【半导体技术参数概述这个平面条形MOSFET具有更好的特性，如快速开关时间，低导通电阻，低栅极电荷和优】,IC型号KF60N06P,KF60N06P PDF资料,KF60N06P经销商,ic,电子元器件-51电子网

51电子网联系电话：13692101218

位置：首页 > IC型号导航 > 首字符K型号页 > 首字符K的型号第247页 > KF60N06P

半导体

技术参数

概述

这个平面条形MOSFET具有更好的特性，如快速

开关时间，低导通电阻，低栅极电荷和优良

雪崩特性。它主要适用于有源功率因数

校正，基于半桥拓扑电子镇流器，

DC / DC转换器和开关模式电源。

特点

V

DSS

= 60V ，我

D

= 60A

漏极 - 源极导通电阻：

R

DS （ ON）

= 13.2米（最大） @V

GS

= 10V

QG （典型值） = 48nC

D

N

N

A

KF60N06P

N沟道MOS场

场效应晶体管

O

C

F

E

G

B

Q

DIM毫米

_

9.9 + 0.2

A

B

C

D

E

I

K

M

L

J

H

P

F

G

H

I

J

K

L

M

N

O

15.95 MAX

1.3+0.1/-0.05

_

0.8 + 0.1

_

3.6 + 0.2

_ 0.1

2.8 +

3.7

0.5+0.1/-0.05

1.5

_

13.08 + 0.3

1.46

_

1.4 + 0.1

_

1.27 + 0.1

_

2.54 + 0.2

_

4.5 + 0.2

_

2.4 + 0.2

_ 0.2

9.2 +

MOSFET的最大额定值（ TA = 25

特征

漏源电压

栅源电压

@T

C

=25℃

漏电流

@T

C

=100℃

脉冲（注1）

单脉冲雪崩能量

（注2 ）

重复性雪崩能量

（注1 ）

峰值二极管恢复的dv / dt

（注3）

耗电

耗散

Tc=25℃

减免上述25 °

T

j

T

英镑

V

DSS

V

GSS

I

D

*

I

DP

E

AS

E

AR

dv / dt的

P

D

除非另有说明）

等级

60

±20

60

37

230

430

13.5

4.5

113

0.90

150

-55½150

mJ

mJ

V / ns的

W

W/℃

℃

℃

A

单位

V

V

1

2

3

符号

1.门

2.漏

3.源

P

Q

TO-220AB

最高结温

存储温度范围

热特性

热阻，结到外壳

热阻，

结到环境

R

thJC

R

thJA

1.1

62.5

℃/W

℃/W

*：漏电流受最高结温。

引脚连接

D

G

S

2009. 12.21

版本号： 0

1/6

KF60N06P

电气特性（TC = 25⊥ ）

特征

符号

测试条件

分钟。

典型值。

马克斯。

单位

STATIC

漏源击穿电压

击穿电压温度系数

排水截止电流

栅极阈值电压

栅极漏电流

漏源导通电阻

BV

DSS

ΔBV

DSS

/ΔT

j

I

DSS

V

th

I

GSS

R

DS （ ON）

I

D

=250μ V

GS

=0V

A,

I

D

= 250μ参考25 ℃

A,

V

DS

=60V, V

GS

=0V,

V

DS

=V

GS

, I

D

=250μ

A

V

GS

=±20V, V

DS

=0V

V

GS

= 10V ，我

D

=30A

60

-

-

2

-

-

-

0.08

-

-

-

11.5

-

-

10

4

±100

13.2

V

V/℃

μ

A

V

nA

m

动态

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极电荷

导通延迟时间

开启上升时间

打开-O FF延迟时间

关断下降时间

输入电容

输出电容

反向传输电容

源极 - 漏极二极管评级

连续源电流

脉冲源电流

二极管的正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

I

S

I

SP

V

SD

t

rr

Q

rr

V

GS

＆ LT ; V

th

I

S

= 60A ，V

GS

=0V

I

S

= 60A ，V

GS

=0V,

dIs/dt=100A/μ

s

-

-

-

-

-

-

-

-

70

180

60

A

240

1.4

-

-

V

ns

nC

Q

g

Q

gs

Q

gd

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

V

DS

=25V, V

GS

= 0V ， F = 1.0MHz的

V

DD

=30V

I

D

=60A

R

G

=25

(Note4,5)

V

DS

= 48V ，我

D

=60A

V

GS

=10V

(Note4,5)

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

48

9.2

19

35

75

100

75

1860

490

92

-

-

-

-

-

ns

-

-

-

-

-

pF

nC

注1 ） Repetivity的评价：脉冲宽度有限的结温。

注2 ） L = 120μ我

S

= 60A ，V

DD

= 30V ，R

G

= 25Ω ，起始物为

j

=25℃.

