www.fairchildsemi.com
KA2S0965/KA2S09655
飞兆功率开关（ SPS ）
特点
广operatimg频率范围高达（ 150kHz的）
逐脉冲过电流限制
过载保护
过电压protecton （最小23V ）
内部热关断功能
欠压锁定
内部高压感FET
外部同步终端
闩锁模式
描述
在SPS系列产品是专为离线
SMPS以最少的外部元件。在SPS由
的高电压功率值SenseFET和电流模式PWM
控制器IC 。控制IC提供修剪振荡器，下
欠压锁定，前沿消隐，优化的门开启
开/关断驱动器，热关断保护，过电压
年龄保护，温度补偿精密电流
来源回路补偿和故障保护电路。
相比分立式MOSFET和控制器或RCC
开关转换器解决方案，一个SPS可以降低总康波
新界东北计数，设计尺寸，重量和同时增加
&efficiency ，生产率和系统的可靠性。它有一个
基础平台非常适合高性价比的显示器电源
供应量。
TO-3P-5L
1
1.漏2. GND 3. 4. Vcc的FB 5.同步
内部框图
#3 V
CC
32V
5V
VREF
5V
+
6.4V
＃ 4 FB
2A
1毫安2.5R
1R
9V
+
7.5V
+
25V
热S / D
过电压S / D
+
0.1V
S
R
Q
＃ 2 GND
OSC
S
R
L.E.B
Q
良好
逻辑
国内
BIAS
＃ 1 DRAIN
SFET
＃ 5同步
上电复位
修订版.5.0
2000仙童半导体国际
KA2S0965/KA2S09655
绝对最大额定值
特征
漏源极（ GND ）的电压
(1)
漏，栅极电压（R
GS
=1M)
门源（ GND ）电压
漏电流脉冲
(2)
单脉冲雪崩能量
(3)
连续漏电流（T
C
=25°C)
连续漏电流（T
C
=100°C)
电源电压
模拟输入电压范围
总功耗
工作温度
储存温度
符号
V
DSS
V
DGR
V
GS
I
DM
E
AS
I
D
I
D
V
CC
V
FB
P
D
降额
T
OPR
T
英镑
价值
650
650
±30
36.0
950
9.0
5.8
30
0.3
到V
SD
170
1.33
25
+85
55
+150
单位
V
V
V
A
DC
mJ
A
DC
A
DC
V
V
W
W / ℃，
°C
°C
注意事项：
1.Tj = 25 ℃至150 ℃的
2.Repetitive评级：脉冲宽度有限的最高结温
3.L = 20mH ，V
DD
= 50V ，R
G
= 27Ω ，开始TJ = 25
°C
2
KA2S0965/KA2S09655
电气特性（ SFET部分）
（ TA = 25℃
除非另有规定编）
特征
漏源击穿电压
符号
BVDSS
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
=50A
V
DS
=最大，等级，
V
GS
=0V
V
DS
= 0.8Max 。 ，评级，
V
GS
= 0V ，T
C
=125°C
V
GS
= 10V ，我
D
=4.5A
V
DS
= 50V ，我
D
=4.5A
V
GS
=0V, V
DS
=25V,
f=1MHz
V
DD
=0.5BV
DSS
, I
D
=9.0A
（ MOSFET开关
时间的本质
独立
工作温度）
V
GS
= 10V ，我
D
=9.0A,
V
DS
=0.5BV
DSS
（ MOSFET
开关时间
基本上是独立的
工作温度）
分钟。
650
5.0
典型值。
0.96
1750
190
78
20
23
85
30
74
12
35.4
马克斯。
50
200
1.2
50
55
180
70
95
nC
nS
pF
单位
V
A
A
S
零栅极电压漏极电流
IDSS
静态漏源导通电阻
（注）
正向跨导
（注）
输入电容
输出电容
反向传输电容
打开延迟时间
上升时间
关闭延迟时间
下降时间
总栅极电荷
（栅极 - 源+栅极 - 漏极）
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极（米勒）电荷
RDS （ ON）
政府飞行服务队
西塞
科斯
CRSS
TD （上）
tr
TD （关闭）
tf
Qg
QGS
QGD
注意：
脉冲测试：脉冲宽度< 300μS ，占空比< 2 ％
1
S
= ---
-
R
3
KA2S0965/KA2S09655
电气特性DSMC （控制部分）
