【半导体技术参数低频的放大。特点高盼着电流传输比HFE.低集电极到发射极饱和电压VCE （ SAT ）】,IC型号KTD1824,KTD1824 PDF资料,KTD1824经销商,ic,电子元器件-51电子网

51电子网联系电话：13751165337

位置：首页 > IC型号导航 > 首字符K型号页 > 首字符K的型号第114页 > KTD1824

半导体

技术参数

低频的放大。

特点

高盼着电流传输比H

FE

.

低集电极到发射极饱和电压V

CE （ SAT ）

.

高发射基地电压V

EBO

.

低噪声电压NV 。

USM型封装，设备，允许小型化，

通过带包装盒自动插入

包装。

KTD1824

外延平面NPN晶体管

E

M

B

M

2

D

3

暗淡

A

B

C

D

E

G

H

J

K

L

M

N

1

MILLIMETERS

_

2.00 + 0.20

_

1.25 + 0.15

_

0.90 + 0.10

0.3+0.10/-0.05

_

2.10 + 0.20

0.65

0.15+0.1/-0.06

1.30

0.00-0.10

0.70

_

0.42 + 0.10

0.10敏

A

J

C

G

H

N

K

N

最大额定值（ TA = 25

特征

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流

DC

脉冲

)

符号

V

CBO

V

首席执行官

V

EBO

I

C

I

CP

P

C

T

j

T

英镑

等级

50

40

15

50

100

100

150

-55 150

单位

V

V

V

1.发射器

2.基

3.收集

L

USM

mA

mW

集电极耗散功率

结温

存储温度范围

记号

型号名称

h

FE

秩

L

电气特性（ TA = 25 ）

特征

集电极截止电流

集电极 - 基极击穿电压

集电极 - 发射极击穿电压

发射极 - 基极击穿电压

直流电流增益

集电极 - 发射极饱和电压

跃迁频率

注：H

FE

分类

A:400~800,

符号

I

CBO

I

首席执行官

V

（ BR ） CBO

V

（ BR ） CEO

V

（ BR ） EBO

h

FE

（注）

V

CE （ SAT ）

f

T

B:600~1200,

测试条件

V

CB

= 20V ，我

E

=0

V

CE

= 20V ，我

B

=0

I

C

= 10 A，I

E

=0

I

C

= 1mA时，我

B

=0

I

E

= 10 A，I

C

=0

V

CE

= 10V ，我

C

=2mA

I

C

= 10毫安，我

B

=1mA

V

CB

= 10V ，我

E

= -2mA ， F = 200MHz的

C:1000~2000

分钟。

-

-

50

40

15

400

-

-

1000

0.05

120

2000

0.2

-

V

兆赫

典型值。

-

-

马克斯。

100

1

单位

nA

A

V

V

V

2001. 11. 29

版本号： 1

1/3

KTD1824

I

C

- V

CE

集电极电流I

C

（MA ）

120

TA = 25℃

100

A

90

A

80

A

70

A

60

A

50

A

h

FE

- I

C

1200

直流电流增益

FE

V

CE

=10V

100

80

60

40

20

0

0

2

4

6

8

900

TA = 75℃

TA = 25℃

40

A

30

A

600

TA = -25℃

20A

I

B

=10A

300

0

10

0.1

0.3

1

3

10

30

100

集电极 - 发射极电压V

CE

(V)

集电极电流I

C

（MA ）

V

CE （ SAT ）

- I

C

集电极 - 发射极饱和

电压V

CE （ SAT ）

(V)

集电极电流I

C

（MA ）

1

0.5

0.3

I

C

/I

B

=10

I

C

- V

BE

100

80

60

40

20

0

TA = -25℃

TA = 75℃

TA = 25℃

V

CE

=10V

0.1

0.05

0.03

TA = 75℃

TA = 25℃

5 C

Ta=-2

0.01

0.1

0.3

1

3

10

30

100

集电极电流I

C

（MA ）

0

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

基极 - 发射极电压V

BE

(V)

f

T

- I

E

集电极输出电容

C

ob

（PF ）

过渡频率f

T

（兆赫）

250

200

150

100

50

0

-0.1

V

CB

=10V

TA = 25℃

C

ob

- V

CB

8

7

6

5

4

3

2

1

0

1

3

10

30

100

集电极 - 基极电压V

CB

(V)

I

E

=0

f=1MHz

TA = 25℃

-0.3

-1

-3

-10

-30

-100

发射极电流I

E

（MA ）

2001. 11. 29

版本号： 1

2/3

KTD1824

PC - TA

集电极耗散功率

P

C

（ mW）的

125

100

125

50

25

0

0

25

50

75

100

125

150

周围温度Ta （℃）

2001. 11. 29

版本号： 1

3/3

半导体

标识特定网络阳离子

KTD1824

USM包装

1.标记方法

激光打标

2.标记

1

LA

0 1

4

(D)

D

(4)

5

(E)

E

(5)

6

(F)

F

(6)

Periode （年）

52

5B

E2

EB

2006-2010-2014...

2007-2011-2015...

2

号

项

马克设备

级的hFE

*批号

记号

L

A

01

描述

KTD1824

A， B，C

2006年第1周

[ 0 ：第1个字符， 1 ：第2个字符]

注）*批号标注方法

性格

安排

YEAR

1个字符

第2个字符

1

(A)

A

(1)

2

(B)

B

(2)

3

(C)

C

(3)

7

(G)

G

(7)

8

(H)

H

(8)

9

(I)

I

(9)

备注

0

(J)

J

(0)

标记（周）

01

0A

J1

JA

02

0B

J2

JB

51

5A

E1

EA

第1年（ 2006年）

第二年（ 2007年）

4届年度（ 2008年）

第4年（ 2009年）

旋转4年

2008-2012-2016...

2009-2013-2017...

2008. 8. 29

版本号： 0

1/1

查看更多KTD1824PDF信息

供货商

型号

厂家

批号

数量

封装

单价/备注

操作

柒号芯城电子商务（深圳）有限公司

QQ：

点击这里给我发消息

QQ：2881677436 复制

点击这里给我发消息

QQ：2881620402 复制

电话：18922805453

联系人：连

地址：福田区华强北路1019号华强广场D座23楼

KTD1824

-

-

-

-

终端采购配单精选

深圳市壹芯创科技有限公司

QQ：

点击这里给我发消息

QQ：2880707522 复制

点击这里给我发消息

QQ：2369405325 复制

电话：0755-82780082

联系人：杨小姐

地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

KTD1824

-

-

-

-

终端采购配单精选

更多配单专家

北京人上科技有限公司

QQ：

点击这里给我发消息

QQ：5645336 复制

电话：13910052844（微信同步）

联系人：刘先生

地址：海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室

KTD1824

√ 欧美㊣品

▲10/11+

10356

贴◆插

【dz37.com】实时报价有图&PDF

查询更多KTD1824供应信息

深圳市碧威特网络技术有限公司

我要啦免费统计

复制成功！