KM416C1000C ， KM416C1200C
KM416V1000C ， KM416V1200C
CMOS DRAM
1米x 16Bit的CMOS动态RAM具有快速页面模式
描述
这是一个家庭的1,048,576 ×16位的快速页面模式的CMOS DRAM的。快速页模式提供了内存高速随机存取
同一行内的细胞。电源电压（ + 5.0V或+ 3.3V ） ，刷新周期（ 1K参考或4K参考） ，访问时间（ -5或-6 ） ，功率变
消费（正常或低功率）和封装类型（ SOJ或TSOP -II ）是这个家族的可选功能。所有这些家庭都有CAS-
前-RAS刷新， RAS只刷新和隐藏刷新功能。此外，自刷新操作是在L型版本。这
1Mx16快速页模式DRAM系列采用了三星先进的CMOS工艺实现高带宽宽制造，低功耗
耗和高可靠性。它也可以用作用于微型计算机图形存储器单元，个人计算机和便携式计算机。
特点
零件识别
- KM416C1000C / C -L （ 5V ， 4K REF）
- KM416C1200C / C -L （ 5V ， 1K参考）
- KM416V1000C / C -L （ 3.3V ， 4K REF）
- KM416V1200C / C -L （ 3.3V ， 1K参考）
有源功率耗散
单位：毫瓦
速度
4K
-5
-6
324
288
3.3V
1K
504
468
4K
495
440
5V
1K
770
715
快速页模式操作
2 CAS字节/字的读/写操作
CAS先于RAS的刷新功能
RAS-只和隐藏刷新功能
自刷新功能（L -版本只）
TTL （ 5V ） / LVTTL （ 3.3V ）兼容的输入和输出
早期写或输出使能控制的写
?? JEDEC标准引脚
提供42引脚400mil SOJ ，50 （ 44 ） -pin TSOP （ II ）
400mil封装
单+ 5V ± 10 ％电源（ 5V产品）
单+ 3.3V ± 0.3V电源（ 3.3V产品）
刷新周期
部分
号
C1000C
V1000C
C1200C
V1200C
V
CC
5V
3.3V
5V
3.3V
1K
16ms
刷新
周期
4K
刷新周期
正常
64ms
128ms
L-版本
RAS
UCAS
LCAS
W
功能框图
控制
钟
VCC
VSS
低
DATA IN
卜FF器
读出放大器& I / O
低
数据输出
卜FF器
上
DATA IN
卜FF器
上
数据输出
卜FF器
VBB发生器
刷新计时器
刷新控制
刷新计数器
行解码器
DQ0
to
DQ7
性能比较范围
速度
-5
-6
存储阵列
1,048,576 x16
细胞
OE
t
RAC
50ns
60ns
t
CAC
15ns
15ns
t
RC
90ns
110ns
t
PC
35ns
40ns
备注
5V/3.3V
5V/3.3V
A0-A11
(A0 - A9)
*1
A0 - A7
(A0 - A9)
*1
行地址缓冲器
上校地址缓冲器
列解码器
DQ8
to
DQ15
注）
*1
： 1K刷新
三星电子有限公司
保留的权利
改变产品规格，恕不另行通知。
KM416C1000C ， KM416C1200C
KM416V1000C ， KM416V1200C
CMOS DRAM
引脚配置
（俯视图）
KM416C/V10(2)00CJ
KM416C/V10(2)00CT
V
CC
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
V
CC
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
N.C
N.C
W
RAS
*A11(N.C)
*A10(N.C)
A0
A1
A2
A3
V
CC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
V
SS
DQ15
DQ14
DQ13
DQ12
V
SS
DQ11
DQ10
DQ9
DQ8
N.C
LCAS
UCAS
OE
A9
A8
A7
A6
A5
A4
V
SS
V
CC
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
V
CC
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
N.C
N.C
N.C
W
RAS
*A11(N.C)
*A10(N.C)
A0
A1
A2
A3
V
CC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
