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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符K型号页 > 首字符K的型号第247页 > KHB7D5N60F1
半导体
技术参数
概述
KHB7D5N60P1/F1/F2
N沟道MOS场
场效应晶体管
KHB7D0N60P1
A
O
C
F
E
G
B
Q
I
K
M
L
J
D
N
N
H
P
DIM毫米
_
9.9 + 0.2
A
B
C
D
E
F
G
H
I
J
K
L
M
N
O
1
2
3
这个平面条形MOSFET具有更好的特性，如快速
开关时间，低导通电阻，低栅极电荷和优良
雪崩特性。它主要适用于有源功率因数
校正和开关式电源。
特点
V
DSS
= 600V ，我
D
=7.5A
漏极 - 源极导通电阻：
R
DS （ ON）
=1.2
@V
GS
=10V
QG （典型值）= 32.5nC
15.95 MAX
1.3+0.1/-0.05
_
0.8 + 0.1
_
3.6 + 0.2
_
2.8 + 0.1
3.7
0.5+0.1/-0.05
1.5
_
13.08 + 0.3
1.46
_
1.4 + 0.1
_
1.27 + 0.1
_
2.54 + 0.2
_
4.5 + 0.2
_
2.4 + 0.2
_
9.2 + 0.2
最大额定值（TC = 25 ）
等级
特征
符号
KHB7D5N60F1单位
KHB7D5N60P1
KHB7D5N60F2
600
30
7.5
I
D
4.6
I
DP
E
AS
E
AR
dv / dt的
147
P
D
1.18
T
j
T
英镑
150
-55 150
0.38
W/
30
230
14.7
4.5
48
4.6*
30*
mJ
mJ
V / ns的
W
Q
1
2
3
1.门
2.漏
3.源
P
Q
TO-220AB
KHB7D0N60F1
A
F
C
漏源电压
栅源电压
@T
C
=25
漏电流
@T
C
=100
脉冲（注1）
单脉冲雪崩能量
（注2 ）
重复性雪崩能量
（注1 ）
峰值二极管恢复的dv / dt
（注3）
耗电
耗散
Tc=25
减免上述25
V
DSS
V
GSS
V
V
7.5*
A
K
E
O
暗淡
B
MILLIMETERS
L
M
J
R
D
N
N
H
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
O
Q
R
_
10.16
+
0.2
_
15.87
+
0.2
_
2.54
+
0.2
_
0.8
+
0.1
_
3.18
+
0.1
_
3.3
+
0.1
_
12.57
+
0.2
_
0.5
+
0.1
13.0 MAX
_
3.23
+
0.1
1.47 MAX
1.47 MAX
_
2.54
+
0.2
_
6.68
+
0.2
_
4.7
+
0.2
_
2.76
+
0.2
G
1.门
2.漏
3.源
最高结温
存储温度范围
热特性
TO- 220IS （1）
KHB7D0N60F2
A
C
F
热阻，结到外壳
热电阻，外壳到散热器
热阻，
结到环境
R
thJC
R
乡镇卫生院
R
thJA
0.85
0.5
62.5
2.6
-
62.5
/W
S
/W
/W
P
E
G
B
暗淡
MILLIMETERS
*：漏电流受最高结温。
K
L
L
R
D
D
N
N
D
J
引脚连接
M
H
G
1
2
3
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
P
Q
R
S
_
10.0
+
0.3
_
15.0
+
0.3
_
2.70
+
0.3
0.76+0.09/-0.05
_
Φ3.2
+
0.2
_
3.0
+
0.3
_
12.0
+
0.3
0.5+0.1/-0.05
_
13.6
+
0.5
_
3.7
+
0.2
1.2+0.25/-0.1
1.5+0.25/-0.1
_
2.54
+
0.1
_
6.8
+
0.1
_
4.5
+
0.2
_
2.6
+
0.2
0.5 TYP
Q
1.门
2.漏
3.源
S
TO-220IS
2007. 5. 10
版本号： 0
1/7
KHB7D5N60P1/F1/F2
电气特性（ TC = 25
特征
)
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
符号
STATIC
漏源击穿电压
击穿电压温度系数
排水截止电流
栅极阈值电压
栅极漏电流
漏源导通电阻
BV
DSS
BV
DSS
/ T
j
I
DSS
V
th
I
GSS
R
DS （ ON）
I
D
= 250 A，V
GS
=0V
I
D
= 250 A，参考25
V
DS
=600V, V
GS
=0V,
V
DS
=V
GS
, I
D
=250 A
V
GS
= 30V, V
DS
=0V
V
GS
= 10V ，我
D
=3.75A
600
-
-
2.0
-
-
-
0.7
-
-
-
1.0
-
-
10
4.0
100
1.2
V
V/
A
V
nA
动态
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
源极 - 漏极二极管评级
连续源电流
脉冲源电流
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
I
S
V
GS
＆ LT ; V
th
I
SP
V
SD
t
rr
Q
rr
I
S
= 7.5A ，V
GS
=0V
I
S
= 7.5A ，V
GS
=0V,
DIS / DT = 100A / S
-
-
-
-
-
-
359
3.5
30
1.5
-
-
V
ns
C
-
-
7.5
A
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
V
DS
=25V, V
GS
= 0V ， F = 1.0MHz的
V
DD
=300V
R
L
=40
R
G
=25
(Note4,5)
-
-
-
-
-
-
-
1363
121.8
17
220
140
1550
140
21
pF
V
DS
= 480V ，我
D
=7.5A
V
GS
=10V
(Note4,5)
-
-
-
-
-
32.5
5.5
13.2
-
-
43
7.2
14.2
45
130
ns
nC
注1 ） Repetivity的评价：脉冲宽度有限的结温。
注2 ） L = 7.3mH ，我
S
= 7.5A ，V
DD
= 50V ，R
G
= 25 ，起始物为
j
=25 .
