KM62V256C ， KM62U256C家庭
CMOS SRAM
32Kx8位低功耗&低Vcc的CMOS静态RAM
功能摘要
概述
工艺技术： 0.7微米CMOS
组织： 32K ×8
电源电压
KM62V256C系列： 3.3V ± 0.3V
KM62U256C系列： 3.0V ± 0.3V
低数据保持电压： 2V （最小值）
三态输出与TTL兼容
封装类型： JEDEC标准
28 - SOP ， 28 - TSOP （ I） -forward /反转
该KM62V256C和KM62U256C家庭都制作
通过三星先进的CMOS工艺技术。该
家人可以支持各种工作温度范围
并且对系统的使用灵活性各种封装类型
设计。该系列产品还支持低数据保持电压
对备用电池，低数据保持操作
电流。
产品系列
产品
名单
KM62V256CL-L
KM62U256CL-L
操作
温度。
广告
(0~70 °C)
VCC范围
3.0~3.6V
2.7~3.3V
3.0~3.6V
2.7~3.3V
3.0~3.6V
2.7~3.3V
速度
（纳秒）
70*/100
85*/100
70*/100
85*/100
70*/100
85*/100
功耗
PKG型
28-SOP**
28 - TSOP （Ⅰ） R / F
28-SOP**
28 - TSOP （Ⅰ） R / F
28-SOP**
28 - TSOP （Ⅰ） R / F
待机
（ ISB1 ，最大值）
操作
(Icc2)
10 A
10 A
20 A
15 A
20 A
15 A
35mA
KM62V256CLE -L扩展
KM62U256CLE -L （ -25 85°C ）
KM62V256CLI-L
KM62U256CLI-L
产业
(-40~85 °C)
*测量30pF的负载测试
**在3.0 3.6V的Vcc范围内的设备具有100ns SOP封装不生产。
引脚说明
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
I/O1
I/O2
I/O3
VSS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
VCC
/ WE
A13
A8
A9
A11
/ OE
A10
/ CS
I/O8
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
A3
A4
A5
A6
A7
A12
A14
VCC
/ WE
A13
A8
A9
A11
/ OE
14
13
12
11
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
A2
A1
A0
IO1
IO2
IO3
VSS
IO4
IO5
IO6
IO7
IO8
/ CS
A10
/ OE
A11
A9
A8
A13
/ WE
VCC
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
A10
/ CS
IO8
IO7
IO6
IO5
IO4
VSS
IO3
IO2
IO1
A0
A1
A2
功能框图
A0~2, A9~11
y解码器
A3~A8
A12~14
28引脚TSOP
I型 - 前进
X解码器
控制逻辑
电池阵列
28引脚SOP
22
21
20
19
18
17
16
15
I/O1~8
I / O缓冲器
功能
/ CS ， / WE
/ OE
引脚名称
A0~A14
/ WE
/ CS
/ OE
I/O1~I/O8
VCC
VSS
28引脚TSOP
I型 - 反向
地址输入
写使能输入
片选输入
输出使能输入
数据输入/输出
动力
地
修订04
1996年4月
-
1
-
电子
KM62V256C ， KM62U256C家庭
产品列表&订购信息
产品列表
商用产品温度
(0~70 °C)
部件名称
KM62V256CLG-7L
KM62V256CLTG-7L
KM62V256CLTG-10L
KM62V256CLRG-7L
KM62V256CLRG-10L
KM62U256CLG-8L
KM62U256CLTG-8L
KM62U256CLRG-8L
KM62U256CLG-10L
KM62U256CLTG-10L
KM62U256CLRG-10L
CMOS SRAM
扩展温度产品
(-25~85 °C)
部件名称
KM62V256CLGE-7L
KM62V256CLTGE-7L
