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KH232
低失真宽带运算放大器
特点
s
s
s
s
s
s
s
概述
该KH232是宽带低失真运算
放大器专为高速而设计,低增益
应用程序需要宽动态范围。利用
电流反馈架构, KH232提供了高
高速性能,同时保持直流精度。
该KH232提供精确的增益,从± 1到± 5带
真正的0.1 %线性度,并提供稳定的, oscillation-
在整个增益范围内自由操作无
外部补偿。本KH232 ,兼容的引脚
提高了KH231的版本,减少了第二和第三
谐波失真,以在极低-69dBc
20MHz的( 2V
pp
, R
L
= 100Ω ) 。提供的附加功能
由KH232包括一个小信号带宽
270MHz , 95MHz和一个大信号带宽
3000V / μs压摆率。输入偏移电压通常
为1mV与10μV / ℃,输入失调漂移。
该KH232将这些高性能特性
同为15ns和100mA电流的0.05 %建立时间
驱动能力,以提供高速,高分辨率
A / D和D /有吸引力的A转换器系统
溶液,用于驱动和缓冲。宽动态
各种系统,如雷达和通信
要求低谐波失真和低接收机
噪音会发现KH232是一个很好的选择。如
线路驱动器,该KH232定在2取消增益
匹配的线损。
该KH232采用薄膜电阻器/双极建成
晶体管的技术,并且是在下面的可用
版本:
供应
电压
-69dBc第二和20MHz的三次谐波
270MHz的-3dB带宽
0.05 %定居在15ns的
3000V / μs的转换速率
1mV的输入偏移电压, 10μV /°C的漂移
± 10V ,最大100mA输出
直接替代CLC232
应用
s
s
s
s
s
s
s
闪光的A / D驱动程序
DAC电流 - 电压转换
宽动态范围IF放大器
VCO司机
DDS postamps
雷达/通信接收机
精密线路驱动器
底部视图
I
CC
调整
例
地
GND
7
调整-V
CC
8
9
-V
CC
V+ 6
10
集热器
供应
产量
KH232AI
KH232AK
KH232AM
-25 ° C至+ 85°C
-55 ° C至+ 125°C
-55 ° C至+ 125°C
非反相
输入
反相
输入
不
连接的
+
V- 5
NC 4
3
例
地
GND
2
4
4
-
11 V
o
12
+V
CC
集热器
供应
1
供应
电压
KH232HXC
KH232HXA
-55 ° C至+ 125°C
-55 ° C至+ 125°C
12引脚TO- 8可
12引脚TO- 8就可以了,功能
老化&气密试验
12引脚TO- 8就可以了,
环保
筛选和电
测试MIL -STD- 883
SMD # : 5962-9166501HXC
SMD # : 5962-9166501HXA
调整+ V
CC
I
CC
调整
典型性能
增益设置
参数
1
2
5
-1
-2
-5
单位
兆赫
ns
V / ns的
ns
-3dB带宽
430 270 135 220 175 110
上升时间( 2V )
1.8 2.0 2.5 2.0 2.2 2.9
压摆率
2.5 3.0 3.0 3.0 3.0 3.0
建立时间( 0.1% ) 12 12 12 12 12 15
销2和8被用于调节支持
帘布层流或调整偏移电压
(见正文) 。这些引脚通常保留
悬空。
REV 。 2004年一月1A
数据表
KH232
KH232电气特性
参数
环境温度
环境温度
频域响应
-3dB带宽(注2 )
大信号带宽
增益平坦度(注2 )
高峰
高峰
滚降
群时延
线性相位偏差
反向隔离
非反相
反相
KH232AI
(T
A
= + 25 ° C,A
v
= +2V, V
CC
= ± 15V ,R
L
= 100, R
f
= 250Ω ;除非另有说明)
典型值
+25°C
+25°C
270
165
95
0.1
0.1
0.4
3.5 ± 0.5
0.5
53
36
MIN &最大额定值
-25°C
-55°C
>200
>145
>80
<0.6
<1.5
<0.6
–
<2.0
>43
>26
<2.4
<7.0
–
<22
<15
>2.5
–
<-64
<-64
<3.2
<23
<2.6
<-154
<64
<64
<4.0
<25
<29
<125
<31
<200
>45
>40
<27
>100
<2.5
–
>±11
+25°C
+25°C
>200
>145
>80
<0.3
<0.3
<0.6
–
<2.0
>43
>26
<2.3
<6.5