V
SS
DQ15
DQ14
DQ13
DQ12
V
SS
DQ11
DQ10
DQ9
DQ8
N.C
N.C
LCAS
UCAS
OE
A9
A8
A7
A6
A5
A4
V
SS
* A10和A11是NC的KM416C / V1200C （ 5V / 3.3V ， 1K参考品）
记者： 400mil 42 SOJ
T： 400mil 50 （ 44 ） TSOP II
引脚名称
A0 - A11
A0 - A9
DQ0 - 15
V
SS
RAS
UCAS
LCAS
W
OE
V
CC
N.C
引脚功能
地址输入（ 4K产品）
地址输入（ 1K产品）
IN / OUT数据
地
行地址选通
上部列地址选通
下列地址选通
读/写输入
数据输出使能
Power(+5V)
Power(+3.3V)
无连接
KM416C1000C ， KM416C1200C
KM416V1000C ， KM416V1200C
绝对最大额定值
参数
任何引脚相对于V电压
SS
在V电压
CC
供应相对于V
SS
储存温度
功耗
短路输出电流
符号
3.3V
V
IN，
V
OUT
V
CC
TSTG
P
D
I
OS
-0.5到+4.6
-0.5到+4.6
-55到+150
1
50
等级
CMOS DRAM
单位
5V
-1.0到+7.0
-1.0到+7.0
-55到+150
1
50
V
V
°C
W
mA
如果"ABSOLUTE最大RATINGS"超出可能出现*永久性设备损坏。功能操作应限制
在条件详见本数据表的业务部门。暴露在绝对最大额定值条件下，
长时间可能会影响器件的可靠性。
推荐工作条件
（参考电压到Vss ，T
A
= 0 70℃ ）
参数
电源电压
地
输入高电压
输入低电压
符号
民
V
CC
V
SS
V
IH
V
IL
3.0
0
2.0
-0.3
*2
3.3V
典型值
3.3
0
-
-
最大
3.6
0
V
CC
+0.3
*1
0.8
民
4.5
0
2.4
-1.0
*2
5V
典型值
5.0
0
-
-
最大
5.5
0
V
CC
+1.0
*1
0.8
V
V
V
V
单位
*1 : V
CC
+ 1.3V /为15ns （ 3.3V ） ，V
CC
+ 2.0V /为20ns （ 5V ） ，脉冲宽度测量V
CC
* 2 ： -1.3V /为15ns （ 3.3V ） ， -2.0V /为20ns （ 5V ） ，脉冲宽度测量V
SS
DC和工作特性
（推荐工作条件，除非另有说明。 ）
最大
参数
输入漏电流（任何输入0≤V
IN
≤V
IN
+0.3V,
其他所有输入引脚不能被测= 0伏）
3.3V
输出漏电流
（数据输出被禁用， 0V≤V
OUT
≤V
CC
)
输出高电压电平（I
OH
=-2mA)
输出低电压电平（I
OL
=2mA)
输入漏电流（任何输入0≤V
IN
≤V
IN
+0.5V,
其他所有输入引脚不能被测= 0伏）
5V
输出漏电流
（数据输出被禁用， 0V≤V
OUT
≤V
CC
)
输出高电压电平（I
OH
=-5mA)
输出低电压电平（I
OL
=4.2mA)
符号
I
I（L）
I
O（ L）
V
OH
V
OL
I
I（L）
I
O（ L）
V
OH
V
OL
民
-5
-5
2.4
-
-5
-5
2.4
-
最大
5
5
-
0.4
5
5
-
0.4
单位
uA
uA
V
V
uA
uA
V
V
KM416C1000C ， KM416C1200C
KM416V1000C ， KM416V1200C
DC和工作特性
（续）
最大
符号
动力
速度
KM416V1000C
I
CC1
I
CC2
I
CC3
I
CC4
I
CC5
I
CC6
I
CC7
I
CCS
不在乎
正常
L
不在乎
不在乎
正常
L
不在乎
L
L
-5
-6
不在乎
-5
-6
-5
-6
不在乎
-5
-6
不在乎
不在乎
90
80
1
1
90
80
90
80
0.5
200
90
80
300
150
KM416V1200C
140
130
1
1
140
130
90
80
0.5
200
140
130
200
150
KM416C1000C
90
80
2
1
90
80
90
80
1
200
90
80
350
200
CMOS DRAM
单位
KM416C1200C
140
130
2
1
140
130
90
80
1
200
140
130
250
200
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