KM62V256CLRGE-7L
工业温度产品
(-40~85 °C)
部件名称
KM62V256CLGI-7L
KM62V256CLTGI-7L
KM62V256CLTGI-10L
KM62V256CLRGI-7L
功能
28 - SOP ，为70ns ， 3.3V
28 - TSOP楼为70ns ， 3.3V
28 - TSOP楼为100ns ， 3.3V
28 - TSOP R，为70ns ， 3.3V
功能
28 - SOP ，为70ns ， 3.3V
28 - TSOP楼为70ns ， 3.3V
28 - TSOP R，为70ns ， 3.3V
功能
28 - SOP ，为70ns ， 3.3V
28 - TSOP楼为70ns ， 3.3V
28 - TSOP楼为100ns ， 3.3V
28 - TSOP R，为70ns ， 3.3V
KM62V256CLTGE -10L 28 - TSOP楼为100ns ， 3.3V
28 - TSOP R，为100ns ， 3.3V KM62V256CLRGE -10L 28 - TSOP R，为100ns ， 3.3V KM62V256CLRGI -10L 28 - TSOP R，为100ns ， 3.3V
28 - SOP ， 85ns ， 3.0V
28 - TSOP楼85ns ， 3.0V
28 - TSOP R， 85ns ， 3.0V
28 -SOP ，为100ns ， 3.0V
28 - TSOP楼为100ns ， 3.0V
KM62U256CLGE-8L
KM62U256CLTGE-8L
KM62U256CLRGE-8L
KM62U256CLGE-10L
28 - SOP ， 85ns ， 3.0V
28 - TSOP楼85ns ， 3.0V
28 - TSOP R， 85ns ， 3.0V
28 -SOP ，为100ns ， 3.0V
KM62U256CLGI-8L
KM62U256CLTGI-8L
KM62U256CLRGI-8L
KM62U256CLGI-10L
28 - SOP ， 85ns ， 3.0V
28 - TSOP楼85ns ， 3.0V
28 - TSOP R， 85ns ， 3.0V
28 -SOP ，为100ns ， 3.0V
KM62U256CLTGE -10L 28 - TSOP楼为100ns ， 3.0V
KM62U256CLTGI -10L 28 - TSOP楼为100ns ， 3.0V
28 - TSOP R，为100ns ， 3.0V KM62U256CLRGE -10L 28 - TSOP R，为100ns ， 3.0V KM62U256CLRGI -10L 28 - TSOP R，为100ns ， 3.0V
订购信息
M6 2× 256
X
X
X
- XX
X
L- Low低功耗，空白，低功率或高功率
访问时间： 7 = 70ns的， 8 = 85ns ， 10 = 100ns的
工作温度：
I =工业级， E =扩展，空白=商业
封装类型： G = SOP ， TG = TSOP前进，
RG = TSOP反转
L-低功率或低低功耗，空白，大功率
模具版本： C = 4代
密度： 256 = 256Kbit
V = 3.0 3.6V ， U = 2.7 3.3V ，空白= 5V
组织： 2 = X8
美国证券交易委员会的标准SRAM
-
2
-
电子
修订04
1996年4月
KM62V256C ， KM62U256C家庭
绝对最大额定值*
项
任何引脚相对于VSS的电压
功耗
储存温度
工作温度
符号
评级
-0.3 4.6
0.7
-65到150
0到70
-25到85
-40到85
焊接温度和时间
Tsolder
260 ° C， 10秒
（只会导致）
单位
V
V
W
°C
°C
CMOS SRAM
备注
-
-
-
-
KM62V256CL -L KM62U256CL -L-
VIN，VOUT -0.5 VCC + 0.5
Pd
TSTG
Ta
供应相对于Vss的VCC VCC电压
°C
KM62V256CLE -L KM62U256CLE -L-
°C
KM62V256CLI -L KM62U256CLI -L-
-
-
*应力大于“绝对最大额定值” ，即可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力