–
<17
<10
>2.5
–
<-64
<-64
<3.2
<23
<2.6
<-154
<64
<64
<2.0
<25
<21
<125
<15
<200
>45
>40
<27
>200
<2.5
–
>±11
+85°C
+125°C
>200
>120
>60
<0.6
<0.8
<1.0
–
<2.0
>43
>26
<2.7
<6.5
–
<22
<15
>1.8
–
<-56
<-64
<3.5
<25
<2.9
<-153
<72
<72
<4.5
<25
<31
<125
& LT ; 35
<200
>45
>40
<29
>400
<2.5
–
>±11
兆赫
兆赫
兆赫
dB
dB
dB
ns
°
dB
dB
ns
ns
ns
ns
%
V / ns的
ns
dBc的
dBc的
SSBW
SSBW
FPBW
GFPL
GFPH
GFR
GD
LPD
里尼
RIIN
TRS
TRL
TS
TSP
OS
SR
OR
HD2
HD3
单位
符号
条件
KH232AK/AM/HXC/HXA
V
o
≤0.63V
pp
V
o
≤2V
pp
V
o
≤10V
pp
V
o
≤0.63V
pp
0.1 50MHz的
>50MHz
在100MHz
100MHz的
100MHz的
时间域响应
上升和下降时间
建立时间,以0.05%的
到0.1%
冲
压摆率(输入过载)
过载恢复
<50ns脉冲, 200%的超速
噪声和失真响应
二阶谐波失真
3次谐波失真
等效输入噪声
电压
反向电流
非反相电流
本底噪声
综合噪声
综合噪声
静电, DC性能
*输入偏移电压
平均温度系数
*输入偏置电流
平均温度系数
*输入偏置电流
平均温度系数
*电源抑制比
共模抑制比
*电源电流
其他性能
非反相输入电阻
非反相输入端电容
输出阻抗
输出电压范围
2V步骤
10V步
5V步骤
2.5V步
5V步骤
<1误差(%)
2.0
5.0
15
12
5
3.0
120
2V
pp
, 20MHz的
2V
pp
, 20MHz的
>100kHz
>100kHz
>100kHz
>100kHz
为1kHz到200MHz
5MHz至200MHz的
-69
-69
2.8
20
2.3
-155
57
57
1
10
5.0
50
10
125
50
46
25
400
1.3
5, 37
±12
VN
纳伏/赫兹÷
ICN
PA / ÷赫兹
PA / √Hz的NCN
dBm的(赫兹) SNF
μVRMS
INV
μVRMS
INV
mV
μV/°C
A
NA / ℃,
A
NA / ℃,
dB
dB
mA
k
pF
,
nH
V
VIO
dVio
IBN
DIbn
揖斐
DIBI
PSRR
CMRR
ICC
凛
CIN
RO
VO
非反相
反相
空载
DC
@ 100MHz的
空载
最小/最大额定值是根据产品特性和仿真。如指出的各个参数进行测试。即将离任的质量水平
从测试的参数决定。
绝对最大额定值
V
CC
I
o
共模输入电压V
o
差分输入电压
热阻
结温
工作温度
储存温度
引线温度(焊接10秒)
±20V
±100mA
|V
CC
| >15V ± ( 30 | V
CC
|)V
|V
CC
|
≤
15V ±|V
CC
|V
±3V
(见热模型)
+175°C
AI : -25°C至+ 85°C
AK / AM / HXC / HXA : -55 ° C至+ 125°C
-65 ° C至+ 150°C
+300°C
推荐工作条件
V
CC
I
o
共模输入电压
增益范围
注1 :
*
-5V TO -15V
±75mA
±(|V
CC
| -5)V
-1至-5
注2 :
AI / AK / AM / HXC / HXA 100 % ,在+ 25°C测试
AK / AM / HXC / HXA
在+ 25° C和样品经过100%测试
在-55°C测试和+ 125°C
AI
在+ 25 ℃下的样品进行测试
在测试中使用的输出振幅是0.63V
pp
。性能
保证上市的条件。
2
REV 。 2004年一月1A
数据表
KH232
手术
该KH232是基于电流反馈运算放大器
拓扑结构中,使用的电流反馈而不是设计
通常的电压反馈。
使用KH232的是基本上相同的
常规运算放大器(参见图1和图2)。自从
器件的低增益应用而设计的,
当使用此电路时获得的最佳性能
在在± 1和± 5收益。此外,性能
最佳时250Ω反馈电阻。
布局的注意事项
以保证最佳的性能,用户应遵循
它最大限度地减少不必要的良好的布局做法
的节点之间的信号耦合。在最初的面包......