注3 ）I
S
7.5A ， di / dt的
200A/
, V
DD
BV
DSS
，起始物为
j
=25
2%.
.
注4 ）脉冲测试：脉冲宽度
300 ，占空比
注5 ）基本上是独立的工作温度。
2007. 5. 10
版本号： 0
2/7
KHB7D5N60P1/F1/F2
Fig1 。我
D
- V
DS
V
GS
TOP ： 15.0 V
10.0 V
8.0 V
1
10
7.0 V
6.0 V
5.5 V
5.0 V
下图： 4.5V
Fig2 。我
D
- V
GS
漏电流I
D
(A)
漏电流I
D
(A)
10
1
-55
C
150
C
10
0
10
0
25
C
10
-1
10
-1
10
0
10
1
10
-1
2
4
6
8
10
漏 - 源极电压V
DS
(V)
栅 - 源电压V
GS
(V)
Fig3 。 BV
DSS
- TJ
归一化的击穿电压BV
DSS
1.2
V
GS
= 0V
I
DS
= 250
图四。
DS （ ON）
- I
D
2.5
ON - 电阻r
DS （ ON）
()
2.0
1.5
V
G
= 10V
1.1
1.0
1.0
0.5
0
V
G
= 20V
0.9
0.8
-100
-50
0
50
100
150
0
5
10
15
20
25
结温Tj （ C）
漏电流I
D
(A)
Fig5 。我
S
- V
SD
3.0
Fig6 。
DS （ ON）
- TJ
V
GS
=10V
I
DS
= 3.75A
反向漏电流I
S
(A)
归一化导通电阻
10
1
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
10
0
150 C
25
C
10
-1
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0.0
-100
-50
0
50
100
150
源 - 漏极电压V
SD
(V)
结温辐射TJ （ C）
2007. 5. 10
版本号： 0
3/7
KHB7D5N60P1/F1/F2
Fig7 。 - V
DS
栅 - 源电压V
GS
(V)
2400
频率= 1MHz的
Fig8 。 Qg- V
GS
12
10
8
6
4
2
0
0
5
10
15
20
25
30
I
D
=7.5A
V
DS
= 120V
V
DS
= 300V
V
DS
= 480V
电容（pF）
2000
1600
1200
800
400
0
10
-1
西塞
科斯
CRSS
10
0
10
1
漏 - 源极电压V
DS
(V)
门 - 电荷Qg （ NC）
Fig9 。安全工作区
10
2
Fig10 。安全工作区
（ KHB7D5N60F1 ， KHB7D5N60F2 ）
10
2
操作在此
区由R限于
DS （ ON）
10
s
(KHB7D5N60P1)
操作在此
区由R限于
DS （ ON）
10s
漏极电流ID （ A）
10
1
100s
1ms
漏极电流ID （ A）
10
1
100s
1ms
10
0
10ms
100ms
DC
10
0
10毫秒
100毫秒
10
-1
TC = 25
C
T
j
= 150
C
单一不重复的脉冲
10
-1
TC = 25
C
T
j
= 150
C
单一不重复的脉冲
DC
10
2
0
10
10
1
10
2
10
3
10
-2 0
10
10
1
10
2
10
3
漏 - 源极电压V
DS
(V)
漏 - 源极电压V
DS
(V)
Fig11 。我
D
- T
j
8
漏电流I
D
(A)
6
4
2
0
25
50
75
100
125
150
结温Tj （
C
)
2007. 5. 10
版本号： 0
4/7
KHB7D5N60P1/F1/F2
Fig12 。瞬态热响应曲线
归一化瞬态热阻
10
0
Duty=0.5
0.2
10
-1
P
DM
0.1
0.05
t
1
t
2
0.02
0.01
单脉冲
- 占空比，D = T
1
/t
2
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
-2
10
-5
10
-4
时间（秒）
Fig13 。瞬态热响应曲线
归一化瞬态热阻
10
0
Duty=0.5
0.2
10
-1
0.1
0.05
P
DM
t
1
t
2
0.02
0.01
- 占空比，D = T
1
/t
2
单脉冲
10
-2
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
时间（秒）
2007. 5. 10
版本号： 0
5/7
半导体
技术参数
概述
KHB7D5N60P1/F1
N沟道MOS场
场效应晶体管
KHB7D5N60P1
这个平面条形MOSFET具有更好的特性，如快速
开关时间，低导通电阻，低栅极电荷和优良
雪崩特性。它主要适用于有源功率因数
校正和开关式电源。
A
O
C
F
E
G
B
Q
I
特点
V
DSS
= 600V ，我
D