只有与设备，在这些或以上的任何其他条件在此操作章节中所示的功能操作评级
规范是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下工作会影响可靠性。
建议的直流工作条件*
项
电源电压
地
输入高电压
输入低电压
符号
VCC
VSS
VIH
VIL
产品
KM62V256C家庭
KM62U256C家庭
所有
KM62V256C家庭
KM62U256C家庭
KM62V256C家庭
KM62U256C家庭
* 1 ）商业产品：钽= 0至70℃ ，除非另有说明
2 ）扩展产品：钽= -25到85° C，除非另有说明
3 ）工业产品： TA = -40至85°C ，除非另有说明
** TA = 25℃
*** VIL（分钟） = - 3.0V的
为0ns脉冲
3
民
3.0
2.7
0
2.2
2.2
-0.3
-0.3***
典型**
3.3
3.0
0
-
-
-
-
最大
3.6
3.3
0
Vcc+0.3
Vcc+0.3
0.4
0.4
单位
V
V
V
V
V
V
V
电容*
（ F = 1MHz时， TA = 25 ° C）
项
输入电容
输入/输出电容
符号
CIN
CIO
测试条件
Vin=0V
Vio=0V
民
-
-
最大
6
8
单位
pF
pF
*电容采样不是100 ％测试
-
3
-
电子
修订04
1996年4月
KM62V256C ， KM62U256C家庭
DC和工作特性
项
输入漏电流
输出漏电流
符号
ILI
国际劳工组织
测试条件
1)
VIN = VSS到Vcc
/ CS = VIH和VIL或/ WE =德维尔
VIO = VSS到Vcc
工作电源电流Icc
平均工作电流
Icc1
/ CS = VIL时， VIN = VIH和VIL时，饭尾= 0毫安
循环时间= 1us的100 ％的占空
/ CS
.2V ，德维尔
.2V,
0
0
VIN
CC- 0.2V ，饭尾= 0毫安
V
Icc2
输出低电压
输出高电压
待机电流（ TTL ）
待机
当前
（ CMOS）的
KM62V256CL-L
KM62V256CLE-L
KM62V256CLI-L
KM62U256CL-L
KM62U256CLE-L
KM62U256CLI-L
VOL
VOH
ISB
Isb1
分周期内， 100 ％的占空
/ CS = VIL时，饭尾= 0毫安
Iol=2.1mA
Ioh=-1.0mA
/ CS = VIH
/ CS
CC- 0.2V低低PWR
V
低低PWR
VIN
.2V或
0
VIN
CC- 0.2V低低PWR
V
低低PWR
低低PWR
低低PWR
-
2.2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
1.5
1.5
1.5
1.0
1.0
1.0
-
20
3)
-
-
1.0
2.5
民
-1
-1
CMOS SRAM
典型值
2)
-
-
最大
1
1
2.0
5
单位
uA
uA
mA
mA
35
4)
0.4
-
0.3
10
20
20
10
15
15
mA
V
V
mA
uA
uA
uA
uA
uA
uA
1 ） - 商业产品：钽= 0到70° C， VCC = 3.0 +/- 0.3V （ 62U256C家庭） ， VCC = 3.3 +/- 0.3V （ 62V256C系列）
- 扩展产品：钽= -25到85°C ， VCC = 3.0 +/- 0.3V （ 62U256CE家庭） ， VCC = 3.3 +/- 0.3V （ 62V256CE系列）
- 工业产品： TA = -40至85°C ， VCC = 3.0 +/- 0.3V （ 62U256CI家庭） ， VCC = 3.3 +/- 0.3V （ 62V256CI系列）
2 ） TA = 25℃
3 ） 25mA电流KM62V256C家庭
4 ） 30毫安的KM62U256C家庭，但它不是100％的测试，但在统计学上获得
A.C特性
测试条件
(
1.测试负载和测试输入/输出参考）
*
项
输入脉冲电平
输入上升下降时间
价值
0.4 2.2V
5ns
备注
-
-
-
-
*包括范围和夹具电容
C
L
*
输入和输出参考电压1.5V
输出负载（见右）
C
L
=100pF+1TTL
C
L
=30pF+1TTL
*请参阅DC和操作特性测试条件
-
4
-
电子
修订04
1996年4月
KM62V256C ， KM62U256C家庭
