KM6264B家庭
8Kx8位低功耗CMOS静态RAM
功能摘要
工艺技术： CMOS
组织： 8K ×8
电源电压：单5V ±10 ％
低数据保持电压： 2V （最小值）
三态输出与TTL兼容
封装类型： JEDEC标准
28 - DIP ， 28 -SOP
CMOS SRAM
概述
该KM6264B家庭是由三星公司制造
先进的CMOS工艺技术。家庭
可支持不同的操作温度范围
并且对用户的灵活性各种封装类型
系统设计。该系列产品还支持低数据
保持电压的电池备份与操作
低数据保持电流。
产品系列
产品
家庭
KM6264BL
KM6264BL-L
KM6264BLE
KM6264BLE-L
KM6264BLI
KM6264BLI-L
操作
温度
广告
(0~70 °C)
EXTENDED
(-25~-85 °C)
产业
(-40~85 °C)
速度
PKG型
功耗
待机（ ISB1 ，最大）工作（ ICC2 ）
100uA
百分之七十○ / 120ns的28 - DIP ， 28 -SOP
100*ns
100*ns
28-SOP
28-SOP
10uA
100uA
50uA
100uA
50uA
55mA
*测量30pF的负载测试
引脚说明
N.C
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
I/O1
I/O2
I/O3
VSS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
VCC
/ WE
功能框图
y解码器
X解码器
控制逻辑
CS2
A8
A9
A11
/ OE
A10
/CS1
I/O8
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
电池阵列
A0~A12
28引脚DIP
28引脚SOP
22
21
20
19
18
17
16
15
I/O1~8
I / O缓冲器
功能
/ CS1，CS2
/ WE ， / OE
引脚名称
A0~A12
/ WE
/ CS1，CS2
/ OE
I/O1~I/O8
VCC
VSS
N.C
地址输入
写使能输入
片选输入
输出使能输入
数据输入/输出
Power(5V)
地
无连接
1
电子
修订版。 0.0
Auust 。 1996年
KM6264B家庭
产品列表&订购信息
产品列表
商用产品温度
(0~70 °C)
部件名称
KM6264BLP-7
KM6264BLP-7L
KM6264BLP-10
KM6264BLP-10L
KM6264BLP-12
KM6264BLP-12L
KM6264BLG-7
KM6264BLG-7L
KM6264BLG-10
KM6264BLG-10L
KM6264BLG-12
KM6264BLG-12L
CMOS SRAM
扩展温度产品
(-25~85 °C)
部件名称
KM6264BLGE-10
KM6264BLGE-10L
工业温度产品
(-40~85 °C)
部件名称
KM6264BLGI-10
KM6264BLGI-10L
功能
28 - DIP ，为70ns ， L- PWR
28 - DIP ，为70ns ， LL- PWR
28 - DIP ，为100ns ， L- PWR
28 - DIP ，为100ns ， LL- PWR
28 - DIP ， 120ns的， L- PWR
28 - DIP ， 120ns的， LL- PWR
28 - SOP ，为70ns ， L- PWR
28 - SOP ，为70ns ， LL- PWR
28 - SOP ，为100ns ， L- PWR
28 - SOP ，为100ns ， LL- PWR
28 - SOP ， 120ns的， L- PWR
28 - SOP ， 120ns的， LL- PWR
功能
28 - SOP ，为100ns ， L- PWR
28 - SOP ，为100ns ， LL- PWR
功能
28 - SOP ，为100ns ， L- PWR
28 - SOP ，为100ns ， LL- PWR
订购信息
M6 2× 64
B
X
X
XX -
XX
X
L- Low低功耗，空白，低功率或高功率
访问时间： 7 = 70ns的， 10 = 100ns的， 12 = 120ns的
工作温度：
I =工业级， E =扩展，空白=商业
封装类型： G = SOP ， P = DIP ，
L-低功率或低低功耗，空白，大功率
模具版本： B = 3代
密度： 64 = 64K位
Blank=5V