=7.5A
漏极 - 源极导通电阻：
R
DS （ ON）
=1.2
@V
GS
=10V
K
M
L
J
D
N
N
P
H
QG （典型值）= 32.5nC
DIM毫米
_
9.9 + 0.2
A
15.95 MAX
B
1.3+0.1/-0.05
C
_
D
0.8 + 0.1
_
E
3.6 + 0.2
_
F
2.8 + 0.1
3.7
G
H
0.5+0.1/-0.05
1.5
I
_
13.08 + 0.3
J
K
1.46
_
1.4 + 0.1
L
_
1.27+ 0.1
M
_ 0.2
2.54 +
N
_
4.5 + 0.2
O
_
2.4 + 0.2
P
_
9.2 + 0.2
Q
最大额定值（TC = 25
特征
漏源电压
栅源电压
@T
C
=25
漏电流
@T
C
=100
脉冲（注1）
单脉冲雪崩能量
（注2 ）
重复性雪崩能量
（注1 ）
峰值二极管恢复的dv / dt
（注3）
耗电
耗散
Tc=25
减免上述25
)
等级
符号
KHB7D5N60P1 KHB7D5N60F1
V
DSS
V
GSS
7.5
I
D
4.6
I
DP
E
AS
E
AR
dv / dt的
147
P
D
1.18
T
j
T
英镑
150
0.38
W/
D
1
2
3
1.门
2.漏
3.源
单位
600
30
7.5*
4.6*
30*
230
14.7
4.5
48
mJ
mJ
V / ns的
W
E
G
P
V
V
TO-220AB
KHB7D5N60F1
A
A
F
O
B
C
30
K
L
J
Q
最高结温
存储温度范围
热特性
热阻，结到外壳
热电阻，外壳到散热器
热阻，
结到环境
M
M
H
-55 150
N
1
2
3
1.门
2.漏
3.源
DIM毫米
_
10.16 + 0.2
A
_
15.87 + 0.2
B
_
C
2.54 + 0.2
_
D
0.8 + 0.1
_ 0.1
E
3.18 +
_
F
3.3 + 0.1
+ 0.2
12.57 _
G
_
0.5 + 0.1
H
J
13.0 MAX
_
K
3.23 + 0.1
L
1.47 MAX
_
2.54 + 0.2
M
_ 0.2
N
4.7 +
_
O
6.68 + 0.2
P
6.5
_
Q
2.76 + 0.2
R
thJC
R
乡镇卫生院
R
thJA
0.85
0.5
62.5
2.6
-
62.5
/W
/W
/W
TO-220IS
*：漏电流受最高结温。
D
G
S
2005. 12. 27
版本号： 0
1/7
KHB7D5N60P1/F1
电气特性（ TC = 25
特征
)
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
符号
STATIC
漏源击穿电压
击穿电压温度系数
排水截止电流
栅极阈值电压
栅极漏电流
漏源导通电阻
BV
DSS
BV
DSS
/ T
j
I
DSS
V
th
I
GSS
R
DS （ ON）
I
D
= 250 A，V
GS
=0V
I
D
= 250 A，参考25
V
DS
=600V, V
GS
=0V,
V
DS
=V
GS
, I
D
=250 A
V
GS
= 30V, V
DS
=0V
V
GS
= 10V ，我
D
=3.75A
600
-
-
2.0
-
-
-
0.7
-
-
-
1.0
-
-
10
4.0
100
1.2
V
V/
A
V
nA
动态
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
源极 - 漏极二极管评级
连续源电流
脉冲源电流
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
I
S
I
SP
V
SD
t
rr
Q
rr
V
GS
＆ LT ; V
th
I
S
= 7.5A ，V
GS
=0V
I
S
= 7.5A ，V
GS
=0V,
DIS / DT = 100A / S
-
-
-
-
-
-
-
-
359
3.5
7.5
30
1.5
-
-
A
V
ns
C
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
V
DS
=25V, V
GS
= 0V ， F = 1.0MHz的
V
DD
=300V
R
L
=40
R
G
=25
(Note4,5)
V
DS
= 480V ，我
D
=7.5A
V
GS
=10V
(Note4,5)
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
32.5
5.5
13.2
-
-
-
-
1363
121.8
17
43
7.2
14.2
45
130
220
140
1550
140
21
pF
ns
nC
注1 ） Repetivity的评价：脉冲宽度有限的结温。
注2 ） L = 7.3mH ，我
S
= 7.5A ，V
DD
= 50V ，R
G
= 25 ，起始物为
j
=25 .
