KM44C4005C ， KM44C4105C
CMOS DRAM
4M X 4Bit的CMOS四路CAS DRAM与扩充数据输出
描述
这是一个家庭的4,194,304 ×4位四路CAS与扩充数据输出模式CMOS DRAM的。扩展数据输出模式提供了高
速存储单元的同一行内的随机接入，所以被称为超页模式。刷新周期（ 2K参考或4K参考） ，访问
时间（ -5或-6 ） ，功耗（正常或低功率）和封装类型（ SOJ或TSOP -II ）是这个家族的可选功能。所有
这个家庭有CAS先于RAS的刷新， RAS只刷新和隐藏刷新功能。此外，自刷新操作是可用
能够在L型版本。四个独立的CAS引脚提供单独的I / O操作，使该设备在校验模式下操作。
这4Mx4扩展数据输出四路CAS DRAM系列采用了三星先进的CMOS工艺实现高频带 - 制造
宽，低功耗和高可靠性。
特点
部分鉴定
- KM44C4005C / C -L （ 5V ， 4K REF）
- KM44C4105C / C -L （ 5V ， 2K参考）
扩展数据输出模式操作
（带扩展数据输出快速页面模式）
四个独立的CAS引脚提供单独的I / O操作
CAS先于RAS的刷新功能
RAS-只和隐藏刷新功能
自刷新功能（L -版本只）
快速并行测试模式功能
单位：毫瓦
TTL兼容的输入和输出
早期写或输出使能控制的写
2K
605
550
?? JEDEC标准引脚
提供塑料SOJ和TSOP （ II ）包
单+ 5V ± 10 ％电源
有源功率耗散
刷新周期
4K
-5
-6
495
440
速度
功能框图
刷新周期
部分
号
C4005C
C4105C
刷新
周期
4K
2K
刷新周期
正常
64ms
32ms
L-版本
128ms
刷新计时器
刷新控制
行解码器
读出放大器& I / O
RAS
CAS0 - 3
W
控制
钟
VCC
VSS
VBB发生器
DATA IN
卜FF器
性能范围
速度
-5
-6
刷新计数器
存储阵列
4,194,304 x 4
细胞
DQ0
to
DQ3
t
RAC
50ns
60ns
t
CAC
13ns
15ns
t
RC
84ns
104ns
t
HPC
20ns
25ns
A0-A11
(A0 - A10)
*1
A0 - A9
(A0 - A10)
*1
行地址缓冲器
上校地址缓冲器
列解码器
数据输出
卜FF器
OE
注）
*1
： 2K刷新
三星电子有限公司
保留的权利
改变产品规格，恕不另行通知。
KM44C4005C ， KM44C4105C
CMOS DRAM
引脚配置
（俯视图）
KM44C40(1)05CK
KM44C40(1)05CS
V
CC
DQ0
DQ1
W
RAS
*A11(N.C)
CAS0
CAS1
A10
A0
A1
A2
A3
V
CC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
V
SS
DQ3
DQ2
CAS3
OE
A9
CAS2
N.C
A8
A7
A6
A5
A4
V
SS
V
CC
DQ0
DQ1
W
RAS
*A11(N.C)
CAS0
CAS1
A10
A0
A1
A2
A3
V
CC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
V
SS
DQ3
DQ2
CAS3
OE
A9
CAS2
N.C
A8
A7
A6
A5
A4
V
SS
* A11是N.C的KM44C4105C （ 5V ， 2K参考品）
K： 300MIL 28 SOJ
S： 300MIL 28 TSOP II
引脚名称
A0 - A11
A0 - A10
DQ0 - 3
V
SS
RAS
CAS0~CAS3
W
OE
V
CC
N.C
引脚功能
地址输入（ 4K产品）
地址输入（ 2K产品）
IN / OUT数据
地
行地址选通
列地址选通
读/写输入
数据输出使能
Power(+5.0V)
无连接
KM44C4005C ， KM44C4105C
绝对最大额定值
参数
任何引脚相对于V电压
SS
在V电压
CC
供应相对于V
SS
储存温度
功耗
短路输出电流
符号
V
IN，
V
OUT
V
CC
TSTG
P
D
I
OS
等级
-1.0到+7.0
-1.0到+7.0
-55到+150
1
50
CMOS DRAM
单位
V
V
°C
W
mA
如果"ABSOLUTE最大RATINGS"超出可能出现*永久性设备损坏。功能操作应限制
在条件详见本数据表的业务部门。暴露在绝对最大额定值条件下，
长时间可能会影响器件的可靠性。
推荐工作条件
（参考电压到Vss ，T
A
= 0 70℃ ）
参数
电源电压
地
输入高电压
输入低电压
符号
V
CC
V
SS
V
IH
V
IL
民
4.5
0
2.4
-1.0
*2
典型值
5.0
0
-
-
最大
5.5
0
V
CC
+1.0
*1
0.8
单位
V
V
V
V
*1 : V
CC
+ 2.0V /为20ns ，脉冲宽度测量V
CC
* 2 ： -2.0 / 20ns的，脉冲宽度测量V
SS
DC和工作特性
（推荐工作条件，除非另有说明。 ）
参数
输入漏电流（任何输入0≤V
IN
≤V
IN
+0.5V,
其他所有输入引脚不能被测= 0伏）
输出漏电流
（数据输出被禁用， 0V≤V
OUT
≤V
CC
)