（ TA = 25 ° C除非另有说明）
特征
参考科
输出电压
(1)
温度稳定性
(1)(2)
振荡器部分
初始精度
频率随温度变化
(2)
同步阈值电压
(3)
PWM节
最大占空比
反馈部分
反馈源电流
关机延迟电流
I
FB
I
延迟
TA = 25 ℃， VFB = GND
TA = 25℃ ， 5V≤Vfb≤V
SD
0.8
1.4
1
1.8
1.2
2.2
mA
A
DMAX
92
95
98
%
F
OSC
ΔF /ΔT
V
塞斯
Ta=25°C
25°C≤Ta≤+85°C
Vfb=5V
18
6.0
20
±5
6.4
22
±10
6.8
千赫
%
V
VREF
VREF / ΔT
Ta=25°C
25°C≤Ta≤+85°C
4.80
5.00
0.3
5.20
0.6
V
毫伏/°C的
符号
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
过电流保护部分
过电流保护
UVLO节
启动阈值电压
最低工作电压
总待机电流节
启动电流
工作电源电流
（控制部分只）
V
CC
齐纳电压
关机节
关机反馈电压
热关断温（Tj ）
(1)
软启动第
软启动电流
软启动电压
I
SS
V
SS
同步& S / S = GND
V
FB
=2V
0.8
4.7
5.0
5.3
mA
V
V
SD
T
SD
6.9
140
7.5
160
8.1
V
°C
I
ST
I
OPR
V
Z
V
CC
=14V
Ta=25°C
I
CC
=20mA
0.1
6
30
0.3
12
32.5
0.55
18
35
mA
mA
V
V
第（H）的
V
第（L）的
打开后
14
9
15
10
16
11
V
V
I
L
（最大）
KA2S0965
KA2S09655
5.28
4.40
6.00
5.00
6.72
5.60
A
注意：
1.这些参数，虽然保证的，是不是100％在生产测试
2.这些参数，虽然保证，在EDS测试（水试验）过程
在同步3.幅度。脉冲被推荐为2V至3V之间进行稳定的同步。功能。
4
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KA2S0965/KA2S09655
飞兆功率开关（ SPS ）
特点
广operatimg频率范围高达（ 150kHz的）
逐脉冲过电流限制
过载保护
过电压protecton （最小23V ）
内部热关断功能
欠压锁定
内部高压感FET
外部同步终端
闩锁模式
描述
在SPS系列产品是专为离线
SMPS以最少的外部元件。在SPS由
的高电压功率值SenseFET和电流模式PWM
控制器IC 。控制IC提供修剪振荡器，下
欠压锁定，前沿消隐，优化的门开启
开/关断驱动器，热关断保护，过电压
年龄保护，温度补偿精密电流
来源回路补偿和故障保护电路。
相比分立式MOSFET和控制器或RCC
开关转换器解决方案，一个SPS可以降低总康波
新界东北计数，设计尺寸，重量和同时增加
&efficiency ，生产率和系统的可靠性。它有一个
基础平台非常适合高性价比的显示器电源
供应量。
TO-3P-5L
1
1.漏2. GND 3. 4. Vcc的FB 5.同步
内部框图
#3 V
CC
32V
5V
VREF
5V
+
6.4V
＃ 4 FB
2A
1毫安2.5R
1R
9V
+
7.5V
+
25V
热S / D
过电压S / D
+
0.1V
S
R
Q
＃ 2 GND
OSC
S
R
L.E.B
Q
良好
逻辑
国内
BIAS
＃ 1 DRAIN
SFET
＃ 5同步
上电复位
Rev.1.0.1
2001仙童半导体公司
KA2S0965/KA2S09655
绝对最大额定值
特征
最大漏极电压
(1)
漏，栅极电压（R
GS
=1M)
门源（ GND ）电压
漏电流脉冲
(2)
单脉冲雪崩能量
(3)
连续漏电流（T
C
=25°C)
连续漏电流（T
C
=100°C)
最大电源电压
输入电压范围
总功耗
工作环境温度
储存温度
符号
V
D， MAX
V
DGR
V
GS
I
DM
E
AS
I
D
I
D
V
CC ，最大
V
FB
P
D
降额
T
A
T
英镑
价值
650
650
±30
36.0
950
9.0
5.8
30
0.3
到V
SD
170
1.33
25
+85
55
+150
单位
V
V
V
A
DC