uA
mA
mA
uA
uA
I
CC1
*：工作电流（ RAS和UCAS ， LCAS自行车@t
RC
=分钟）
I
CC2
：待机电流（ RAS = = UCAS LCAS = W = V
IH
)
I
CC3
*： RAS只刷新电流（ UCAS LCAS = = V
IH
， RAS骑自行车@t
RC
=分钟）
I
CC4
*：快速页模式电流（ RAS = V
IL
， UCAS或LCAS ，地址单车@t
PC
=分钟）
I
CC5
：待机电流（ RAS = = UCAS LCAS = W = V
CC
-0.2V)
I
CC6
*： CAS先于RAS的刷新电流（ RAS ， UCAS或LCAS骑自行车@t
RC
=分钟）
I
CC7
：电池后备电流，平均电源电流，电池备份模式
输入高电压（V
IH
)=V
CC
-0.2V ，低输入电压（V
IL
） = 0.2V ， UCAS ， LCAS = 0.2V ，
DQ =不关心，T
RC
= 31.25us （ 4K / L型版本） ， 125us （1K / L型版本） ，
T
RAS
=T
RAS
min~300ns
I
CCS
：自刷新电流
RAS = UCAS LCAS = = V
IL
， W = OE = A0 A11 = V
CC
-0.2V和0.2V ，
DQ0 DQ15 = V
CC
-0.2V ， 0.2V或打开
*注意：
I
CC1
, I
CC3
, I
CC4
我
CC6
依赖于输出负载和循环率。指定的值与输出开路获得。
I
CC
被指定为一个平均电流。在我
CC1
, I
CC3
我
CC6,
地址可以被改变最多一次，而RAS = V
IL
。在我
CC4
,
地址可一旦人们快页模式周期时间内变化最大，T
PC
.
KM416C1000C ， KM416C1200C
KM416V1000C ， KM416V1200C
电容
(T
A
= 25 ° C，V
CC
= 5V或3.3V ， F = 1MHz的）
参数
输入电容[ A0 A11 ]
输入电容[ RAS ， UCAS ， LCAS ，W ， OE ]
输出电容[ DQ0 - DQ15 ]
符号
C
IN1
C
IN2
C
DQ
民
-
-
-
CMOS DRAM
最大
5
7
7
单位
pF
pF
pF
AC特性
(0°C≤T
A
≤70°C,
见注1,2 ）
测试条件（ 5V器件） ： V
CC
= 5.0V ± 10 ％ ， VIH /德维尔= 2.4 / 0.8V ，的Voh /卷= 2.4 / 0.4V
测试条件（ 3.3V器件） ： V
CC
= 3.3V ± 0.3V ， VIH /德维尔= 2.2 / 0.7V ，的Voh /卷= 2.0 / 0.8V
参数
随机读或写周期时间
读 - 修改 - 写周期时间
从RAS访问时间
从CAS访问时间
从列地址访问时间
CAS到输出中低Z
输出缓冲关断延迟
转换时间（上升和下降）
RAS预充电时间
RAS脉冲宽度
RAS保持时间
CAS保持时间
CAS脉冲宽度
RAS到CAS的延迟时间
RAS到列地址的延迟时间
CAS到RAS预充电时间
行地址建立时间
行地址保持时间
列地址建立时间
列地址保持时间
列地址到RAS交货时间
读命令设置时间
阅读参考CAS命令保持时间
阅读参考RAS命令保持时间
写命令保持时间
WRITE命令的脉冲宽度
写命令到RAS交货期
写命令到CAS交货期
符号
民
-5
最大
民
110
155
50
15
25
0
0
3
30
50
13
50
13
20
15
5
0
10
0
10
25
0
0
0
10
10
13
13
10K
37
25
10K
13
50
0
0
3
40
60
15
60
15
20
15
5
0
10
0
10
30
0
0
0
10
10
15
15
10K
45
30
10K
15
50
60
15
30
-6
最大
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
8
8
11
11
4
10
3,4,10
3,4,5
3,10
3
6
2
单位
笔记
t
RC
t
RWC
t
RAC
t
CAC
t
AA
t
CLZ
t
关闭
t
T
t
RP
t
RAS
t
RSH
t
CSH
t
CAS
t
RCD
t
拉德
t
CRP
t
ASR
t
RAH
t
ASC
t
CAH
t
拉尔
t
RCS
t
RCH
t
RRH
t
WCH
t
WP
t
RWL
t
CWL
90
133
QQ：2881677436 复制
