DRAM模块
KMM5364005CSW/CSWG
KMM5364005CSW / CSWG EDO模式
4M ×36的DRAM SIMM使用4Mx16 &四CAS 4Mx4 ， 4K刷新， 5V
概述
三星KMM5364005C是4Mx36bits动态RAM
高密度内存模块。三星KMM5364005C
由两个CMOS 4Mx16bits和一个CMOS四路CAS
安装在一个72引脚4Mx4bits的TSOP封装的DRAM
玻璃环氧基板。一个0.1或0.22uF的去耦电容
安装在印刷电路板上为每个DRAM 。该
KMM5364005C是边缘的单列直插式内存模块
连接，适用于安装到72引脚的边缘
连接器插座。
特点
零件识别
- KMM5364005CSW （ 4K周期/ 64ms的参考， TSOP ，焊接）
- KMM5364005CSWG （ 4K周期/ 64ms的参考， TSOP ，金）
扩展数据输出模式操作
CAS先于RAS &隐藏刷新功能
RAS只刷新功能
TTL兼容的输入和输出
单+ 5V ± 10 ％电源
JEDEC标准PDpin &引出线
PCB ：身高（ 1000mil ） ，单双面组件
性能范围
速度
-5
-6
t
RAC
50ns
60ns
t
CAC
13ns
15ns
t
RC
84ns
104ns
t
HPC
20ns
25ns
销刀豆网络gurations
针
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
33
34
35
36
符号
V
SS
DQ0
DQ18
DQ1
DQ19
DQ2
DQ20
DQ3
DQ21
VCC
NC
A0
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A10
DQ4
DQ22
DQ5
DQ23
DQ6
DQ24
DQ7
DQ25
A7
A11
VCC
A8
A9
NC
RAS2
DQ26
DQ8
针
37
38
39
40
41
42
43
44
45
46
47
48
49
50
51
52
53
54
55
56
57
58
59
60
61
62
63
64
65
66
67
68
69
70
71
72
符号
DQ17
DQ35
VSS
CAS0
CAS2
CAS3
CAS1
RAS0
NC
NC
W
NC
DQ9
DQ27
DQ10
DQ28
DQ11
DQ29
DQ12
DQ30
DQ13
DQ31
VCC
DQ32
DQ14
DQ33
DQ15
DQ34
DQ16
NC
PD1
PD2
PD3
PD4
NC
VSS
引脚名称
引脚名称
A0 - A11
DQ0 - 35
W
RAS0 ， RAS2
CAS0 - CAS3
PD1 -PD4
VCC
VSS
NC
功能
地址输入
IN / OUT数据
读/写使能
行地址选通
列地址选通
设备检测
Power(+5V)
地
无连接
存在检测引脚（可选）
针
PD1
PD2
PD3
PD4
50NS
VSS
NC
VSS
VSS
60NS
VSS
NC
NC
NC
三星电子有限公司
保留的权利
改变产品规格，恕不另行通知。
DRAM模块
绝对最大额定值*
项
任何引脚相对于V电压
SS
在V电压
CC
供应相对于V
SS
储存温度
功耗
短路输出电流
符号
V
IN
, V
OUT
V
CC
T
英镑
P
d
I
OS
KMM5364005CSW/CSWG
等级
-1到7.0
-1到7.0
-55到+125
3
50
单位
V
V
°C
W
mA
*如果绝对最大额定值超出可能会造成永久性损坏设备。功能操作应仅限于
条件详见本数据表中的业务部门。暴露在绝对最大额定值条件下，预期
期间可能会影响器件的可靠性。
推荐工作条件
（电压参考V
SS
, T
A
= 0 70℃ ）
项
电源电压
地
输入高电压
输入低电压
符号
V
CC
V
SS
V
IH
V
IL
民
4.5
0
2.4
-1.0
*2
典型值
5.0
0
-
-
最大
5.5
0
V
CC*1
0.8
单位
V
V
V
V
*1 : V
CC
+ 2.0V的脉冲width≤20ns ，其测量V
CC
.
* 2： -2.0V在脉冲width≤为20ns ，该测量V
SS
.
DC和工作特性
（推荐工作条件，除非另有说明）
符号
I
CC1
I
CC2
I
CC3
I
CC4
I
CC5
I
CC6
I
I（L）
I
O（ L）
V
OH
V
OL
速度
-5
-6
不在乎
-5
-6
-5
-6
不在乎
-5
-6
不在乎
不在乎
KMM5364005CSW/CSWG
民
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-10
-5
2.4
-
最大
330
300
6
330
300
260
230
3
330
300
10
5
-
0.4
单位
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
uA
uA
V
V
I
CC1
：工作电流* （ RAS ， CAS ，地址@骑自行车
t
RC
=分钟）
I
CC2
：待机电流（ RAS = CAS = W = V
IH
)
I
CC3
： RAS只刷新电流* （ CAS = V
IH
， RAS循环@
t
RC
=分钟）
I
CC4
：超页模式电流* （ RAS = V
IL
中科院循环：
t
HPC
=分钟）
I
CC5
：待机电流（ RAS = CAS = W = VCC- 0.2V ）
I
CC6
： CAS先于RAS的刷新电流* （ RAS和CAS @骑自行车
t
RC
=分钟）
I(
IL ）
：输入漏电流（任何输入0≤V
IN
≤Vcc+0.5V,
所有其它引脚不能被测= 0 V）
I(
OL ）
：输出漏电流（数据输出被禁用， 0V≤V
OUT
≤VCC ）
V
OH
：输出高电压电平（I
OH
= -5mA ）
V
OL
：输出低电压电平（I
OL
= 4.2毫安）
*注
: I
CC1
, I
CC3
, I
CC4
我
CC6
依赖于输出负载和循环率。指定的值与输出开路获得。
I
CC
被指定为一个平均电流。在我
CC1
我
CC3
，地址可以在RAS = V来改变最大的一次，
IL
。在我
CC4
,
地址可以改变最大一次1 EDO模式的周期时间内，
t
HPC
.
QQ：2881677436 复制