mJ
A
DC
A
DC
V
V
W
W / ℃，
°C
°C
注意事项：
1.Tj = 25 ℃至150 ℃的
2.Repetitive评级：脉冲宽度有限的最高结温
3.L = 20mH ，V
DD
= 50V ，R
G
= 27Ω ，开始TJ = 25
°C
2
KA2S0965/KA2S09655
电气特性（ SFET部分）
（ TA = 25℃
除非另有规定编）
特征
漏源击穿电压
符号
BV
DSS
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
=50A
V
DS
=最大，等级，
V
GS
=0V
V
DS
= 0.8Max 。 ，评级，
V
GS
= 0V ，T
C
=125°C
V
GS
= 10V ，我
D
=4.5A
V
DS
= 50V ，我
D
=4.5A
V
GS
=0V, V
DS
=25V,
f=1MHz
V
DD
=0.5BV
DSS
, I
D
=9.0A
（ MOSFET开关
时间的本质
独立
工作温度）
V
GS
= 10V ，我
D
=9.0A,
V
DS
=0.5BV
DSS
（ MOSFET
开关时间
基本上是独立的
工作温度）
分钟。
650
-
-
-
5.0
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
-
-
0.96
-
1750
190
78
20
23
85
30
74
12
35.4
马克斯。
-
50
200
1.2
-
-
-
-
50
55
180
70
95
-
-
nC
nS
pF
单位
V
A
mA
W
S
零栅极电压漏极电流
I
DSS
静态漏源导通电阻
（注）
正向跨导
（注）
输入电容
输出电容
反向传输电容
打开延迟时间
上升时间
关闭延迟时间
下降时间
总栅极电荷
（栅极 - 源+栅极 - 漏极）
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极（米勒）电荷
R
DS （ ON）
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
注意：
脉冲测试：脉冲宽度< 300μS ，占空比< 2 ％
1
S
= ---
-
R
3
KA2S0965/KA2S09655
电气特性DSMC （控制部分）
（ TA = 25 ° C除非另有说明）
特征
UVLO节
启动阈值电压
停止阈值电压
振荡器部分
初始精度
频率随温度变化
(2)
最大占空比
反馈部分
反馈源电流
关机反馈电压
关机延迟电流
SYNC 。 &软启动部分
软启动电压
软启动电流
同步阈值电压
(3)
参考科
输出电压
(1)
保护科
热关断温（Tj ）
(1)
峰值电流限制
设备总段
启动电流
工作电源电流
（控制部分只）
V
CC
齐纳电压
符号
V
开始
V
停止
F
OSC
ΔF /ΔT
DMAX
I
FB
V
SD
I
延迟
V
SS
I
SS
V
塞斯
VREF
T
SD
I
过度
测试条件
-
打开后
Ta=25°C
25°C≤Ta≤+85°C
-
TA = 25 ℃， VFB = GND
-
TA = 25℃ ， 5V≤Vfb≤V
SD
V
FB
=2V
同步& S / S = GND
Vfb=5V
Ta=25°C
-
KA2S0965
KA2S09655
V
CC
=14V
Ta=25°C
I
CC
=20mA
分钟。
14
9
18
-
92
0.8
6.9
1.4
4.7
0.8
6.0
4.80
140
5.28
4.40
0.1
6
30
典型值。
15
10
20
±5
95
1
7.5
1.8
5.0
-
6.4
5.00
160
6.00
5.00
0.3
12
32.5
马克斯。
16
11
22
±10
98
1.2
8.1
2.2
5.3
-
6.8
5.20
-
6.72
5.60
0.55
18
35
单位
V
V
千赫
%
%
mA
V
A
V
mA
V
V
°C
A
I
开始
I
OP
V
Z
mA
mA
V
注意：
1.这些参数，虽然保证的，是不是100％在生产测试
2.这些参数，虽然保证，在EDS测试（水试验）过程
在同步3.幅度。脉冲被推荐为2V至3V之间进行稳定的同步。功能。
4
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KA2S0965/KA2S09655
