K4D263238M
版本1.0 （二〇〇〇年十二月十三日）
定义电容值
K4D263238M - QC60的Chagned tRCDWR从1tCK到2tCK
128M DDR SDRAM
版本0.5 （ 2000年12月8日）
从VREF + 0.31V改变交流输入电平VREF + 0.35V
更改的tRC / tRFC / tRAS的/ tRP的/ tRCDRD / tRCDWR从基于从时钟单元纳秒单位为主。
改变了V
IN
/V
OUT
/V
DDQ
从-1.0V 3.6V的绝对最大额定值为-0.5V 3.6V 。
版本0.4 （ 2000年11月29日）
- 初步
删除K4D263238M - QC40
K4D263238M - QC45几个AC参数已更改
- 改变从TDQSQ的0.4ns到0.45ns 。从THP- 0.6ns以THP - 0.45ns改变tQH 。
- 改变tDQSCK & TAC从0.6ns到0.7ns
- 从0.75tCK / 1.25tCK到0.8tCK / 1.2tCK改变tDQSS 。因此，改变tWPREH从0.25tCK到0.3tCK 。
- 改变TDS / TDH从0.4ns的到0.45ns 。改变TIS / TIH从0.9ns到1.0ns
- 修正tDAL从5tCK到6tCK
K4D263238M - QC50几个AC参数已更改
- 从THP- 0.6ns以THP - 0.45ns改变tQH 。
- 改变tDQSCK & TAC从0.6ns到0.7ns
- 从0.75tCK / 1.25tCK到0.8tCK / 1.2tCK改变tDQSS 。因此，改变tWPREH从0.25tCK到0.3tCK 。
- 修正tDAL从5tCK到6tCK
K4D263238M - QC55几个AC参数已更改
- 改变TDQSQ从0.45ns到0.5ns的。从THP- 0.6ns以THP - 0.5ns的改变TOH 。
- 改变tDQSCK & TAC从0.6ns到0.75ns
- 改变TDS / TDH从0.45ns到0.5ns的。改变TIS / TIH从1.0ns到1.1ns
- 从60.5ns / 71.5ns至66ns / 77ns改变的tRC / tRFC 。改变激进党从16.5ns至22ns 。
- 从5.5ns到11ns的修正tRCDWR 。纠正tDAL从5tCK到6tCK
更改tQH K4D263238M - QC60从THP- 0.75ns以THP- 0.5ns的
添加直流特性值
德科幻NE V
IH
（最大值） / V
IL
（分钟），如电力&直流工作条件表的说明
从16毫秒到32ms.Accordingly改变更新周期， TREF已经从3.9us到7.8us 。
改变了我
IL
,I
OL
从0V< V测试条件
IN
＆ LT ; V
DD
+ 0.3V至0V< V
IN
＆ LT ; V
DD
.
版本0.3 （ 2000年6月8日）
删除块写入功能
版本0.2 （ 2000年4月10日）
独立的tRCD到tRCDRD和tRCDWR
- tRCDRD ：行到列延迟读
- tRCDWR ：行到列的延迟，在写
版本0.1 （ 2000年3月16日）
定义基于Vdd&Vddq = 2.5V规格
最大目标频率高达250MHz的@ CL4
通过读取功能去掉写中断
版本0.0 （ 1999年12月27日） -
目标规格
确定的目标规格
- 3 -
修订版1.3 （2001年8月）
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