初步
初步
KM641003C
文档标题
256Kx4位（与OE ）高速CMOS静态RAM （ 5.0V工作） 。
CMOS SRAM
修订历史
版本号
修订版0.0
1.0版
历史
最初的版本有初步。
发布到最终数据手册。
1.1 。初步删除。
初步
CCPCCCRCELIMINARY
数据稿
8月5日1998年
三月3， 1999
备注
初步
最终科幻
所附的数据表准备并批准三星电子。 SAMSUNG ELECTRONICS CO 。 ， LTD 。保留随时更改的权利
规格。三星电子将评估并在该设备的参数回复您的要求和问题。如果您有任何ques-
系统蒸发散，请联系三星分支机构靠近你的办公室，电话或联系总部。
-1-
修订版1.0
1999年3月
初步
初步
KM641003C
256K ×4位（与OE ）高速CMOS静态RAM
特点
快速存取时间12,15,20ns （最大）
低功耗
待机（ TTL）的
： 30毫安（最大）
（ CMOS ） ： 5毫安（最大）
经营KM641003C - 12 ： 70毫安（最大）
KM641003C - 15 ： 68毫安（最大）
KM641003C - 20 ： 65毫安（最大）
单5.0V ± 10 ％电源
TTL兼容的输入和输出
I / O与3.3V器件兼容
全静态工作
- 无时钟或刷新要求
三态输出
中心电源/接地引脚配置
标准引脚配置：
KM641003CJ ： 32 SOJ -400
CMOS SRAM
概述
初步
CCPCCCRCELIMINARY
该KM641003C是1,048,576位高速静态随机
存取存储器由4位组织为262,144字。该
KM641003C使用4个通用输入和输出线，并且具有
输出使能引脚，工作比地址的访问速度更快
时间读周期。该器件采用三星制造的
先进的CMOS工艺制造，并设计用于高速电路
技术。它特别适于在高密度的使用
高速系统的应用程序。该KM641003C打包
在400万的32引脚塑料SOJ 。
引脚配置
（ TOP VIEW ）
N.C
A
0
A
1
1
2
3
4
5
6
7
8
9
32 A
17
31 A
16
30 A
15
29 A
14
28 A
13
27
OE
功能框图
A
2
A
3
CS
CLK GEN 。
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
A
6
A
7
A
8
预充电电路
I / O
1
VCC
VSS
26 I / O
4
SOJ
25 Vss的
24 VCC
23 I / O
3
22 A
12
21 A
11
20 A
10
19
18
A
9
A
8
I / O
2
10
行选择
WE
11
12
13
14
15
存储阵列
512行
512x4列
A
4
A
5
A
6
A
7
N.C 16
I / O
1
- I / O
4
17 N.C
数据
续。
CLK
将军
I / O电路&
列选择
引脚功能
A
9
A
10
A
11
A
12
A
13
A
14
A
15
A
16
A
17
引脚名称
A
0
- A
17
引脚功能
地址输入
写使能
芯片选择
OUTPUT ENABLE
数据输入/输出
Power(+5.0V)
地
无连接
CS
WE
OE
WE
CS
OE
I / O
1
- I / O
4
V
CC
V
SS
N.C
-2-
修订版1.0
1999年3月
初步
初步
KM641003C
绝对最大额定值*
参数
任何引脚相对于V电压
SS
在V电压
CC
供应相对于V
SS
功耗
储存温度
工作温度
符号
V
IN
, V
OUT
等级
-0.5 VCC + 0.5V
单位
V
V
W
°C
°C
CMOS SRAM
V
CC
-0.5 7.0
初步
CCPCCCRCELIMINARY
P
d
1
T
英镑
T
A
-65到150
0到70
*
应力大于下"Absolute最大Ratings"可能会对设备造成永久性损坏。这是一个值仅为
该设备在这些或以上的本规范的经营部门所标明的任何其他条件的功能操作，是不是暗示。
暴露在绝对最大额定值条件下工作会影响可靠性。
建议的直流工作条件
(T
A
= 0 70℃ ）
参数
电源电压
地
输入高电压
输入低电压
符号
V
CC
V
SS
V
IH
V
IL
民
4.5
0
2.2
-0.5*
典型值
5.0
0
-
-
最大
5.5
0
V
CC
+0.5**
0.8
单位
V
V
V
V
* V
IL
（最小值） = -2.0V交流转换器（脉冲宽度
≤
为8ns ），因为我
≤
20mA.
** V
IH
（MAX） = V
CC
+ 2.0V交流转换器（脉冲宽度
≤
为8ns ），因为我
≤
20mA.
DC和工作特性
(T
A
= 0至70℃ ， Vcc的= 5.0V ±10％ ，除非另有规定）
参数
输入漏电流
输出漏电流
工作电流
符号
I
LI
I
LO
I
CC
测试条件
V
IN
=V
SS
到V
CC
CS = V
IH
或OE = V
IH
或WE = V
IL
V
OUT
=V
SS
到V
CC
分钟。周期， 100 ％占空比
CS = V
白细胞介素，
V
IN
=V
IH
或V
白细胞介素，
I
OUT
=0mA
分钟。周期， CS = V
IH
F = 0MHz处， CS
≥V
CC
-0.2V,
V
IN
≥V
CC
-0.2V或V
IN
≤0.2V
I
OL
=8mA
I
OH
=-4mA
I
OH1
=-0.1mA
12ns
15ns
20ns
待机电流
I
SB
I
SB1
输出低电压电平
输出高电压电平
V
OL
V
OH
V
OH1
*
* V
CC
= 5.0V ±5％，温度= 25℃
.
民
-2
-2
-
-
-
-
-
-
2.4
-
最大
2
2
70
68
65
30
5
0.4
-
3.95
单位
A
A
mA
mA
V
V
V
电容*
(T
A
= 25 ° C，F = 1.0MHz的）
项
输入/输出电容
输入电容
*电容进行采样，而不是100 ％测试。
符号
C
I / O
C
IN
测试条件
V
I / O
=0V
V
IN
=0V
民
-
-
最大
8
6
单位
pF
pF
-3-
修订版1.0
1999年3月
QQ：2881677436 复制