CMOS SRAM
32Kx8位低功耗&低Vcc的CMOS静态RAM
功能摘要
概述
工艺技术： 0.7微米CMOS
组织： 32K ×8
电源电压
KM62V256C系列： 3.3V ± 0.3V
KM62U256C系列： 3.0V ± 0.3V
低数据保持电压： 2V （最小值）
三态输出与TTL兼容
封装类型： JEDEC标准
28 - SOP ， 28 - TSOP （ I） -forward /反转
该KM62V256C和KM62U256C家庭都制作
通过三星先进的CMOS工艺技术。该
家人可以支持各种工作温度范围
并且对系统的使用灵活性各种封装类型
设计。该系列产品还支持低数据保持电压
对备用电池，低数据保持操作
电流。
产品系列
产品
名单
KM62V256CL-L
KM62U256CL-L
操作
温度。
广告
(0~70 °C)
VCC范围
3.0~3.6V
2.7~3.3V
3.0~3.6V
2.7~3.3V
3.0~3.6V
2.7~3.3V
速度
（纳秒）
70*/100
85*/100
70*/100
85*/100
70*/100
85*/100
功耗
PKG型
28-SOP**
28 - TSOP （Ⅰ） R / F
28-SOP**
28 - TSOP （Ⅰ） R / F
28-SOP**
28 - TSOP （Ⅰ） R / F
待机
（ ISB1 ，最大值）
操作
(Icc2)
10 A
10 A
20 A
15 A
20 A
15 A
35mA
KM62V256CLE -L扩展
KM62U256CLE -L （ -25 85°C ）
KM62V256CLI-L
KM62U256CLI-L
产业
(-40~85 °C)
*测量30pF的负载测试
**在3.0 3.6V的Vcc范围内的设备具有100ns SOP封装不生产。
引脚说明
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
I/O1
I/O2
I/O3
VSS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
VCC
/ WE
A13
A8
A9
A11
/ OE
A10
/ CS
I/O8
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
A3
A4
A5
A6
A7
A12
A14
VCC
/ WE
A13
A8
A9
A11
/ OE
14
13
12
11
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
A2
A1
A0
IO1
IO2
IO3
VSS
IO4
IO5
IO6
IO7
IO8
/ CS
A10
/ OE
A11
A9
A8
A13
/ WE
VCC
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
A10
/ CS
IO8
IO7
IO6
IO5
IO4
VSS
IO3
IO2
IO1
A0
A1
A2
功能框图
A0~2, A9~11
y解码器
A3~A8
A12~14
28引脚TSOP
I型 - 前进
X解码器
控制逻辑
电池阵列
28引脚SOP
22
21
20
19
18
17
16
15
I/O1~8
I / O缓冲器
功能
/ CS ， / WE
/ OE
引脚名称
A0~A14
/ WE
/ CS
/ OE
I/O1~I/O8
VCC
VSS
28引脚TSOP
I型 - 反向
地址输入
写使能输入
片选输入
输出使能输入
数据输入/输出
动力
地
修订04
1996年4月
-
1
-
电子
KM62V256C ， KM62U256C家庭
产品列表&订购信息
产品列表
商用产品温度
(0~70 °C)
部件名称
KM62V256CLG-7L
KM62V256CLTG-7L
KM62V256CLTG-10L
KM62V256CLRG-7L
KM62V256CLRG-10L
KM62U256CLG-8L
KM62U256CLTG-8L
KM62U256CLRG-8L
KM62U256CLG-10L
KM62U256CLTG-10L
KM62U256CLRG-10L
CMOS SRAM
扩展温度产品
(-25~85 °C)
部件名称
KM62V256CLGE-7L
KM62V256CLTGE-7L
KM62V256CLRGE-7L