组织： 2 = X8
美国证券交易委员会的标准SRAM
2
电子
修订版。 0.0
Auust 。 1996年
KM6264B家庭
绝对最大额定值*
项
任何引脚相对于VSS的电压
在VCC电源相对于Vss电压
功耗
储存温度
工作温度
符号
VIN，VOUT
VCC
Pd
TSTG
Ta
评级
-0.5 VCC + 0.5
-0.5 7.0
1.0
-65到150
0到70
-25到85
-40到85
焊接温度和时间
Tsolder
260 ° C， 10秒（仅限铅）
单位
V
V
W
°C
°C
°C
°C
-
CMOS SRAM
备注
-
-
-
-
KM6264BL/L-L
KM6264BLE/LE-L
KM6264BLI/LI-L
-
*应力大于“绝对最大额定值” ，即可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力
只有与设备，在这些或以上的任何其他条件在此操作章节中所示的功能操作评级
规范是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下工作会影响可靠性。
建议的直流工作条件*
项
电源电压
地
输入高电压
输入低电压
符号
VCC
VSS
VIH
VIL
民
4.5
0
2.2
-0.5***
典型**
5.0
0
-
-
最大
5.5
0
Vcc+0.5
0.8
单位
V
V
V
V
* 1 ）商业产品：钽= 0至70℃ ，除非另有说明
2 ）扩展产品：钽= -25到85° C，除非另有说明
3 ）工业产品： TA = -40至85°C ，除非另有说明
** TA = 25℃
*** VIL（分钟） = - 3.0V的
为0ns脉冲
5
电容*
（ F = 1MHz时， TA = 25 ° C）
项
输入电容
输入/输出电容
符号
CIN
CIO
测试条件
Vin=0V
Vio=0V
民
-
-
最大
6
8
单位
pF
pF
*电容采样不是100 ％测试
3
电子
修订版。 0.0
Auust 。 1996年
KM6264B家庭
DC和工作特性
项
输入漏电流
输出漏电流
工作电源电流
平均工作电流
符号
ILI
国际劳工组织
ICC
Icc1
测试条件*
VIN = VSS到Vcc
/ CS1 = VIH或CS2 = VIL或/ WE =德维尔
VI / O = VSS到Vcc
/ CS1 = VIL ， CS2 = VIH
VIN = VIL或VIH， II / O = 0毫安
循环时间= 1微秒， 100 ％的占空
/CS1
.2V ， CS2
cc-0.2V
0
V
Icc2
输出低电压
输出高电压
待机电流（ TTL ）
待机
当前
（ CMOS）的
KM6264BL
KM6264BL-L
KM6264BLE
KM6264BLE-L
KM6264BLI
KM6264BLI-L
* 1 ）商业产品：钽= 0至70℃ ， Vcc的= 5V ±10％，除非另有规定
2 ）扩展产品：钽= -25到85°C ， VCC = 5V +/- 10 ％ ，除非另有说明
3）工业产品：钽= -40至85℃ ， Vcc的= 5V ±10％，除非另有规定
** TA = 25℃
CMOS SRAM
民
-1
-1
-
-
典型**
-
-
7
-
最大
1
1
15
10
单位
uA
uA
mA
mA
分周期内， 100 ％的占空
/ CS1 = VIL时， CS2 = VIH ， II / O = 0毫安
Iol=2.1mA
IOH = -1.0mA
/ CS1 = VIH或CS2 =德维尔
/CS1
cc-0.2V
V
CS2
CC- 0.2V或
V
CS2
.2V
0
其他0 Vcc的
L
LL
L
LL
L
LL
-
-
2.4
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
2
1
-
-
-
-
55
0.4
-
1
100
10
100
50
100
50
mA
V
V
mA
uA
uA
uA
uA
uA
uA
VOL
VOH
ISB
Isb1
A.C特性
测试条件
(
1.测试负载和测试输入/输出参考）
*
项
输入脉冲电平
输入上升下降时间
价值
0.8 2.4V
5ns
备注
-
-
-
-
*包括范围和夹具电容
*请参阅DC和AC工作特性测试条件
C
L
*
输入和输出参考电压1.5V
输出负载（见右）
C
L
=100pF+1TTL
4
电子
修订版。 0.0
Auust 。 1996年
QQ：2881677436 复制