注3 ）I
S
7.5A ， di / dt的
200A/
, V
DD
BV
DSS
，起始物为
j
=25
2%.
.
注4 ）脉冲测试：脉冲宽度
300 ，占空比
注5 ）基本上是独立的工作温度。
2005. 12. 27
版本号： 0
2/7
KHB7D5N60P1/F1
I
D
- V
DS
V
GS
TOP ： 15.0 V
10.0 V
8.0 V
1
10
7.0 V
6.0 V
5.5 V
5.0 V
下图： 4.5V
I
D
- V
GS
漏电流I
D
(A)
漏电流I
D
(A)
10
1
-55
C
10
0
10
0
150
C
25
C
10
-1
10
-1
10
0
10
1
10
-1
2
4
6
8
10
漏 - 源极电压V
DS
(V)
栅 - 源电压V
GS
(V)
BV
DSS
- TJ
归一化的击穿电压BV
DSS
1.2
V
GS
= 0V
I
DS
= 250
R
DS （ ON）
- I
D
2.5
ON - 电阻r
DS （ ON）
()
2.0
1.5
1.0
0.5
0
1.1
V
G
= 10V
V
G
= 20V
1.0
0.9
0.8
-100
-50
0
50
100
150
0
5
10
15
20
25
结温Tj （ C）
漏电流I
D
(A)
I
S
- V
SD
3.0
R
DS （ ON）
- TJ
V
GS
=10V
I
DS
= 3.75A
反向漏电流I
S
(A)
归一化导通电阻
10
1
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
10
0
150 C
25
C
10
-1
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0.0
-100
-50
0
50
100
150
源 - 漏极电压V
SD
(V)
结温辐射TJ （ C）
2005. 12. 27
版本号： 0
3/7
KHB7D5N60P1/F1
- V
DS
栅 - 源电压V
GS
(V)
2400
频率= 1MHz的
Qg- V
GS
12
10
8
6
4
2
0
0
5
10
15
20
25
30
I
D
=7.5A
V
DS
= 120V
V
DS
= 300V
V
DS
= 480V
电容（pF）
2000
1600
1200
800
400
0
10
-1
西塞
科斯
CRSS
10
0
10
1
漏 - 源极电压V
DS
(V)
门 - 电荷Qg （ NC）
安全工作区
10
2
操作在此
区由R限于
DS （ ON）
安全工作区
操作在此
区由R限于
DS （ ON）
10
s
10s
10
2
漏极电流ID （ A）
10
1
100s
1ms
漏极电流ID （ A）
10
1
100s
1ms
10
0
10ms
100ms
DC
10
0
10毫秒
100毫秒
10
-1
TC = 25
C
T
j
= 150
C
单一不重复的脉冲
10
-1
DC
10
2
10
0
10
1
10
2
10
3
10
-2
TC = 25
C
T
j
= 150
C
单一不重复的脉冲
10
0
10
1
10
2
10
3
漏 - 源极电压V
DS
(V)
(KHB7D5N60P1)
漏 - 源极电压V
DS
(V)
(KHB7D5N60F1)
I
D
- T
j
8
漏电流I
D
(A)
6
4
2
0
25
50
75
100
125
150
结温Tj （
C
)
2005. 12. 27
版本号： 0
4/7
KHB7D5N60P1/F1
R
th
{KHB7D5N60P}
10
0
归一化瞬态热阻
Duty=0.5
0.2
10
-1
0.1
P
DM
0.05
t
1
t
2
1
0.02
0.0
10
-2
罪
GLE
Pu
LSE
- 占空比，D = T
1
/t
2
- R
thJC
=
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
T
J（下最大）
- T
c
P
D
10
0
10
1
10
-5
方波脉冲持续时间（秒）
R
th
{KHB7D5N60F}
归一化瞬态热阻
10
0
Duty=0.5
0.2
0.1
10
-1
0.05
P
DM
t
1
0.02
0.01
GLE
ls
Pu
e
t
2
- 占空比，D = T
1
/t
2
- R
thJC
=
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
T
J（下最大）
- T
c
P
D
10
0
10
1
10
-2
10
-5
罪
方波脉冲持续时间（秒）
2005. 12. 27
版本号： 0
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