工业温度产品
(-40~85 °C)
部件名称
KM62V256CLGI-7L
KM62V256CLTGI-7L
KM62V256CLTGI-10L
KM62V256CLRGI-7L
功能
28 - SOP ，为70ns ， 3.3V
28 - TSOP楼为70ns ， 3.3V
28 - TSOP楼为100ns ， 3.3V
28 - TSOP R，为70ns ， 3.3V
功能
28 - SOP ，为70ns ， 3.3V
28 - TSOP楼为70ns ， 3.3V
28 - TSOP R，为70ns ， 3.3V
功能
28 - SOP ，为70ns ， 3.3V
28 - TSOP楼为70ns ， 3.3V
28 - TSOP楼为100ns ， 3.3V
28 - TSOP R，为70ns ， 3.3V
KM62V256CLTGE -10L 28 - TSOP楼为100ns ， 3.3V
28 - TSOP R，为100ns ， 3.3V KM62V256CLRGE -10L 28 - TSOP R，为100ns ， 3.3V KM62V256CLRGI -10L 28 - TSOP R，为100ns ， 3.3V
28 - SOP ， 85ns ， 3.0V
28 - TSOP楼85ns ， 3.0V
28 - TSOP R， 85ns ， 3.0V
28 -SOP ，为100ns ， 3.0V
28 - TSOP楼为100ns ， 3.0V
KM62U256CLGE-8L
KM62U256CLTGE-8L
KM62U256CLRGE-8L
KM62U256CLGE-10L
28 - SOP ， 85ns ， 3.0V
28 - TSOP楼85ns ， 3.0V
28 - TSOP R， 85ns ， 3.0V
28 -SOP ，为100ns ， 3.0V
KM62U256CLGI-8L
KM62U256CLTGI-8L
KM62U256CLRGI-8L
KM62U256CLGI-10L
28 - SOP ， 85ns ， 3.0V
28 - TSOP楼85ns ， 3.0V
28 - TSOP R， 85ns ， 3.0V
28 -SOP ，为100ns ， 3.0V
KM62U256CLTGE -10L 28 - TSOP楼为100ns ， 3.0V
KM62U256CLTGI -10L 28 - TSOP楼为100ns ， 3.0V
28 - TSOP R，为100ns ， 3.0V KM62U256CLRGE -10L 28 - TSOP R，为100ns ， 3.0V KM62U256CLRGI -10L 28 - TSOP R，为100ns ， 3.0V
订购信息
M6 2× 256
X
X
X
- XX
X
L- Low低功耗，空白，低功率或高功率
访问时间： 7 = 70ns的， 8 = 85ns ， 10 = 100ns的
工作温度：
I =工业级， E =扩展，空白=商业
封装类型： G = SOP ， TG = TSOP前进，
RG = TSOP反转
L-低功率或低低功耗，空白，大功率
模具版本： C = 4代
密度： 256 = 256Kbit
V = 3.0 3.6V ， U = 2.7 3.3V ，空白= 5V
组织： 2 = X8
美国证券交易委员会的标准SRAM
-
2
-
电子
修订04
1996年4月
KM62V256C ， KM62U256C家庭
绝对最大额定值*
项
任何引脚相对于VSS的电压
功耗
储存温度
工作温度
符号
评级
-0.3 4.6
0.7
-65到150
0到70
-25到85
-40到85
焊接温度和时间
Tsolder
260 ° C， 10秒
（只会导致）
单位
V
V
W
°C
°C
CMOS SRAM
备注
-
-
-
-
KM62V256CL -L KM62U256CL -L-
VIN，VOUT -0.5 VCC + 0.5
Pd
TSTG
Ta
供应相对于Vss的VCC VCC电压
°C
KM62V256CLE -L KM62U256CLE -L-
°C
KM62V256CLI -L KM62U256CLI -L-
-
-
*应力大于“绝对最大额定值” ，即可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力
只有与设备，在这些或以上的任何其他条件在此操作章节中所示的功能操作评级
