点
3
+0.05
0.1
-0.01
0.97
+0.1
0.38
-0.1
+0.1
-0.1
1.Base
1.门
2.Emitter
2.源
0-0.1
3.排水
3.collector
绝对最大额定值大= 25
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
T
A
=25
T
A
=70
漏电流脉冲
功耗
T
A
=25
T
A
=70
Themal阻力。结到环境
Themal阻力。结到外壳
结温和存储温度范围
R
thJA
R
thJC
T
J
, T
英镑
I
DM
P
D
符号
V
DS
V
GS
I
D
等级
-30
20
-2.6
-2.2
-20
1.4
1
100
63
-55到150
/W
/W
W
A
单位
V
V
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1
SMD型
KO3409
(AO3409)
电气特性TA = 25
参数
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
符号
V
DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
Testconditons
I
D
= 250 A，V
GS
=0V
V
DS
=-24V, V
GS
=0V
V
DS
=-24V, V
GS
= 0V ， TJ = 55
V
DS
=0V, V
GS
= 20V
V
DS
=V
GS
I
D
=-250 A
V
GS
= -10V ，我
D
=-2.6A
静态漏源导通电阻
r
DS （ ON）
V
GS
= -10V ，我
D
=-2.6A
V
GS
= -4.5V ，我
D
=-2A
在国家漏极电流
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
总栅极电荷（ 10V ）
总栅极电荷（ 4.5V ）
门源电荷
闸漏极电荷
开启DelayTime
开启上升时间
关断DelayTime
关断下降时间
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷
最大体二极管连续电流
二极管的正向电压
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
Q
rr
I
S
V
SD
I
S
=-1A,V
GS
=0V
I
F
= -2.6A ，D
I
/d
t
=100A/
I
F
= -2.6A ，D
I
/d
t
=100A/
s
s
V
GS
=-10V, V
DS
= -15V ，R
L
=5.8 ,R
根
=3
I
D（上）
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
g
Q
g
V
GS
=-4.5V, V
DS
= -15V ，我
D
=-2.6A
V
GS
=0V, V
DS
= 0V ， F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= -15V ， F = 1MHz的
V
GS
=-4.5V, V
DS
=-5V
V
DS
= -5V ，我
D
=-5A
-5
3
T
J
=125
-1
民
-30
MOSFET
典型值
最大
单位
V
-1
-5
100
-1.9
97
135
166
-3
130
150
200
A
nA
V
m
m
A
3.8
302
50.3
37.8
12
6.8
2.4
1.6
0.95
7.5
3.2
17
6.8
16.8
10
-2
-0.82
-1
22
18
9
nC
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
ns
nC
A
V
370
S
pF
pF
pF
*重复等级，脉冲宽度有限的结温。
2
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KS0127B
K6T1008V2C-B
K4H513238A-TCB0
KMI15/4
K6R1008C1C-L15
K7I641884M-CE25
KTA701E
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
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    KO3409
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全新原装正品/质量有保证
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