H,

注3 ）I

S

≤60A,

DI / dt≤200A / ，V

DD

ΔBV

DSS

，起始物为

j

=25℃.

注4 ）脉冲测试：脉冲宽度

≤

300 ，占空比

≤

2%.

注5 ）基本上是独立的工作温度。

记号

1

KF60N06

901

P

2

1

产品名称

2

批号

2009. 12.21

版本号： 0

2/6

KF60N06P

Fig1 。我

D

- V

DS

1000

1000

V

DS

= 20V

Fig2 。我

D

- V

GS

漏电流I

D

(A)

100

漏电流I

D

(A)

V

GS

=10V

V

GS

=7V

100

V

GS

=5V

100

C

25

C

10

10

1

0.1

1

10

100

1

2

4

6

8

10

漏 - 源极电压V

DS

(V)

栅 - 源电压V

GS

(V)

Fig3 。 BV

DSS

- TJ

归一化的击穿电压BV

DSS

1.2

20

图四。

DS （ ON）

- I

D

ON - 电阻r

DS （ ON）

(m)

V

GS

= 0V

I

DS

= 250

18

16

V

GS

=7V

1.1

1.0

14

12

V

GS

=10V

0.9

10

8

0

20

40

60

80

100

120

0.8

-50

0

50

100

150

结温Tj （ C）

漏电流I

D

(A)

Fig5 。我

S

- V

SD

200

2.6

Fig6 。

DS （ ON）

- TJ

V

GS

=10V

I

D

= 30A

反向漏电流I

S

(A)

100

归一化导通电阻

1

1.2

1.4

2.2

1.8

1.4

1.0

0.6

0.2

-50

100

C

25

C

10

1

0.4

0.6

0.8

-25

0

25

50

75

100

125

150

源 - 漏极电压V

SD

(V)

结温Tj （ C）

2009. 12.21

版本号： 0

3/6

KF60N06P

图7. - V

DS

10000

10

图8的Qg - V

DS

栅 - 源电压V

GS

(V)

电容（pF）

西塞

1000

科斯

8

6

4

2

0

0

10

20

30

40

50

VDS=48V

100

CRSS

10

0

5

10

15

20

25

30

35

40

漏 - 源极电压V

DS

(V)

门 - 电荷Qg （ NC）

图9.安全工作区

1000

10s

图10.我

D

- T

C

70

60

漏电流I

D

(A)

100

100s

漏电流I

D

(A)

50

40

30

20

10

10

R

DS

（上

资讯科技教育

LIM

)

1ms

10ms

1

DC

0.1

0.1

0

1

10

100

0

25

50

75

100

125

150

175

漏 - 源极电压V

DS

(V)

案例温度T

C

( C)

图11.

th

（J -C ）

10

R

th

[C / W]

1

Duty=0.5

0.2

P

DM

t

1

t

2

0.1

0.1

0.05

0.02

- 占空比，D = T

1

/

单脉冲

0.01

10

-5

0.01

- R

thJC

=

10

-2

10

-1

10

0

10

1

T

J（下最大）

- T

c

P

D

10

-4

10

-3

脉冲时间（ S）

2009. 12.21

版本号： 0

4/6

KF60N06P

Fig12 。栅极电荷

VGS

快

恢复

二极管

10 V

ID

0.8 VDSS

ID

1.0毫安

V

DS

VGS

Q

QGS

QGD

Qg

Fig13 。单脉冲雪崩能量

1

EAS =

LI

AS2

2

BV

DSS

BV

DSS

- V

DD

BV

DSS

L

I

AS

30V

25

V

DS

10 V

VGS

I

D

(t)

V

DD

V

DS

(t)

时间

tp

Fig14 。阻性负载开关

V

DS

90%

RL

0.5 VDSS

25

VDS

10V

VGS

V

GS

10%

t

D（上）

t

on

tr

t

D（关闭）

tf

t

关闭

2009. 12.21

版本号： 0

5/6

查看更多KF60N06PPDF信息

供货商

型号

厂家

批号

数量

封装

单价/备注

操作

柒号芯城电子商务（深圳）有限公司

QQ：

点击这里给我发消息

QQ：2881677436 复制

点击这里给我发消息

QQ：2881620402 复制

电话：18922805453

联系人：连

地址：福田区华强北路1019号华强广场D座23楼

KF60N06P

-

-

-

-

终端采购配单精选

深圳市壹芯创科技有限公司

QQ：

点击这里给我发消息

QQ：2880707522 复制

点击这里给我发消息

QQ：2369405325 复制

电话：0755-82780082

联系人：杨小姐

地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

KF60N06P

-

-

-

-

终端采购配单精选

更多配单专家

查询更多KF60N06P供应信息

深圳市碧威特网络技术有限公司

我要啦免费统计

复制成功！