规范是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下工作会影响可靠性。
建议的直流工作条件*
项
电源电压
地
输入高电压
输入低电压
符号
VCC
VSS
VIH
VIL
产品
KM62V256C家庭
KM62U256C家庭
所有
KM62V256C家庭
KM62U256C家庭
KM62V256C家庭
KM62U256C家庭
* 1 ）商业产品：钽= 0至70℃ ，除非另有说明
2 ）扩展产品：钽= -25到85° C，除非另有说明
3 ）工业产品： TA = -40至85°C ，除非另有说明
** TA = 25℃
*** VIL（分钟） = - 3.0V的
为0ns脉冲
3
民
3.0
2.7
0
2.2
2.2
-0.3
-0.3***
典型**
3.3
3.0
0
-
-
-
-
最大
3.6
3.3
0
Vcc+0.3
Vcc+0.3
0.4
0.4
单位
V
V
V
V
V
V
V
电容*
（ F = 1MHz时， TA = 25 ° C）
项
输入电容
输入/输出电容
符号
CIN
CIO
测试条件
Vin=0V
Vio=0V
民
-
-
最大
6
8
单位
pF
pF
*电容采样不是100 ％测试
-
3
-
电子
修订04
1996年4月
KM62V256C ， KM62U256C家庭
DC和工作特性
项
输入漏电流
输出漏电流
符号
ILI
国际劳工组织
测试条件
1)
VIN = VSS到Vcc
/ CS = VIH和VIL或/ WE =德维尔
VIO = VSS到Vcc
工作电源电流Icc
平均工作电流
Icc1
/ CS = VIL时， VIN = VIH和VIL时，饭尾= 0毫安
循环时间= 1us的100 ％的占空
/ CS
.2V ，德维尔
.2V,
0
0
VIN
CC- 0.2V ，饭尾= 0毫安
V
Icc2
输出低电压
输出高电压
待机电流（ TTL ）
待机
当前
（ CMOS）的
KM62V256CL-L
KM62V256CLE-L
KM62V256CLI-L
KM62U256CL-L
KM62U256CLE-L
KM62U256CLI-L
VOL
VOH
ISB
Isb1
分周期内， 100 ％的占空
/ CS = VIL时，饭尾= 0毫安
Iol=2.1mA
Ioh=-1.0mA
/ CS = VIH
/ CS
CC- 0.2V低低PWR
V
低低PWR
VIN
.2V或
0
VIN
CC- 0.2V低低PWR
V
低低PWR
低低PWR
低低PWR
-
2.2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
1.5
1.5
1.5
1.0
1.0
1.0
-
20
3)
-
-
1.0
2.5
民
-1
-1
CMOS SRAM
典型值
2)
-
-
最大
1
1
2.0
5
单位
uA
uA
mA
mA
35
4)
0.4
-
0.3
10
20
20
10
15
15
mA
V
V
mA
uA
uA
uA
uA
uA
uA
1 ） - 商业产品：钽= 0到70° C， VCC = 3.0 +/- 0.3V （ 62U256C家庭） ， VCC = 3.3 +/- 0.3V （ 62V256C系列）
- 扩展产品：钽= -25到85°C ， VCC = 3.0 +/- 0.3V （ 62U256CE家庭） ， VCC = 3.3 +/- 0.3V （ 62V256CE系列）
- 工业产品： TA = -40至85°C ， VCC = 3.0 +/- 0.3V （ 62U256CI家庭） ， VCC = 3.3 +/- 0.3V （ 62V256CI系列）
2 ） TA = 25℃
3 ） 25mA电流KM62V256C家庭
4 ） 30毫安的KM62U256C家庭，但它不是100％的测试，但在统计学上获得
A.C特性
测试条件
(
1.测试负载和测试输入/输出参考）
*
项
输入脉冲电平
输入上升下降时间
价值
0.4 2.2V
5ns
备注
-
-
-
-
*包括范围和夹具电容
C
L
*
输入和输出参考电压1.5V
输出负载（见右）
C
L
=100pF+1TTL
C
L
=30pF+1TTL
*请参阅DC和操作特性测试条件
-
4
-
电子
修订04
1996年4月
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