飞兆功率开关（ SPS ）
特点
广operatimg频率范围高达（ 150kHz的）
逐脉冲过电流限制
过载保护
过电压protecton （最小23V ）
内部热关断功能
欠压锁定
内部高压感FET
外部同步终端
闩锁模式
描述
在SPS系列产品是专为离线
SMPS以最少的外部元件。在SPS由
的高电压功率值SenseFET和电流模式PWM
控制器IC 。控制IC提供修剪振荡器，下
欠压锁定，前沿消隐，优化的门开启
开/关断驱动器，热关断保护，过电压
年龄保护，温度补偿精密电流
来源回路补偿和故障保护电路。
相比分立式MOSFET和控制器或RCC
开关转换器解决方案，一个SPS可以降低总康波
新界东北计数，设计尺寸，重量和同时增加
&efficiency ，生产率和系统的可靠性。它有一个
基础平台非常适合高性价比的显示器电源
供应量。
TO-3P-5L
1
1.漏2. GND 3. 4. Vcc的FB 5.同步
内部框图
#3 V
CC
32V
5V
VREF
5V
+
6.4V
＃ 4 FB
2A
1毫安2.5R
1R
9V
+
7.5V
+
25V
热S / D
过电压S / D
+
0.1V
S
R
Q
＃ 2 GND
OSC
S
R
L.E.B
Q
良好
逻辑
国内
BIAS
＃ 1 DRAIN
SFET
＃ 5同步
上电复位
修订版.5.0
2000仙童半导体国际
KA2S0965/KA2S09655
绝对最大额定值
特征
漏源极（ GND ）的电压
(1)
漏，栅极电压（R
GS
=1M)
门源（ GND ）电压
漏电流脉冲
(2)
单脉冲雪崩能量
(3)
连续漏电流（T
C
=25°C)
连续漏电流（T
C
=100°C)
电源电压
模拟输入电压范围
总功耗
工作温度
储存温度
符号
V
DSS
V
DGR
V
GS
I
DM
E
AS
I
D
I
D
V
CC
V
FB
P
D
降额
T
OPR
T
英镑
价值
650
650
±30
36.0
950
9.0
5.8
30
0.3
到V
SD
170
1.33
25
+85
55
+150
单位
V
V
V
A
DC
mJ
A
DC
A
DC
V
V
W
W / ℃，
°C
°C
注意事项：
1.Tj = 25 ℃至150 ℃的
2.Repetitive评级：脉冲宽度有限的最高结温
3.L = 20mH ，V
DD
= 50V ，R
G
= 27Ω ，开始TJ = 25
°C
2
KA2S0965/KA2S09655
电气特性（ SFET部分）
（ TA = 25℃
除非另有规定编）
特征
漏源击穿电压
符号
BVDSS
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
=50A
V
DS
=最大，等级，
V
GS
=0V
V
DS
= 0.8Max 。 ，评级，
V
GS
= 0V ，T
C
=125°C
V
GS
= 10V ，我
D
=4.5A
V
DS
= 50V ，我
D
=4.5A
V
GS
=0V, V
DS
=25V,
f=1MHz
V
DD
=0.5BV
DSS
, I
D
=9.0A
（ MOSFET开关
时间的本质
独立
工作温度）
V
GS
= 10V ，我
D
=9.0A,
V
DS
=0.5BV
DSS
（ MOSFET
开关时间
基本上是独立的
工作温度）
分钟。
650
5.0
典型值。
0.96
1750
190
78
20
23
85
30
74
12
35.4
马克斯。
50
200
1.2
50
55
180
70
95
nC
nS
pF
单位
V
A
A
S
零栅极电压漏极电流
IDSS
静态漏源导通电阻
（注）
正向跨导
（注）
输入电容
输出电容
反向传输电容
打开延迟时间
上升时间
关闭延迟时间
下降时间
总栅极电荷
（栅极 - 源+栅极 - 漏极）
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极（米勒）电荷
RDS （ ON）
政府飞行服务队
西塞
科斯
CRSS
TD （上）
tr
TD （关闭）
tf
Qg
QGS
QGD
注意：
脉冲测试：脉冲宽度< 300μS ，占空比< 2 ％
1
S
= ---
-
R
3
KA2S0965/KA2S09655
电气特性DSMC （控制部分）
（ TA = 25 ° C除非另有说明）