输出高电压电平（I
OH
=-5mA)
输出低电压电平（I
OL
=4.2mA)
符号
I
I（L）
I
O（ L）
V
OH
V
OL
民
-5
-5
2.4
-
最大
5
5
-
0.4
单位
uA
uA
V
V
KM44C4005C ， KM44C4105C
DC和工作特性
（续）
符号
动力
速度
-5
-6
不在乎
-5
-6
-5
-6
不在乎
-5
-6
不在乎
不在乎
最大
KM44C4005C
90
80
2
1
90
80
80
70
1
250
90
80
300
250
KM44C4105C
110
100
2
1
110
100
90
80
1
250
110
100
300
250
CMOS DRAM
单位
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
uA
mA
mA
mA
uA
uA
I
CC1
不在乎
正常
L
不在乎
I
CC2
I
CC3
I
CC4
不在乎
正常
L
不在乎
L
L
I
CC5
I
CC6
I
CC7
I
CCS
I
CC1
*：工作电流（ RAS和CAS骑自行车@t
RC
=分钟）
I
CC2
：待机电流（ RAS = CAS = W = V
IH
)
I
CC3
*： RAS只刷新电流（ CAS = V
IH
， RAS骑自行车@t
RC
=分钟）
I
CC4
* ：超页模式电流（ RAS = V
IL
中国科学院，地址单车@t
HPC
=分钟）
I
CC5
：待机电流（ RAS = CAS = W = V
CC
-0.2V)
I
CC6
*： CAS先于RAS的刷新电流（ RAS和CAS骑自行车@t
RC
=分钟）
I
CC7
：电池后备电流，平均电源电流，电池备份模式
输入高电压（V
IH
)=V
CC
-0.2V ，低输入电压（V
IL
） = 0.2V ， CAS = 0.2V ，
DQ =不关心，T
RC
= 31.25us （ 4K / L -VER ） ， 62.5us （ 2K / L -VER ） ，T
RAS
=T
RAS
min~300ns
I
CCS
：自刷新电流
RAS CAS = = 0.2V ， W = OE = A0 A11 = V
CC
-0.2V和0.2V ，
DQ0 DQ3 = V
CC
-0.2V ， 0.2V或打开
*注意：
I
CC1
, I
CC3
, I
CC4
我
CC6
依赖于输出负载和循环率。指定的值与输出开路获得。
I
CC
被指定为一个平均电流。在我
CC1
, I
CC3
我
CC6
地址可以被改变最多一次，而RAS = V
IL
。在我
CC4
,
地址可以一次一台Hyper页面模式的周期时间内变化最大，T
HPC
.
KM44C4005C ， KM44C4105C
电容
(T
A
= 25 ° C，V
CC
= 5V ， F = 1MHz的）
参数
输入电容[ A0 A11 ]
输入电容[ RAS ， CASx ，W ， OE ]
输出电容[ DQ0 - DQ3 ]
符号
C
IN1
C
IN2
C
DQ
民
-
-
-
CMOS DRAM
最大
5
7
7
单位
pF
pF
pF
AC特性
(0°C≤T
A
≤70°C,
见注1,2 ）
测试条件： V
CC
= 5.0V ± 10 ％ ， VIH /德维尔= 2.4 / 0.8V ，的Voh /卷= 2.0 / 0.8V
参数
随机读或写周期时间
读 - 修改 - 写周期时间
从RAS访问时间
从CAS访问时间
从列地址访问时间
CAS到输出中低Z
中国科学院输出缓冲关断延迟
OE为输出低Z
转换时间（上升和下降）
RAS预充电时间
RAS脉冲宽度
RAS保持时间
CAS保持时间
CAS脉冲宽度
RAS到CAS的延迟时间
RAS到列地址的延迟时间
CAS到RAS预充电时间
行地址建立时间
行地址保持时间
列地址建立时间
列地址保持时间
列地址到RAS交货时间
读命令设置时间
阅读参考CAS命令保持时间
阅读参考RAS命令保持时间
写命令保持时间
WRITE命令的脉冲宽度
写命令到RAS交货期
写命令到CAS交货期
符号
民
-5
最大
民
104
140
50
13
25
3
3
3
2
30
50
13
38
8
20
15
5
0
10
0
8
25
0
0
0
10
10
13
8
10K
37
25
10K
50
13
3
3
3
2
40
60
15
45
10
20
15
5
0
10
0
10
30
0
0
0
10
10
15
10
10K
45
30
10K
50
15
60
15
30
-6
最大
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
19
8,17
8
16
18
18
16
19
25
4,18
10
17
3,4,10
3,4,5,20
3,10
3,20
6,13
3
2
单位
笔记
t
RC
t
RWC
t
RAC
t
CAC
t
AA
t
CLZ
t
CEZ
t
OLZ
t
T
t
RP
t
RAS
t
RSH
t
CSH
t
CAS
t
RCD
t
拉德
t
CRP
t
ASR
t
RAH
t
ASC
t
CAH
t
拉尔
t
RCS
t
RCH
t
RRH
t
WCH
t
WP
t
RWL
t
CWL
84
106
QQ：2881677436 复制