该电路的登机使用直接点对点布线,
保持导线长度为小于0.25“ 。利用
实,完整的地平面是有帮助的。避免绕线
型PC板和方法。插座具有体积小,短
针插座可以以最小的性能使用
降解尽管不推荐它们的使用。
在印刷电路板的布局使所有走线短而直
R的电阻体
g
应尽可能地靠近
管脚5至该点处最小化电容。对于
同样的理由,从附近除去接地平面
销5和6。在其他方面,使用尽可能多的接地平面
尽可能在板的一侧。它是特别
重要的是提供用于电流的接地返回路径,从
负载电阻器的电源旁路电容器。
0.01 0.1μF的陶瓷电容(短引线)
应小于0.15英寸从引脚1和9 。
较大的钽电容应放置在一个
寸这些引脚。 V
CC
连接销10和12
可以直接从销9和1,但更好的供应作出
排斥反应和稳定时间,如果他们是得到
分别绕过如在图1和2,为了防止
引起从阻抗反射信号失真
不匹配,使用终止微带线或同轴线
当信号必须经过超过几英寸。
由于印刷电路板构成的这样一个重要的组成部分
电路中,大量的时间可以节省,如果的原型板
任何高频部分是建立在早期测试
设计阶段。评估板设计为两种
反相或非反相增益可供选择。
失调电压调整
如果输入偏移电压的微调(Ⅴ
os
= V
ni
-V
in
)是
需要的话, 10K的电阻值1MΩ之间放置
销8和9将造成V
os
变得更负由
8mV的分别为0.2mV 。同样,一个电阻放置
引脚1和2之间会引起V
os
,成为更
积极的。
散热注意事项
高温环境下或大型内部电源
耗散,散热能力必须保持
可接受的结温。使用热
模型前面的页确定结对
温度。可用于多种风格散热片
TO- 8封装;在THERMALLOY 2240和2268顷好
例子。一些散热片径向翅片类型,
涵盖了印刷电路板和外部可能会干扰
组件。一个很好的解决这个问题的方法是
使用表面安装的电阻器和电容器。他们
有一个非常低调,切实提高高
高频性能。对于使用这些散热片与
常规组件, 0.1“高垫片可以插入
在TO- 8封装,以便有足够的间隙。
REV 。 2004年一月1A
+15V
3.9
33
0.1
6
1
12
11
10
3,7
9
.01
Capactance在
F
V
in
R
i
49.9
R
g
+
-
KH232
5
V
o
250
R
L
100
-15V
3.9
33
0.1
.01
A
v
=
1+
R
f
R
g
R
f
= 250
图1 :推荐的非反相增益电路
+15V
3.9
33
0.1
100
R
g
6
1
12
11
10
3,7
9
.01
Capactance在
F
+
-
KH232
5
V
o
250
R
L
100
V
in
R
i
-15V
3.9
33
0.1
.01
R
f
A
v
=
R
g
R
f
= 250
Z的
in
= 50Ω ,选择
R
g
|| R
i
= 50
图2 :推荐反相增益电路
4
KH232
数据表
T
例
100°C/W
T
J(下PNP )
P
PNP
100°C/W
T
J(下NPN )
P
NPN
48
°
C / W
T
J(下电路)
P
电路
+
-
T
环境
θ
ca
可用于散热的其它方法,但对于
最好的结果,使与KH232的基极接触
包中,使用热容量大的散热片,并使用
强制空气对流。
低V
CC
操作:电源电流调整
该KH232设计为在电源低至操作
为± 5V 。为了提高全带宽以降低的
电源电压,电源电流(I
CC
)必须是
增加。带宽与V的情节
CC
,显示了
短路引脚1和2和引脚8和9的效果;这
将增加的带宽和电源电流。关怀
应注意不超过最大结
温度;因为这个原因这个技术不应该
使用兼容耗材超过± 10V 。对于中间
V的值
CC
,引脚1和2之间的外部电阻器
和引脚8和9都可以使用。
P
(电路)
= (I
CC
)((+V
CC
) – (V
CC
) )其中I
CC
= 14毫安在± 15V
P
(xxx)
= [(±V
CC
) – V
OUT
– (I
COL
) (R
COL
+ 4)] (I
COL
) ( %占空比)
正V
o
和V
CC
这是在npn型功率
装置。对于负V
o
和V
CC
这是在电源
PNP设备。
I
COL
= V
o
/R
L
或12毫安,以较高者为准。 (包括馈
回到R在R
L
.)
R
COL
是一个电阻( 33Ω推荐)之间的XXX
收藏家和±V
CC
.
为输出电流和电压的限制因素是结
温度。次要的是我
(下)
,这
应不超过150mA电流。
T
J(下PNP )
= P
( PNP)
(100 +
θ
ca
) + (P
(CIR)
+ P
( NPN )
)(θ
ca
) + T
a
,
类似的对于T
J(下NPN )
.
T
J(下CIR )
= P
(CIR)
(48 +
θ
ca
) + (P
( PNP)
+ P
( NPN )
)(θ
ca
) + T
a
.
θ
ca
=为无散热片在静止空气中的KH232 65 ° C / W 。
为与THERMALLOY 2268A的KH232 35 ° C / W
在静止空气中的散热片。
用于与THERMALLOY 2268A的KH232 15℃ / W的
在300英尺/分钟空气的散热片。
( THERMALLOY 2240A的工作同样也是如此。 )
例如,与KH232工作在±15V ,而
驱动100Ω负载15V
pp
输出( 50%占空比
脉冲波形,DC = 0 ),P
( NPN )
= P
( PNP)
= 190MW (R
COL
= 33 )和P
(CIR)
= 0.42W 。然后用THERMALLOY
为300英尺/ 2268的散热器和空气流分的输出
晶体管'T
j
31 ° C以上的环境温度和最坏的情况牛逼
j
in
该电路的其余部分是32 ℃,高于环境。在静止的空气中,
然而,上升T中
j
47 ° C和48 ° C,分别。
由于没有散热片,兴起T中
j
是71 ° C和72 ° C,
分别!根据大多数情况下,
注意散热
所需。
REV 。 2004年一月1A
5