特征
参考科
输出电压
(1)
温度稳定性
(1)(2)
振荡器部分
初始精度
频率随温度变化
(2)
同步阈值电压
(3)
PWM节
最大占空比
反馈部分
反馈源电流
关机延迟电流
I
FB
I
延迟
TA = 25 ℃， VFB = GND
TA = 25℃ ， 5V≤Vfb≤V
SD
0.8
1.4
1
1.8
1.2
2.2
mA
A
DMAX
92
95
98
%
F
OSC
ΔF /ΔT
V
塞斯
Ta=25°C
25°C≤Ta≤+85°C
Vfb=5V
18
6.0
20
±5
6.4
22
±10
6.8
千赫
%
V
VREF
VREF / ΔT
Ta=25°C
25°C≤Ta≤+85°C
4.80
5.00
0.3
5.20
0.6
V
毫伏/°C的
符号
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
过电流保护部分
过电流保护
UVLO节
启动阈值电压
最低工作电压
总待机电流节
启动电流
工作电源电流
（控制部分只）
V
CC
齐纳电压
关机节
关机反馈电压
热关断温（Tj ）
(1)
软启动第
软启动电流
软启动电压
I
SS
V
SS
同步& S / S = GND
V
FB
=2V
0.8
4.7
5.0
5.3
mA
V
V
SD
T
SD
6.9
140
7.5
160
8.1
V
°C
I
ST
I
OPR
V
Z
V
CC
=14V
Ta=25°C
I
CC
=20mA
0.1
6
30
0.3
12
32.5
0.55
18
35
mA
mA
V
V
第（H）的
V
第（L）的
打开后
14
9
15
10
16
11
V
V
I
L
（最大）
KA2S0965
KA2S09655
5.28
4.40
6.00
5.00
6.72
5.60
A
注意：
1.这些参数，虽然保证的，是不是100％在生产测试
2.这些参数，虽然保证，在EDS测试（水试验）过程
在同步3.幅度。脉冲被推荐为2V至3V之间进行稳定的同步。功能。
4
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KA2S0965/KA2S09655
飞兆功率开关（ SPS ）
特点
广operatimg频率范围高达（ 150kHz的）
逐脉冲过电流限制
过载保护
过电压protecton （最小23V ）
内部热关断功能
欠压锁定
内部高压感FET
外部同步终端
闩锁模式
描述
在SPS系列产品是专为离线
SMPS以最少的外部元件。在SPS由
的高电压功率值SenseFET和电流模式PWM
控制器IC 。控制IC提供修剪振荡器，下
欠压锁定，前沿消隐，优化的门开启
开/关断驱动器，热关断保护，过电压
年龄保护，温度补偿精密电流
来源回路补偿和故障保护电路。
相比分立式MOSFET和控制器或RCC
开关转换器解决方案，一个SPS可以降低总康波
新界东北计数，设计尺寸，重量和同时增加
&efficiency ，生产率和系统的可靠性。它有一个
基础平台非常适合高性价比的显示器电源
供应量。
TO-3P-5L
1
1.漏2. GND 3. 4. Vcc的FB 5.同步
内部框图
#3 V
CC
32V
5V
VREF
5V
+
6.4V
＃ 4 FB
2A
1毫安2.5R
1R
9V
+
7.5V
+
25V
热S / D
过电压S / D
+
0.1V
S
R
Q
＃ 2 GND
OSC
S
R
L.E.B
Q
良好
逻辑
国内
BIAS
＃ 1 DRAIN
SFET
＃ 5同步
上电复位
Rev.1.0.1
2001仙童半导体公司
KA2S0965/KA2S09655
绝对最大额定值
特征
最大漏极电压
(1)
漏，栅极电压（R
GS
=1M)
门源（ GND ）电压
漏电流脉冲
(2)
单脉冲雪崩能量
(3)
连续漏电流（T
C
=25°C)
连续漏电流（T
C
=100°C)
最大电源电压
输入电压范围
总功耗
工作环境温度
储存温度
符号
V
D， MAX
V
DGR
V
GS
I
DM
E
AS
I
D
I
D
V
CC ，最大
V
FB
P
D
降额
T
A
T
英镑
价值
650
650
±30
36.0
950
9.0
5.8
30
0.3
到V
SD
170
1.33
25
+85
55
+150
单位
V
V
V
A
DC
mJ
A
DC
A
DC
V
V
W
W / ℃，
°C
°C
注意事项：
1.Tj = 25 ℃至150 ℃的
2.Repetitive评级：脉冲宽度有限的最高结温
3.L = 20mH ，V
DD
= 50V ，R
G
= 27Ω ，开始TJ = 25
°C
2
KA2S0965/KA2S09655
电气特性（ SFET部分）
（ TA = 25℃
除非另有规定编）
特征
漏源击穿电压
符号
BV
DSS
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
=50A
V
DS
=最大，等级，
V
GS
=0V
V
DS
= 0.8Max 。 ，评级，
V
GS
= 0V ，T
C
=125°C
V
GS
= 10V ，我
D
=4.5A
V
DS
= 50V ，我
D
=4.5A
V
GS
=0V, V
DS
=25V,
f=1MHz
V
DD
=0.5BV
DSS
, I
D
=9.0A
（ MOSFET开关
时间的本质
独立
工作温度）
V
GS
= 10V ，我
D
=9.0A,
V
DS
=0.5BV
DSS
（ MOSFET
开关时间
基本上是独立的
工作温度）
分钟。
650
-
-
-
5.0
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
-
-
0.96
-
1750
190
78
20
23
85
30
74
12
35.4
马克斯。
-
50
200
1.2
-
-
-
-
50
55
180
70
95
-
-
nC
nS
pF
单位
V
A
mA
W
S
零栅极电压漏极电流
I
DSS
静态漏源导通电阻
（注）
正向跨导
（注）
输入电容
输出电容
反向传输电容
打开延迟时间
上升时间
关闭延迟时间
下降时间
总栅极电荷
（栅极 - 源+栅极 - 漏极）
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极（米勒）电荷
R
DS （ ON）
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
注意：
脉冲测试：脉冲宽度< 300μS ，占空比< 2 ％
1
S
= ---
-
R
3
KA2S0965/KA2S09655
电气特性DSMC （控制部分）
（ TA = 25 ° C除非另有说明）
特征
UVLO节
启动阈值电压
停止阈值电压
振荡器部分
初始精度
频率随温度变化
(2)
最大占空比
反馈部分
反馈源电流
关机反馈电压
关机延迟电流
SYNC 。 &软启动部分
软启动电压
软启动电流
同步阈值电压
(3)
参考科
输出电压
(1)
保护科
热关断温（Tj ）
(1)
峰值电流限制
设备总段
启动电流
工作电源电流
（控制部分只）
V
CC
齐纳电压
符号
V
开始
V
停止
F
OSC
ΔF /ΔT
DMAX
I
FB
V
SD
I
延迟
V
SS
I
SS
V
塞斯
VREF
T
SD
I
过度
测试条件
-
打开后
Ta=25°C
25°C≤Ta≤+85°C
-
TA = 25 ℃， VFB = GND
-
TA = 25℃ ， 5V≤Vfb≤V
SD
V
FB
=2V
同步& S / S = GND
Vfb=5V
Ta=25°C
-
KA2S0965
KA2S09655
V
CC
=14V
Ta=25°C
I
CC
=20mA
分钟。
14
9
18
-
92
0.8
6.9
1.4
4.7
0.8
6.0
4.80
140
5.28
4.40
0.1
6
30
典型值。
15
10
20
±5
95
1
7.5
1.8
5.0
-
6.4
5.00
160
6.00
5.00
0.3
12
32.5
马克斯。
16
11
22
±10
98
1.2
8.1
2.2
5.3
-
6.8
5.20
-
6.72
5.60
0.55
18
35
单位
V
V
千赫
%
%
mA
V
A
V
mA
V
V
°C
A
I
开始
I
OP
V
Z
mA
mA
V
注意：
1.这些参数，虽然保证的，是不是100％在生产测试
2.这些参数，虽然保证，在EDS测试（水试验）过程
在同步3.幅度。脉冲被推荐为2V至3V之间进行稳定的同步。功能。
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QQ：2881677436 复制
